二極體的結間電容產生原因,什麼是二極體的結電容

時間 2021-08-11 16:02:12

1樓:w別y雲j間

因為pn結電容分為兩部分,勢壘電容和擴散電容。勢壘電容pn結交界處存在勢壘區。結兩端電壓變化引起積累在此區域的電荷數量的改變,從而顯現電容效應。

當所加的正向電壓升高時,pn結變窄,空間電荷區變窄,結中空間電荷量減少,相當於電容放電。同理,當正向電壓減小時,pn結變寬,空間電荷區變寬,結中空間電荷量增加,相當於電容充電。加反向電壓升高時,一方面會使耗盡區變寬,也相當於對電容的充電。

加反向電壓減少時,就是p區的空穴、n區的電子向耗盡區流,使耗盡區變窄,相當於放電。

二極體,(英語:diode),電子元件當中,一種具有兩個電極的裝置,只允許電流由單一方向流過,許多的使用是應用其整流的功能。而變容二極體(varicap diode)則用來當作電子式的可調電容器。

大部分二極體所具備的電流方向性我們通常稱之為「整流(rectifying)」功能。二極體最普遍的功能就是隻允許電流由單一方向通過(稱為順向偏壓),反向時阻斷 (稱為逆向偏壓)。因此,二極體可以想成電子版的逆止閥。

2樓:匿名使用者

pn結電容分為兩部分,勢壘電容和擴散電容。勢壘電容pn結交界處存在勢壘區。結兩端電壓變化引起積累在此區域的電荷數量的改變,從而顯現電容效應。

當所加的正向電壓升高時,pn結變窄,空間電荷區變窄,結中空間電荷量減少,相當於電容放電。同理,當正向電壓減小時,pn結變寬,空間電荷區變寬,結中空間電荷量增加,相當於電容充電。加反向電壓升高時,一方面會使耗盡區變寬,也相當於對電容的充電。

加反向電壓減少時,就是p區的空穴、n區的電子向耗盡區流,使耗盡區變窄,相當於放電。pn結電容演算法與平板電容相似,只是寬度會隨電壓變化。擴散電容pn結勢壘電容主要研究的是多子,是由多子數量的變化引起電容的變化。

而擴散電容研究的是少子。在pn結反向偏置時,少子數量很少,電容效應很少,也就可以不考慮了。在正向偏置時,p區中的電子,n區中的空穴,會伴著遠離勢壘區,數量逐漸減少。

即離結近處,少子數量多,離結遠處,少子的數量少,有一定的濃度梯度。正向電壓增加時,n區將有更多的電子擴散到p區,也就是p區中的少子----電子濃度、濃度梯度增加。同理,正向電壓增加時,n區中的少子---空穴的濃度、濃度梯度也要增加。

相反,正向電壓降低時,少子濃度就要減少。從而表現了電容的特性。

什麼是二極體的結電容

3樓:du知道君

兩個靠近的金屬板就會形成一個電容,二極體的pn結的兩個極板也會形成電容,叫結電容。雖然二極體的金屬板的面積極小,似乎電容極小,但由於pn結的勢壘層極薄,所以兩個極板的距離極小,所以實際電容也有幾p到幾十p。此電容還與二極體上的電壓有關,當反向電壓越高,勢壘層越厚,結電容就越小。

利用這個特點,生產出的 「變容二極體」廣泛用在高頻電路比如無線通訊系統中。

二極體的結電容 5

4樓:匿名使用者

請耐心看下去

當二極體正向偏置時,就是p接正極,n接負極,積累在p區的電子和n區的空穴會隨著電場的作用而逐漸增加。這時的擴散電容很大的,要是反向偏置的時候,載流子的數目很少,擴散電容值也就很小,忽略就可以啦。

當二極體反向偏置的時候,整個過程我就不囉嗦啦,反正就是擴散電容值很小,此時電容值主要取決與勢壘電容,而且它是非線性的。

pn結電容是擴散電容和勢壘電容的綜合反映,在高頻時,必須要考慮結電容。當pn結正偏時,結電容主要取決於擴散電容,值很大。反偏時,結電容取決與勢壘電容,且很小。

5樓:三笠灬

去讀一下華科的模電教材把,第六版,康華光,陳大欽,張林他們寫的,第三章去看兩遍,給你整的明明白白的

6樓:雪狼一路向北

結電容你應該知道吧,它有個類似於電容的特性,可以充放電(你可以把它當做一個很小的電容)。第二個問題,同上訴,電容越大貯蓄的電荷就越大,放電時間也就越長,所以工作的頻率也就越低。個人總結,希望能幫到你。

7樓:

二極體反向時會有耗盡區,可以想象類比為平行板電容器,這就是節電容。另外非平衡載流子有擴散效應,正向時充放電現象明顯,這叫擴散電容

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