太陽能電池片加工中的摻雜與擴散原理

1樓：匿名使用者

我明白你的意思了。現在工業生產太陽能電池片的矽片，都是p型襯底，意思是之前已經摻雜三族元素了，我們只需要進行磷擴散，就可以形成p-n結。

以n型半導體為底板結構的結晶矽類太陽能電池與以p型半導體為底板的結構相比，前者對雜質的抵抗性更大，在理論上更易提高能量轉換效率。不過，此前許多結晶矽類太陽能電池幾乎都採用以p型半導體為底板的結構。原因是在較厚的p型半導體上能夠形成非常薄的n型半導體層。

德國弗勞恩霍夫太陽能系統研究所（fraunhofer ise）宣佈，該機構研製的以n型半導體為底板，然後在其上面形成較薄的p型半導體層的單晶矽太陽能電池，其能量轉換效率達到了23.4％。太陽能電池單元面積為2cm見方。

2樓：匿名使用者

首先，太陽能電池片生產中所用的原材料矽片有兩種，一種是p型，一種是n型，一般n型多一點，那麼摻雜也就有2中了，一種是摻錋，一種摻磷。摻雜很複雜，主要目的就是形成p-n結（產生少子與空穴）少子不斷與空穴交替變更，少子不斷湮滅而產生電流。

3樓：匿名使用者

用特殊工藝把p型和n型半導體結合在一起後,由於正負電荷的相互吸引，在p區和n區的交介面附近形成一個空間電荷區，併產生一個稱為勢壘電場的內建電場，其方向從帶正電荷的n區指向帶負電荷的p區，這就是pn結。

4樓：俱懷逸興壯思飛欲上青天攬明月

太陽能電池片加工中的摻雜與擴散原理的原理：

半導體的摻雜擴散，主要是依靠了離子從高濃度像低濃度區域擴散的原理。在太陽能的矽片中，把雜質原子的氣相源靠近矽片，加熱後，使其慢慢擴散，雜質原子會慢慢的深入矽片中，濃度從矽片邊緣到內部是逐漸降低的。

半導體中的摻雜是指在半導體矽中摻入磷或鎵可以得n型或p型半導體材料，由此製出各式各樣的半導體器件。在一些無機固體化合物中摻入不同的金屬離子，可以得到不同性質的發光材料，如氧化釔(iii)中摻入銪(iii)離子可以得到發紅光的熒光材料。