1樓：奧特電器深圳
呵呵你被錯誤的概念誤導啦。整流器的功率因數低，主要不是相角的問題，是整流導致諧波產生，部分諧波的功率是無功功率，由於產生了無功功率，進而使功率因數降低。
整流器的電流也會延遲電壓一點點，產生一個較小的相角，這是半導體的導通電壓引起的延遲，不過這一點點相角降低功率因數的作用很小，通常都忽略了。
摘錄我公司的培訓資料功你參考：
25. 諧波對功率因數的影響如何？
這是一個比較複雜的問題。需要運用較深的數學知識。這裡我們只給出結論。
從功率因數的基本定義公式：η= p有/ps
在有諧波的情況下，加入諧波的引數，再通過比較複雜的數**算，我們可以得到這樣一個公式：
η ＝（i1/i）•cosφ
＝λ•cosφ
其中：λ，叫基波因子。i1 是基波電流， i是總電流。
cosφ，叫相移因子，或者叫基波功率因數。
從公式可以看出，基波因子反映了諧波對功率因數的影響。顯然，在總電流i恆定時，諧波電流越大，基波i1就會越小，也就是基波因子就越小，從而功率因數也就越小。
相移因子（基波功率因數）就是基波電流相對電壓的滯後情況，是我們熟悉的基波的功率因數的計算公式。
以前，電網中直流裝置較少，所以諧波不多，大多數情況下：
基波電流i1 ≈總電流i，
所以：基波因子λ≈1
所以有：η≈cosφ
這就是以前我們把cosφ等同為功率因數的原因。
因此，以前我們不瞭解諧波，或者諧波較小時，考慮無功補償，都主要考慮移相因子的作用，長此下來，我們就把基波功率因數（移相因子）作為了電網的功率因數的來理解。
因此，在有諧波的情況下，基波因子λ小於1，移相因子就算＝1，電網的功率因數也都是小於1的。也就是說，有諧波時，僅僅用電容器補償，功率因數是很難達標的。
2樓：匿名使用者
是因現在的中頻逆變電路是並聯電路控矽整流有相位差角是保護需要串聯中頻逆變就沒有了是全開放的
3樓：匿名使用者
我說簡單點:可控矽只用一部分的波形,不用的是浪費掉了,計量是用的.一般有的工廠用高頻的源補的.
再簡單一點的說法,可控矽用波形的後面,從後面開始用,往前用的.高頻是反的.這樣總的功率因數就好多了
為什麼不控整流比可控整流功率因數高?
4樓：蓴灬叔
功率因數λ=ν*cosφ，ν是基波因數，cosφ是基波電流相移
不控整流電壓和電流是同相的，cosφ=1。但是可控整流電壓和電流的相位差取決於觸發角α，cosα是一個小於等於1的值，所以可控整流的功率因數低一些。
可控矽是p1n1p2n2四層三端結構元件，共有三個pn結，分析原理時，可以把它看作由一個pnp管和一個npn管所組成
當陽極a加上正向電壓時，bg1和bg2管均處於放大狀態。此時，如果從控制極g輸入一個正向觸發訊號，便有基流ib2流過bg2，經它放大，其集電極電流β2ib2。因為bg2的集電極直接與bg1的基極相連，所以ib1=ic2。
此時，電流ic2再經bg1放大，於是bg1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到bg2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋迴圈的結果，兩個管子的電流劇增，可控矽使飽和導通。
由於bg1和bg2所構成的正反饋作用，所以一旦可控矽導通後，即使控制極g的電流消失，可控矽仍然能夠維持導通狀態，由於觸發訊號只起觸發作用，沒有關斷功能，所以這種可控矽是不可關斷的。
由於可控矽只有導通和關斷兩種工作狀態，所以它具有開關特性，這種特性需要一定的條件才能轉化
5樓：愛瀟湘情緣
不控整流電壓和電流是同相的，cosφ=1。但是可控整流電壓和電流的相位差取決於觸發角α，cosα是一個小於等於1的值，所以可控整流的功率因數低一些。
功率因數λ=ν*cosφ，ν是基波因數，cosφ是基波電流相移。
6樓：遠景**
有觸發角度，不可能全觸發
電加熱器改雙向可控矽控制後，電源的功率因數為何下降？
7樓：匿名使用者
採用可控矽控制時，如果是相控型式，就會有相位因數，造成功率因數在輕載時下降。
8樓：匿名使用者
加熱器搞的是直流調壓？還是固態繼電器的恆溫控制呢？推薦後者，因為固態繼電器是正弦波輸出，過零關斷，電網無諧波，加上加熱器是純電阻電路，所以功率因數不很受任何影響的。
直流調壓，因為可控矽是移相觸發，所以功率因數不好說了。而且電網上有諧波。
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