1樓：辰達君
選擇合適的正向電流與反向耐壓（應大於應用值）如用於高頻電流整流，一般普通負載選耐壓大於實際電壓2倍（例：5v電壓選10v肖特基）.感性負載可選3--5倍.
最起碼的電流富餘量要20%，（8a電流選10a肖特基）一般富餘50%或以上.
(一)看外觀:
1.印字: 普遍大功率肖特基整流二極體現今都是採用鐳射印字, 具有無毒,環保,字型清晰,永不磨損的特點. 油印的翻新機率大,有毒,不環保,無保障,建議不用。
2.腳位: 標準器件腳長,都是有一定標準的.
請參考規格書. 如果腳偏短,有可能是二次打磨.建議不用.
鍍錫: 目前分兩種: 亮腳(國產較多)和粉腳(國外較多)各有優勢.
亮腳上錫快,儲存時間長; 粉腳上錫非常快,但易氧化.如果外觀已氧化,建議不用.
(二)引數測試:
1.晶片: 防止以小充大.尺寸是直觀表現.
2.引數: 正規廠家都是會提供規格書. 測試引數的準確性是非常重要的.是一個產品好壞的直觀體現.
3.應用性: 在整個電路中,有各種電性引數,一款合適的大功率肖特基整流二極體選型非常重要,要考慮方方面面. 生產廠家的好處就體現出來了,可以為您提供專業的技術支援。
參考資料：http://www.szchenda.com
2樓：匿名使用者
問題提的太籠統了。按個人猜想給你回答：二極體無非就是選擇反向耐壓，和正向電流，只要這兩項大於你的應用值就可以，留多大的餘量要看具體情況 ，其他方面的引數：
你已經鎖定了肖特基，那也就跟著確定了。
3樓：男孩
1、對於串聯型電源電路肖特基二極體，應選擇肖特基二極體大電流，電流與反向工作電壓適合肖特基二極體。
2、對於開關型穩壓電路用肖特基二極體應選擇使用工作頻率較高，且反向恢復時司短快恢復型肖特基二極體。而不能使用一般肖特基二極體。
3、對低電壓電路應選擇使用正問壓降肖特基二極體。
4、對於5a以下二極體電路可選擇使用一般肖特基二極體。例如應用半橋，全橋整流電路，收錄機電源電路對及普通低電壓肖特基二極體電路等。
北京南電科技肖特基二極體國內外**品牌，**保障
4樓：匿名使用者
肖特基二極體用於高頻電流整流，一般普通負載選耐壓大於實際電壓2倍（5v電壓選10v肖特基）。感性負載可選3--5倍。
最起碼的電流富餘量要20%，（8a電流選10a肖特基）一般富餘50%或以上，
肖特基二極體引數怎麼看？
5樓：蔣貝貝
肖特基二極體主要引數有這些
if(io)：正向電流（a)
vrrm：反向耐壓(v)
ifsm：峰值瞬態浪湧電流(a)
if：測試電流(a)
vf:正向壓降(v)
ir：反向漏電流(ua)
肖特基二極體 引數
6樓：viipg大丹
常用肖特基二極體型號:
常用的有引線式肖特基二極體有d80-004、b82-004、mbr1545、mbr2535等型號
肖特基二極體常見的型號：mbr300100ctmbr400100ct
mbr500100ct
mbr600100ct
mbr30050ct
mbr40050ct
mbr50050ct
mbr60050ct
肖特基二極體是問世的低功耗、大電流、超高速半導體器件。其反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4v左右，而整流電流卻可達到幾千毫安。
這些優良特性是快恢復二極體所無法比擬的。中、小功率肖特基整流二極體大多采用封裝形式。
拓展資料肖特基二極體（sbd）是肖特基勢壘二極體（schottkybarrierdiode，縮寫成sbd）的簡稱，是以其發明人肖特基博士（schottky）命名的半導體器件。肖特基二極體是低功耗、大電流、超高速半導體器件，它不是利用p型半導體與n型半導體接觸形成pn結原理製作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理製作的。因此，sbd也稱為金屬－半導體（接觸）二極體或表面勢壘二極體，它是一種熱載流子二極體。
7樓：我是一個麻瓜啊
肖特基二極體是以其發明人肖特基博士命名的，sbd是肖特基勢壘二極體（schottkybarrierdiode,縮寫成sbd）的簡稱。sbd不是利用p型半導體與n型半導體接觸形成pn結原理製作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理製作的。
因此，sbd也稱為金屬－半導體（接觸）二極體或表面勢壘二極體，它是一種熱載流子二極體。
肖特基二極體引數如下：
擴充套件資料
肖特基二極體分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。 採用有引線式封裝的肖特基二極體通常作為高頻大電流整流二極體、續流二極體或保護二極體使用。它有單管式和對管（雙二極體）式兩種封裝形式。
肖特基對管又有共陰（兩管的負極相連）、共陽（兩管的正極相連）和串聯（一隻二極體的正極接另一隻二極體的負極）三種管腳引出方式。
採用表面封裝的肖特基二極體有單管型、雙管型和三管型等多種封裝形式，有a~19種管腳引出方式
sbd的主要優點包括兩個方面：
1）由於肖特基勢壘高度低於pn結勢壘高度，故其正向導通門限電壓和正向壓降都比pn結二極體低（約低0.2v）。
2）由於sbd是一種多數載流子導電器件，不存在少數載流子壽命和反向恢復問題。sbd的反向恢復時間只是肖特基勢壘電容的充、放電時間，完全不同於pn結二極體的反向恢復時間。由於sbd的反向恢復電荷非常少，故開關速度非常快，開關損耗也特別小，尤其適合於高頻應用。
但是，由於sbd的反向勢壘較薄，並且在其表面極易發生擊穿，所以反向擊穿電壓比較低。由於sbd比pn結二極體更容易受熱擊穿，反向漏電流比pn結二極體大。
8樓：秒懂百科
肖特基二極體：一種熱載流子二極體
9樓：匿名使用者
肖特基二極體以低功耗、反向恢復時間小而得到廣泛的應用。主要引數有：正向電壓vf；反向漏電ir；反向電壓vr；反向恢復時間trr；功耗p；
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更上百層樓 可以。因為肖特基二極體是屬於二極體的一種。肖特基二極體是 金 銀 鋁 鉑等 a為正極，以n型半導體b為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而製成的金屬 半導體器件。因為n型半導體中存在著大量的電子，中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的b中向濃度低的a中擴散。顯然，金屬a中...
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