1樓：
15v6a這個規格的要求也不算高呀，找一種市面上容易找到而又便宜的就行了。
如：51可以驅動大多數to92規裝的三極體，最多的就是8050，9013...（npn）8550，9012（pnp）了，這種三極體c極電流都可以達到100ma以上;
至於開關管用tip41就可以了（100v6a）另外，51可以直接驅動mos管的。irfp40(50v40a)irf150(100v40a)....
2樓：小奇小奇呀
如果你用的是普通51微控制器，建議你用pnp的三極體，因為微控制器灌電流能力比較強，一般可達20ma，而拉電流通常只有幾十微安，所以設計成灌電流比較好，我常用2n5401的pnp三極體。
如果你用的是51的擴充套件微控制器，具有推輓輸出能力，那麼npn和pnp的三極體都是可以的，因為推輓的灌、拉電流能力都可達20ma。比如stc12c5410系列的微控制器，就有推輓輸出模式。
用npn三極體時，為了避免微控制器上電覆位時i/o口為高電平這種情況，你可以在微控制器和三極體之間加一個數字非門，要選用74/54hc系列的coms管，用微控制器低電平驅動三極體即可。希望會對你有所幫助。
3樓：稽巨集
使用irf540/irf9540,**低，驅動電流小，輸出電流大。
三極體和mos管做開關管時，一般怎麼選擇？
4樓：匿名使用者
如果是低頻開關電路，可以選三極體，高頻的要選mos管。三極和一般工作**性區，比如做一些線性電源。mos管就要工作在完全開通狀態。
mos管最關鍵的幾個引數：ds電流、sd之間的耐壓、gs的開啟電壓、輸入電容、導通電阻、熱阻，mos管開通太快容易產生emi干擾，開通過慢又會增加功耗，驅動電路要仔細設計。
三極體最關鍵的幾個引數：放大倍數（要保證飽和導通需求的基極電流）、ce極電流、ce極耐壓、ce開通後的壓降
mos管適合並聯，三極體不行
5樓：匿名使用者
作為電子開關用，mos管內阻比較小，自身發熱量很小，通過電流值可以很大。
三極體內阻比較大，會發熱，電流大了，需要加散熱器不然會燒掉
6樓：三河陳振國
電壓驅動時用mos管，電流驅動時用三極體。
mos管驅動時，考慮開關電流和跨導；
三極體驅動時。考慮開關電流和β值。
7樓：匿名使用者
一般看你電路里面需要流過多大的電流。mos管電流比較大。另外一個就是看**。一般貼片三極體比較便宜。
三極體和mos管做開關管時，一般怎麼選擇？
8樓：立深鑫電子
1.三極體的集電極c和發射極e之間所能承受的最大電壓引數為v(br)ceo，工作時ce之間內的電壓不能超過容規定的數值，否則三極體會永久性損壞，以9013為例vceo為25v，即ce之間最大不能超過25v。
mos管在使用時漏極d和源極s之間也存在最大電壓，mos管在工作時ds兩端的電壓不能超過規定值。一般而言mos管的耐壓值比三極體的耐壓值高很多。
從工作穩定性考慮，一般要留有30%-50%，甚至更多的餘量。
2.最大過電流能力
三極體有icm引數，即集電極的過電流能力，mos管的過電流能力用id來表示。電流工作時流過三極體/mos管的電流不能超過規定值，否則器件被燒壞。
從工作穩定性考慮，一般要留有30%-50%，甚至更多的餘量。
3.工作溫度
任何晶片都有工作溫度這個引數，按照工作溫度一般可以分為三類：
商業級晶片：一般範圍為0至+70℃；
工業級晶片：一般範圍為-40至+85℃；
軍工級晶片：一般範圍為-55℃至+150℃；
要根據產品的使用場合選擇合適的晶片
4.根據開關頻率選擇
三極體和mos管都有開關頻率/響應時間的引數，如果是用在高頻電路中必須考慮開關管的響應時間是否滿足使用條件。
9樓：粘攸閆寒夢
作為電子開關用，mos管內阻比較小，自身發熱量很小，通過電流值可以很大。
三極體內阻比較大，會發熱，電流大了，需要加散熱器不然會燒掉
10樓：鑫焱榮耀
mos管的優點，三極體和mos管的應用場合
三極體和mos管在做開關電源電路設計中如何區別及選用
11樓：悠悠__3瑬
分成npn和pnp兩種。我們僅以npn三極體的共發射極放大電路為例來說明一下三極體放大電路的基本原理。
我們把從基極b流至發射極e的電流叫做基極電流ib;把從集電極c流至發射極e的電流叫做集電極電流 ic。這兩個電流的方向都是流出發射極的，所以發射極e上就用了一個箭頭來表示電流的方向。三極體的放大作用就是：
集電極電流受基極電流的控制(假設電源能夠提供給集電極足夠大的電流的話)，並且基極電流很小的變化，會引起集電極電流很大的變化，且變化滿足一定的比例關係：集電極電流的變化量是基極電流變 化量的β倍，即電流變化被放大了β倍，所以我們把β叫做三極體的放大倍數(β一般遠大於1，例如幾十，幾百)。如果我們將一個變化的小訊號加到基極跟發射極之間，這就會引起基極電流ib的變化，ib的變化被放大後，導致了ic很大的變化。
三極體是電流控制型器件。
mos管是金屬(metal)氧化物(oxid)半導體(semiconductor)場效應電晶體。或者稱是金屬絕緣體(insulator)半導體。mos管的源(source)和漏(drain)是可以對調的，他們都是在p型backgate中形成的n型區。
在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的效能。這樣的器件被認為是對稱的。
當mos電容的柵極(gate)相對於襯底(backgate)正偏置時發生的情況。穿過gate dielectric的電場加強了，有更多的電子從襯底被拉了上來。同時，空穴被排斥出表面。
隨著gate電壓的升高，會出現表面的電子比空穴多的情況。由於過剩的電子，矽表層看上去就像n型矽。摻雜極性的反轉被稱為inversion，反轉的矽層叫做溝道(channel)。
隨著gate電壓的持續不斷升高，越來越多的電子在表面積累，channel變成了強反轉。channel形成時的電壓被稱為閾值電壓vt。當gate和backgate之間的電壓差小於閾值電壓時，不會形成channel。
所以mos是電壓控制型器件。
(1)場效電晶體是電壓控制元件，而電晶體是電流控制元件。在只允許從訊號源取較少電流的情況下，應選用場效電晶體;而在訊號電壓較低，又允許從訊號源取較多電流的條件下，應選用電晶體。
(2)場效電晶體是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而電晶體是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。
(3)有些場效電晶體的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比電晶體好。
(4)場效電晶體能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的製造工藝可以很方便地把很多場效電晶體整合在一塊矽片上，因此場效電晶體在大規模積體電路中得到了廣泛的應用。
(5)場效應電晶體具有較高輸入阻抗和低噪聲等優點，因而也被廣泛應用於開關電源及各種電子裝置中。尤其用場效管做開關電源的功率驅動，可以獲得一般電晶體很難達到的效能。
(6)場效電晶體分成結型和絕緣柵型兩大類，其控制原理都是一樣的。
三極體bjt與場效電晶體fet的區別很多，簡單列出幾條：
1.三極體用電流控制，mos管屬於電壓控制，bjt放大電流，fet將柵極電壓轉換為漏極電流。bjt第一引數是電流放大倍數β值，fet第一引數是跨導gm;
2.驅動能力：mos管常用來電源開關管，以及大電流地方開關電路;
3.成本問題：三極體便宜，mos管貴;
4.bjt線性較差，fet線性較好;
5.bjt噪聲較大，fet噪聲較小;
6.bjt極性只有npn和pnp兩類，fet極性有n溝道、p溝道，還有耗盡型和增強型,所以fet選型和使用都比較複雜;
7.功耗問題：bjt輸入電阻小，消耗電流大，fet輸入電阻很大，幾乎不消耗電流;
實際上就是三極體比較便宜，用起來方便，常用在數位電路開關控制;mos管用於高頻高速電路，大電流場合，以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。
mos管和三極體有什麼區別？
12樓：學雅思
一、主體不同
1、mos管：金屬-氧化物半導體場效應電晶體，簡稱金氧半場效電晶體。
2、三極體：半導體三極體，也稱雙極型電晶體、晶體三極體，是一種控制電流的半導體器件。
二、作用不同
1、mos管：管分為pmos管和nmos管，屬於絕緣柵場效電晶體。
2、三極體：是把微弱訊號放大成幅度值較大的電訊號，也用作無觸點開關。
三、特點不同
1、mos管：mos管的source（源極）和drain（耗盡層）是可以對調的，都是在p型backgate中形成的n型區。
2、三極體：是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的pn結，兩個pn結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有pnp和npn兩種。
13樓：smile灬微光丶
區別：1、載流子：
三極體是雙極型管子，即管子工作時內部由空穴和自由電子兩種載流子參與。
mos管是單極型管子，即管子工作時要麼只有空穴，要麼只有自由電子參與導電，只有一種載流子
2、成本：三極體便宜，mos管貴
3、損耗：三極體損耗大，mos管損耗小
4、驅動能力：mos管常用來電源開關，以及大電流地方開關電路
5、速度：mos管開關速度不高，三極體開關速度高
6、工作性質：三極體用電流控制，mos管屬於電壓控制
7、阻抗：三極體輸入阻抗小，mos管輸入阻抗大。
8、頻率特性：mos管的頻率特性不如三極體。
擴充套件資料
三極體比較便宜，用起來方便，常用在數位電路開關控制。mos管用於高頻高速電路，大電流場合，以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。
mos管不僅可以做開關電路，也可以做模擬放大，因為柵極電壓在一定範圍內的變化會引起源漏間導通電阻的變化。
mos管(場效電晶體)的導通壓降下，導通電阻小，柵極驅動不需要電流，損耗小，驅動電路簡單，自帶保護二極體，熱阻特性好，適合大功率並聯，缺點開關速度不高，比較昂貴。
三極體開關速度高，大型三極體的ic可以做的很大，缺點損耗大，基極驅動電流大，驅動複雜。
一般來說低成本場合，普通應用的先考慮用三極體，不行的話考慮mos管。
14樓：匿名使用者
mos管和三極體有什麼區別如下：
1、控制原理不同
mos管用電壓控制，三極體用電流控制。
2、成本造價不同
mos管造價貴，三極體造價低。
3、功率消耗不同
mos管功耗低，三極體功耗大。
4、驅動能力不同
mos管常用於電源開關以及大電流地方開關電路，三極體常用於電源開關以及小電流地方開關電路。
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