怎樣判別場效電晶體的引腳

時間 2021-12-20 08:07:35

1樓:隔壁小鍋

判別場效電晶體的引腳可以用萬用表識別結型場效電晶體引腳的方法。利用用萬用表識別n或p溝道結型場效電晶體利用g極和s極之間,g極和d極之間為一個pn結的原理。

根據pn結的正、反向電阻相差很大的特點可以分辨出柵極,並且可以分辨出是n溝道還是p溝道的場效電晶體。

場效電晶體用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制id。id流經通路的寬度,即溝道截面積,場效電晶體由pn結反偏的變化,產生耗盡層擴充套件變化控制。

2樓:

(1)用測電阻法判別結型場效電晶體的電極;根據場效電晶體的pn結正、反向電阻值不一樣的現象,可以判別出結型場效電晶體的三個電極。

(2)具體方法:

1、將萬用表撥在r×1k檔上,任選兩個電極,分別測出其正、反向電阻值。

2、當某兩個電極的正、反向電阻值相等,且為幾千歐姆時,則該兩個電極分別是漏極d和源極s。因為對結型場效電晶體而言,漏極和源極可互換,剩下的電極肯定是柵極g。

3、也可以將萬用表的黑表筆(紅表筆也行)任意接觸一個電極,另一隻表筆依次去接觸其餘的兩個電極,測其電阻值。當出現兩次測得的電阻值近似相等時,則黑表筆所接觸的電極為柵極,其餘兩電極分別為漏極和源極。

4、若兩次測出的電阻值均很大,說明是pn結的反向,即都是反向電阻,可以判定是n溝道場效電晶體,且黑表筆接的是柵極;若兩次測出的電阻值均很小,說明是正向pn結,即是正向電阻,判定為p溝道場效電晶體,黑表筆接的也是柵極。

5、若不出現上述情況,可以調換黑、紅表筆按上述方法進行測試,直到判別出柵極為止。

(3)場效應電晶體(field effect transistor縮寫(fet))簡稱場效電晶體。主要有兩種型別(junction fet—jfet)和金屬 - 氧化物半導體場效電晶體(metal-oxide semiconductor fet,簡稱mos-fet)。由多數載流子參與導電,也稱為單極型電晶體。

它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(107~1015ω)、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點,現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。

3樓:修空調的東北爺們

排除法確定模組引腳定義

如何準確的區分mos管的三個管腳,儘量解釋的通俗易懂點。 5

4樓:天蠍神經俠侶

判定柵極g:將萬用表撥至r×1k檔,用萬用表的負極任意接一電極,另一隻表筆依次去接觸其版餘的兩個極權,測其電阻.若兩次測得的電阻值近似相等,則負表筆所接觸的為柵極,另外兩電極為漏極和源極.

漏極和源極互換,若兩次測出的電阻都很大,則為n溝道;若兩次測得的阻值都很小,則為p溝道。

判定源極s、漏極d:在源-漏之間有一個pn結,因此根據pn結正、反向電阻存在差異,可識別s極與d極.用交換表筆法測兩次電阻,其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻,此時黑表筆的是s極,紅表筆接d極。

mos管,即在積體電路中絕緣性場效電晶體。是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應電晶體。或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。

mos管的source和drain是可以對調的,都是在p型backgate中形成的n型區。在多數情況下,這個兩個區是一樣的,即使兩端對調也不會影響器件的效能。這樣的器件被認為是對稱的。

5樓:匿名使用者

用一般指來針表r*10k擋不但能測

源出好壞還能測出大致性bai能但du要注意以下幾點zhi1,有些mos管在d、

daos , g、s二極間接有反向二極體必需加以區別如二極正反向均通則必壞無疑。故能以該法找出s極

2,如表筆接ds二極並極性對應以手指接觸黑表棒及g極可見管子導通當手指離開還可維侍導通數秒(以上抗指n增強型)。

3,如以元珠筆等塑料摩擦頭髮使之帶電靠近g極也有如此反應但切勿接觸以免損壞

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