1樓：綰潯漓醬
p型半導體中加入了諸如硼之類的三價雜質元素，在晶格中，雜質元素頂替了矽原子的位置，其外層的三個價電子，與周圍的矽原子形成共價鍵時留下了一個呈電中性的「空位」，當其他矽原子的外層電子來填補這個空位時，就會在原共價鍵的位置上形成一個空穴，而此時的雜質原子也成為不可移動的負離子。
p型半導體當中自由電子非常少，導電主要依靠這個空穴的「移動」（其實是空穴位置的變化）來實現，因此空穴是多子。
2樓：匿名使用者
舉個例子：半導體矽（si）是4價元素，也就是說它的最外層有4個電子。當摻入硼（b），硼是三價元素，最外層有3個電子。
它們形成共價鍵以後，最外層一共只有7個電子。但是，外層電子有8個位置，意味著尚有一個位置空著。這個位置很容易俘獲電子。
當有外電場後，這些空位不斷地俘虜電子，從而產生了電流。這就是p型半導體中空穴是多數載流子的原因。
另外一種情況：如果在矽中摻入磷（p），因為磷是5價，外層有5個電子。它與矽形成共價鍵後就多出了一個電子。（因為外層8個電子是穩態），這就是n型半導體多數載流子是電子的原因。
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