1樓：陶雪春
很難，中國沒有獨立完整的生產晶片的能力。那些說中國可以生產晶片的人，根本不了解晶片的整個產業鏈。原材料、外延片、晶圓、封裝測試。
就說這幾個製程吧，沒有哪個企業做到了真正的獨立、真正的自主智慧財產權。
2樓：以心
首先，必須要中國的晶片過關，技術質量都能過關，必須在質量過關後才能滿足客戶的需求，其次就是價效比，過高的質量而不考慮**也難以讓客戶滿足。
3樓：匿名使用者
首先中國一定要開發出屬於自己的軟體，這樣才可以用上自己開發的晶片，讓自己開發的晶片用在值得的地方。
4樓：小知04634頭譜
只要中國想那絕對是可以的。我國雖然在智慧手機晶片方面沒有給予太大的重視，但是我們國家完全是具備自主研發高階晶片的實力的，並且已經在個別領域研發出自主高階晶片。比。
5樓：匿名使用者
慢慢來，尊重市場規律。高科技都是很多低端產業升級後整合的產品，所以一倆個行業是折騰不出高科技的。
6樓：任凡文
雖然看似中國出了很多大型高科技企業，如海爾，華為之類的，每年也出口很多的電子產品。但是作為電子控制系統核心的晶片，80%以上都需要進口。
7樓：猴14785扯富
中國要堅持中國智造，而不單單是中國製造。要自主研發晶片，並不斷創新發展。
8樓：裝
中國要用上自己開發的晶片首先要有強大的經濟實力機子要有強大的科技實力，要讓自己的開發的晶片有保障。
9樓：予觀人間百態
中國歷代都是權力爭鬥、勝者為王：沒有人能隱步精功科技前沿、土地長不了先進技術！只要有長期穩定的社會環境才能有智慧者精心打造先進的技術為民服務！各得其所共同生活在世界先進行列中！
10樓：劉笑柳
通用晶片跟os以及網路技術標準一樣，最大的障礙不是技術，而是生態，不相容生態的產品沒有機會生存，而it業的生態是控制在幾個美國大公司手裡。個人覺得可能性不大。
11樓：青羊寶寶
工藝技術先進，效率高就能降低成本。
12樓：網友
中國要集全國之力協同做戰攻堅克難。
中國為何必須自造晶片
13樓：電子科技a導航
要自主研發晶片的原因：提高利潤率、提高掌控度、提高自主程度遲辯絕和安全、提高品牌調性。
1、提高利潤率
不賺錢的企業也不乏長久的，而利潤率低的企業很難快速發展。有了自主晶片可以控制成本降低售價提高競爭力或者提高利潤。
2、提高掌控度
可以解決了驍龍晶片產能不足問題，以小米為例，小米產能不足的原因有一部分就是驍龍晶片不足引起的。另外有了自主晶片對驍龍晶片採購**又有了額外的籌碼，可試著將驍龍晶片的價採購**壓低。
3、提高自主程度和安全
從國家與技術的角度來說自主創新。與研發是不可或缺的。例如：
在龍芯沒有生產出來之前，中國計算機的晶片都是國外品牌，當自主研發的龍芯面世之後，國家的安全機構不會選擇國外的晶片，只有自己生產的才是最安全的。
4、提高品牌調性
手機行業如今已經發展到一個相對平穩的階段，但對於手機來說，處理器晶片仍然是碼姿核心技術，能夠掌握這項核心技術也是形成品牌競爭力的一個重要因素。
趨勢對策
1、引領資本，吸納高階人才。
積體電路行業面臨著針對人才要求高，但是相關待遇不匹配的窘境，加上積體電路行業產品週期長，這讓很多高階人才投身到了網際網路軟體行業。只有通過正確的價值引導，吸引更多的市場資本，提高相關崗位的價值匹配，才能夠打造一個複合技術團隊。
2、重視研發，持續投入。
立足全球，英特爾等行業巨頭動輒數百億美金的研發投入。而中國積體電路行業大多都是中小企業，資本和**投入資金不足以支撐產品迭代。研發作為高科技產業的核心動力，只有得到持續的資金投入，較為寬鬆的發揮空間，才能夠激發研發團隊的靈感，創造出更契合市場需求的產品。
3、立足全球化灶伏，面向市場化。
中國積體電路產業的發展必須具備全球化的視角，也需要全球化的合作，開放與合作是未來的主流。同時，中國積體電路行業雖然需要國家政策和資金的扶持，但是沒有充分的市場競爭，忽視市場真正的需求，無視資本市場資金關注的要素，一味的閉門造車也是很不可取的。
晶片是如何製造的
14樓：乾萊資訊諮詢
晶片是怎麼製作出來的如下：
一、晶片設計。
晶片屬於體積小，但高精密度極大的產品。想要製作晶片，設計是第一環節。設計需要藉助eda工具和一些ip核，最終製成加工所需要的晶片設計藍圖。
二、沙矽分離。
所有的半導體工藝都是從一粒沙子開始的。因為沙子中蘊含的矽是生產晶片“地基”矽晶圓所需要的原材料。所以我們第一步，就是要將沙子中的矽分離出來。
三、矽提純。
在將矽分離出來後，其餘的材料廢棄不用。將矽經過多個步驟提純，已達到符合半導體製造的質量，這就是所謂的電子級矽。
四、將矽鑄錠。
提純之後，要將矽鑄成矽錠。一個被鑄成錠後的電子級矽的單晶體，重量大約為1千克，矽的純度達到了。
五、晶圓加工。矽錠鑄好後，要將整個矽錠切成一片一片的圓盤，也就是我們俗稱的晶圓，它是非常薄的。隨後，晶圓就要進行拋光，直至完美，表面如鏡面一樣光滑。
矽晶圓的直徑常見的有8英寸（2mm）和12英寸（3mm），直徑越大，最終單個晶片成本越低，但加工難度越高。
六、光刻。首先在晶圓上敷塗上三層材料。第一層是氧化矽，第二層是氮化矽，最後一層是光刻膠。
再將設計完成的包含數十億個電路元件的晶片藍圖製作成掩膜，掩膜可以理解為一種特殊的投影底片，包含了晶片設計藍圖，下一步就是將藍圖轉印到晶圓上。這一步對光刻機有著極高的要求。紫外線會透過掩膜照射到矽晶圓上的光刻膠上，光刻過程中**在紫外線下的光刻膠被溶解掉，清除後留下的圖案和掩膜上的一致。
用化學物質溶解掉暴露出來的晶圓部分，剩下的光刻膠保護著不應該蝕刻的部分。蝕刻完成後，清除全部光刻膠，露出一個個凹槽。
七、蝕刻與離子注入。首先要腐蝕掉暴露在光刻膠外的氧化矽和氮化矽，並沉澱一層二氧化矽，使電晶體之間絕緣，然後利用蝕刻技術使最底層的矽暴露出來。然後把硼或磷注入到矽結構中，接著填充銅，以便和其他電晶體互連，然後可以在上面再塗一層膠，再做一層結構。
一般一個晶片包含幾十層結構，就像密集交織的高速公路。
經過上述流程，我們就得到了佈滿晶片的矽晶圓。之後用精細的切割器將晶片從晶圓上切下來，焊接到基片上，裝殼密封。之後經過最後的測試環節，一塊塊晶片就做好了。
15樓：一蓮愛教育
沙子，是製造晶片最基本的材料，而脫氧後的沙子，是半導體製造產業的基礎。通過多步淨化得到可用於半導體製造質量的矽，學名電子級矽（egs），最後得到的就是矽錠（ingot）。
矽錠切割橫向切割成圓形的單個矽片，也就是我們常說的晶圓（wafer）。塗上光刻膠，必須保證光刻膠非常平非常平。然後進行光刻，這一步需要的技術水平非常高（目前中國自己的光刻機只有90nm的製程，而國外先進的可以做到7nm。，光刻膠層隨後透過掩模（mask）被**在紫外線（uv）之下。
先溶解光刻膠，光刻過程中**在紫外線下的光刻膠被溶解掉，清除後留下的圖案和掩模上的一致再進行蝕刻，使用化學物質溶解暴露出來的晶圓，剩下的光刻膠保護著不應該蝕刻的部分。
離子注入：在真空中，用經過加速的原子、離子照射（注入）固體材料，使被注入的區域形成特殊的注入層，改變區域的矽的導電性。
電鍍：在晶圓上電鍍一層硫酸銅，把銅離子沉澱到電晶體上。銅離子會從正極走向負極。電鍍完成之後，銅離子沉積在晶圓表面，形成薄薄的銅層。
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