什麼是 晶體開始長大 ,什麼是晶體生長方向?

時間 2021-06-03 01:13:30

1樓:

晶體生成的一般過程是先生成晶核,而後再逐漸長大。一般認為晶體從液相或氣相中的生長有三個階段:①介質達到過飽和、過冷卻階段;②成核階段;②生長階段。

在某種介質體系中,過飽和、過冷卻狀態的出現,並不意味著整個體系的同時結晶。體系內各處首先出現瞬時的微細結晶粒子。這時由於溫度或濃度的區域性變化,外部撞擊,或一些雜質粒子的影響,都會導致體系中出現區域性過飽和度、過冷卻度較高的區域,使結晶粒子的大小達到臨界值以上。

這種形成結晶微粒子的作用稱之為成核作用。

介質體系內的質點同時進入不穩定狀態形成新相,稱為均勻成核作用。

在體系內的某些區域性小區首先形成新相的核,稱為不均勻成核作用。

均勻成核是指在一個體系內,各處的成核幾宰相等,這要克服相當大的表面能位壘,即需要相當大的過冷卻度才能成核。

非均勻成核過程是由於體系中已經存在某種不均勻性,例如懸浮的雜質微粒,容器壁上凹凸不平等,它們都有效地降低了表面能成核時的位壘,優先在這些具有不均勻性的地點形成晶核。因之在過冷卻度很小時亦能區域性地成核。

在單位時間內,單位體積中所形成的核的數目稱成核速度。它決定於物質的過飽和度或過冷卻度。過飽和度和過冷卻度越高,成核速度越大。

成核速度還與介質的粘度有關,輪度大會阻礙物質的擴散,降低成核速度. 晶核形成後,將進一步成長。

2樓:匿名使用者

這是一個實驗把。。。

就是開始放到飽和溶液裡的原始晶體隨著飽和溶液中水的蒸發,飽和溶液處於過飽和狀態,晶體不斷地析出,而且晶體是在晶核上析出,以致晶體越來越大,就叫晶體開始長大。。。是這樣的吧...

晶粒長大的具體定義是什麼?

3樓:匿名使用者

這是一個材料熱處bai理問題嗎?du

晶粒長大

zhi的驅動力是晶界dao能的下降,即長大前後的介面專能差值。屬 定義:指晶體中有許多晶粒獲得長大條件,晶粒的長大是連續地,均勻地進行,晶粒長大過程中晶粒的尺寸是比較均勻的,晶粒平均尺寸的增大也是連續的。

2.晶粒長大的方式(1)彎曲的晶界總是趨向於平直化,即向曲率中心移動以減少介面積,同時,大角度晶界的遷移率總是大於小角 度晶界的遷移率。度晶界的遷移率。

當晶界為三維空間的任意曲面時,作用在單位介面上的力p為:p:晶界遷移的驅動力 :

晶界單位面積 的介面能 r1、r2:曲面的兩個主曲率半徑如果空間曲面為球面時,r1=r2 , 即:晶界遷移的驅動力與其曲率半徑r成反比,與介面能成正比。

(2)晶界總是向角度較銳的晶粒方向移動, 力圖使三個夾角都等於120度

什麼是晶體生長方向?

4樓:匿名使用者

你說的是晶向指數,晶向指數的確定步驟如下:

(1)以晶胞的三個稜邊為座標軸x\y\z,以稜邊為長度作為座標軸的長度單位;

(2)從座標軸原點引一有向直線平等於待定晶向;

(3)在所引有向直線 上任取一點,求出該點在x\y\z軸上的座標值;

(4)將三個座標值按比例化為最小簡單整數,依次寫入方括號[ ]中,即得所求的晶向指數.

5樓:匿名使用者

晶體在不同方向上的原子排列情況不同,它們之間的作用力有差異,晶體在長大過程中,沿不同晶向接受原子的能力是不同的,也就是說可以在某些晶向優先長大,這就是為什麼金屬晶體一般以樹枝狀方式長大的原因.這些優先長大的方向可以分為一次晶軸\二次晶軸等,具體晶向與晶格型別有關係.比如面心立方的晶軸位向是<100>;體心正方是<100>;體心立方是<110>.

為什麼晶體會生長??

晶體如何具體生長

6樓:小雪

你說的是晶向指數,晶向指數的確定步驟如下:

(1)以晶胞的三個稜邊為座標軸x\y\z,以稜邊為長度作為座標軸的長度單位;

(2)從座標軸原點引一有向直線平等於待定晶向;

(3)在所引有向直線 上任取一點,求出該點在x\y\z軸上的座標值;

(4)將三個座標值按比例化為最小簡單整數,依次寫入方括號[ ]中,即得所求的晶向指數.

晶體的生長方式有哪幾種? 5

7樓:匿名使用者

晶體生長方式和速率與介面結構是密切相關的,按介面結構不同可將晶體生長方式分為

1、完整光滑面的生長(二維晶核生長)

2、非完整光滑面的生長--(1)借螺位錯長大、(2)孿晶生長的機制3、粗糙介面的生長

8樓:詩景郜元白

你好!立方

正交單斜

三斜如有疑問,請追問。

9樓:引路人

立方 正交 單斜 三斜

什麼是晶體,什麼叫晶體?什麼叫非晶體?請舉例子說明

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