1樓：匿名使用者
霍爾效應是指當固體導體有電流通過，且放置在一個磁場內，導體內的電荷載子受到洛倫茲力而偏向一邊，繼而產生電壓。電場力會平衡洛倫茲力。
電流是由許多移動中的電荷載子（通常為電子）組成。在垂直方向的磁場，會令電子受洛倫茲力。電子的軌跡是曲的。這使得導體的電荷密度不平均，因此產生了一個電壓，稱為霍爾電壓。
量度導體兩邊的電壓，可以測得磁場的強度。
電流是由許多移動中的電荷載子（通常為電子）組成。在垂直方向的磁場，會令電子受洛倫茲力。電子的軌跡是曲的。這使得導體的電荷密度不平均，因此產生了一個電壓，稱為霍爾電壓。
量度導體兩邊的電壓，可以測得磁場的強度。
方便起見，假設導體為一個長方體，長度分別為a,b,d，磁場垂直ab平面。電流經過ad，電流i = nqv(ad)，n為電荷密度。設霍爾電壓為vh，導體沿霍爾電壓方向的電場為vh / a。
設磁場強度為b。
qvh / a = qvb
vh / a = bi / (nqad)
vh = bi / (nqd)
2樓：士秀珍叢琴
實驗的方法是通過霍爾效應法測量交變的磁場，直流的也可以測量。
霍爾效應法用半導體材料構成霍爾片作為感測元件，把磁訊號轉換成電訊號，最終測出磁場中各點的磁感應強度。
怎樣利用霍爾效應測量交變電場?急!
3樓：匿名使用者
霍爾效應裝置如圖2.3.1-1和圖2.3.1-2所示。將一個半導體薄片放在垂直於它的磁場中(b的方向
沿z軸方向)，當沿y方向的電極a、a』上施加電流i時，薄片內定向移動的載流子(設平均速率為u)受到洛倫茲力fb的作用，
fb= q u b (1)
無論載流子是負電荷還是正電荷，fb的方向均沿著x方向，在磁力的作用下，載流子發生偏移，產生電荷積累，從而在薄片b、b』兩側產生一個電位差vbb』,形成一個電場e。電場使載流子又受到一個與fb方向相反的電場力fe，
fe＝q e = q vbb』 / b (2)
其中b為薄片寬度，fe隨著電荷累積而增大，當達到穩定狀態時fe＝fb，即
q ub = q vbb』 / b (3)
這時在b、b』兩側建立的電場稱為霍爾電場，相應的電壓稱為霍爾電壓，電極b、b』稱為霍爾電極。
另一方面，射載流子濃度為n,薄片厚度為d,則電流強度i與u的關係為：
(4)由(3)和(4)可得到
(5)另,則
(6)r稱為霍爾係數，它體現了材料的霍爾效應大小。根據霍爾效應制作的元件稱為霍爾元件。
在應用中，(6)常以如下形式出現：
(7)式中稱為霍爾元件靈敏度，i稱為控制電流。
由式(7)可見，若i、kh已知，只要測出霍爾電壓vbb』，即可算出磁場b的大小；並且若知載流子型別(n型半導體多數載流子為電子，p型半導體多數載流子為空穴),則由vbb』的正負可測出磁場方向，反之，若已知磁場方向，則可判斷載流子型別。
由於霍爾效應建立所需時間很短(10-12~10-14s),因此霍爾元件使用交流電或者直流電都可。指示交流電時，得到的霍爾電壓也是交變的，(7)中的i和vbb』應理解為有效值。
n 霍爾效應實驗中的付效應
在實際應用中，伴隨霍爾效應經常存在其他效應。例如實際中載流子遷移速率u服從統計分佈規律，速度小的載流子受到的洛倫茲力小於霍爾電場作用力，向霍爾電場作用力方向偏轉，速度大的載流子受到磁場作用力大於霍爾電場作用力，向洛倫茲力方向偏轉。這樣使得一側告訴載流子較多，相當於溫度較高，而另一側低速載流子較多，相當於溫度較低。
這種橫向溫差就是溫差電動勢ve，這種現象稱為愛延豪森效應。這種效應建立需要一定時間，如果採用直流電測量時會因此而給霍爾電壓測量帶來誤差，如果採用交流電，則由於交流變化快使得愛延豪森效應來不及建立，可以減小測量誤差。
此外，在使用霍爾元件時還存在不等位電動勢引起的誤差，這是因為霍爾電極b、b』不可能絕對對稱焊在霍爾片兩側產生的。由於目前生產工藝水平較高，不等位電動勢很小，故一般可以忽略，也可以用一個電位器加以平衡(圖2.3.
1-1中電位器r1)。
我們可以通過改變is和磁場b的方向消除大多數付效應。具體說在規定電流和磁場正反方向後，分別測量下列四組不同方向的is和b組合的vbb』,即
＋b， +i
vbb』=v1
-b， +i
vbb』=-v2
-b， -i
vbb』=v3
＋b， -i
vbb』=-v4
然後利用得到霍爾電壓平均值，這樣雖然不能消除所有的付效應，但其引入的誤差不大，可以忽略不計。
電導率測量方法如下圖所示。設b』c間距離為l，樣品橫截面積為s=bd，流經樣品電流為is，在零磁場下，測得b』c間電壓為vb』c,則
4樓：匿名使用者
霍爾效應是指當施加的外磁場垂直於半導體中流過的電流時，會在半導體垂直於磁場和電流的方向上產生霍爾電動勢
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5樓：捷秀利
霍爾效應裝置如圖2.3.1-1和圖2.
3.1-2所示。將一個半導體薄片放在垂直於它的磁場中(b的方向沿z軸方向)，當沿y方向的電極a、a』上施加電流i時，薄片內定向移動的載流子(設平均速率為u)受到洛倫茲力fb的作用， fb= q u b (1) 無論載流子是負電荷還是正電荷，fb的方向均沿著x方向，在磁力的作用下，載流子發生偏移，產生電荷積累，從而在薄片b、b』兩側產生一個電位差vbb』,形成一個電場e。
電場使載流子又受到一個與fb方向相反的電場力fe， fe＝q e = q vbb』 / b (2) 其中b為薄片寬度，fe隨著電荷累積而增大，當達到穩定狀態時fe＝fb，即 q ub = q vbb』 / b (3) 這時在b、b』兩側建立的電場稱為霍爾電場，相應的電壓稱為霍爾電壓，電極b、b』稱為霍爾電極。 另一方面，射載流子濃度為n,薄片厚度為d,則電流強度i與u的關係為： (4) 由(3)和(4)可得到 (5) 另,則 (6) r稱為霍爾係數，它體現了材料的霍爾效應大小。
根據霍爾效應制作的元件稱為霍爾元件。 在應用中，(6)常以如下形式出現： (7) 式中稱為霍爾元件靈敏度，i稱為控制電流。
由式(7)可見，若i、kh已知，只要測出霍爾電壓vbb』，即可算出磁場b的大小；並且若知載流子型別(n型半導體多數載流子為電子，p型半導體多數載流子為空穴),則由vbb』的正負可測出磁場方向，反之，若已知磁場方向，則可判斷載流子型別。 由於霍爾效應建立所需時間很短(10-12~10-14s),因此霍爾元件使用交流電或者直流電都可。指示交流電時，得到的霍爾電壓也是交變的，(7)中的i和vbb』應理解為有效值。
n 霍爾效應實驗中的付效應 在實際應用中，伴隨霍爾效應經常存在其他效應。例如實際中載流子遷移速率u服從統計分佈規律，速度小的載流子受到的洛倫茲力小於霍爾電場作用力，向霍爾電場作用力方向偏轉，速度大的載流子受到磁場作用力大於霍爾電場作用力，向洛倫茲力方向偏轉。這樣使得一側告訴載流子較多，相當於溫度較高，而另一側低速載流子較多，相當於溫度較低。
這種橫向溫差就是溫差電動勢ve，這種現象稱為愛延豪森效應。這種效應建立需要一定時間，如果採用直流電測量時會因此而給霍爾電壓測量帶來誤差，如果採用交流電，則由於交流變化快使得愛延豪森效應來不及建立，可以減小測量誤差。 此外，在使用霍爾元件時還存在不等位電動勢引起的誤差，這是因為霍爾電極b、b』不可能絕對對稱焊在霍爾片兩側產生的。
由於目前生產工藝水平較高，不等位電動勢很小，故一般可以忽略，也可以用一個電位器加以平衡(圖2.3.1-1中電位器r1)。
我們可以通過改變is和磁場b的方向消除大多數付效應。具體說在規定電流和磁場正反方向後，分別測量下列四組不同方向的is和b組合的vbb』,即 ＋b， +i vbb』=v1 -b， +i vbb』=-v2 -b， -i vbb』=v3 ＋b， -i vbb』=-v4 然後利用得到霍爾電壓平均值，這樣雖然不能消除所有的付效應，但其引入的誤差不大，可以忽略不計。 電導率測量方法如下圖所示。
設b』c間距離為l，樣品橫截面積為s=bd，流經樣品電流為is，在零磁場下，測得b』c間電壓為vb』c,則
6樓：左以兜
霍爾效應是指當施加的外磁場垂直於半導體中流過的電流時，會在半導體垂直於磁場和電流的方向上產生霍爾電動勢
7樓：小雷帶你漲知識
霍爾效應法測量磁場，這效果看著太驚豔了
霍爾片上若通交流電，則電動勢怎麼測？能否用霍爾效應測交變磁場？
8樓：anyway中國
你說bai的霍爾片一般稱霍爾du
元件或者霍爾感測器zhi，霍爾元件包括開關霍爾和線dao性霍爾。版
線性霍爾元件可用於測量權交變磁場。
霍爾元件工作電流為直流電流，但是，霍爾元件可以用於測量交變磁場。
霍爾元件用於檢測交變磁場，霍爾元件輸出交流電動勢，交變電動勢可採用峰值檢波電路、均值檢波電路、真有效值轉換等電路轉變為直流電壓之後測量，也可採用交流數字取樣技術直接取樣，通過數字運算獲取交變電動勢的有效值、頻率等等。
9樓：匿名使用者
電動勢還是脈衝法測量呀。可以應用霍爾效應來測的。如果您覺得正確或者採納的話，麻煩給我好評哦，謝謝。
在霍爾效應實驗中,能否用霍爾元件測量交變磁場?
10樓：happy新視野
可以，不過可能在做實驗時比較困難。交變電流產生交變磁場，那麼霍爾電勢的正負就是變化的。副效應的影響也不同。
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