1樓：匿名使用者
1）iceo是當基極b開路時，在ce端接正向電壓所得一恆定（當溫度一定）電流，名曰穿透電流。
2）lcbo是當發射極開路，cb端接反向電壓所得恆定（當溫度一定）電流，名曰集電結反偏電流。
3）lceo產生原因：當vce為正電壓，電勢主要加在集電結上，這使得集電結反向偏置，從而會在集電結兩端產生漂移電荷qcb，飄移電荷漂移至基區使得基區電勢提升。當電荷積累到一定程度，會使得發射結正向偏置電壓高到足以導通發射結，此時發射區電子擴散至基區，（基區的部分空穴擴散至發射極在此忽略，不忽略也不影響最終關係）少部分電子與空穴複合，而大部分電子飄移至極電區，它們兩之間的數量比近似為1：
β。則有βqcb的電子穿越集電結。設這一過程用時為t
則iceo=（1+β）qcb/t，而飄移速率qcb/t基本恆定，且等於lcbo。
所以lceo=(1+β)lcbo
2樓：匿名使用者
ic=iceo稱為穿透電流，常溫時iceo約為幾微安，鍺管約為幾十微安至幾百微安，它與集電極反向電流icbo的關係是： icbo=(1+β)icbo
三極體中的icbo和iceo是什麼？什麼事反向電流？求詳細。 5
3樓：
icbo：發射極開路，集電極和基極正向額定電流！
iceo：基極開路，集電極和發射極正向額定電流！
反向電流是指電晶體在截止狀態下反方向漏電電流！
4樓：妄了想起
icbo集電結反向飽和電流，iceo集電極發射極反向飽和電流。要想詳細的瞭解還是多看幾遍模電書吧。
三極體中的穿透電流即iceo是怎樣產生的？產生的原因是什麼？
5樓：hh啊
穿透電流就是指三管極b極開路時（即ib=0）,ic並不等於0，c-e兩極間的漏電流iceo。這個電流主要是由三極體的少子（一般少數載流子簡稱少子）產生的。由於雙極型三極體的i是由電子和空穴兩種載流子產生的。
由於少子數量受溫度、輻射影響較大，故雙極型三極體有穿透電流這個指標。三極體手冊中的iceo就是指穿透電流。對於矽管來說，其iceo大小一般都在na級，可以忽略不計。
對於鍺管，iceo一般較大，可達μa級
6樓：匿名使用者
穿透電流是晶體三極體基極未加正向偏壓或開路時 流過集電極-發射極的電流與電晶體的反向電阻和溫度有關 稱作iceo .
而且,晶體三極體的穿透電流的大小隨溫度的升高而升高.
通過測試iceo的大小，就可以判斷出三極體***壞。iceo大的管子電流損耗大，溫度易升高，工作不穩定。iceo越小越好。
在常溫下，小功率鍺管的iceo一般在幾百微安以下，小工率矽管在幾微安以下。
三極體的iceo大，說明改三極體的什麼？
7樓：創意電子diy分享
iceo就是三極體的穿透電流，此電流是由三極體內部少數載流子產生的，這個少數載流子受溫度影響很大，會隨著溫度升高而劇增，故三極體的iceo越大，管子的熱穩定性就越差。
三極體的iceo為什麼可以判斷三極體質量？
8樓：匿名使用者
iceo=是指集電極發射極反向電流（又叫穿透電流
）。通過測試集射反向電流回的大小，就可以判答斷出三極體***壞。iceo大的管子電流損耗大，溫度易升高，工作不穩定。
iceo越小越好。在常溫下，小功率鍺管的iceo一般在幾百微安以下，小工率矽管在幾微安以下。
9樓：匿名使用者
三極體的
來iceo是在基極沒有注源入的情況下的bai電流。這是穿透電流，
du嚴格地說這是漏電zhi流，三極體dao的***壞最重要的是pn結***壞。工藝質量不高，最突出的表現就是pn結有漏電流。漏電流大三極體的iceo就大。
所以三極體的iceo大小就反映了三極體質量的好壞。
關於三極體iceo的問題。
10樓：匿名使用者
icbo的存在是因為來bc間的pn結在反偏時存在著源
漏電（可以把它看bai成在理想的三du
極管的zhib、c之間接了一個電阻）dao。在右圖電路中三極體所加偏壓滿足放大狀態的條件（bc間的pn結仍是反偏，同時be之間通過這個「電阻」正偏），icbo全部流入三極體基極，經過三極體放大產生iceo。
11樓：匿名使用者
哇，果然是理科的東西，看不懂
6822是什麼三極體，6822三極體是什麼管的
無語翹楚 npn三極體 0.8a 600v 代換型號 13001 13002 npn型三極體，由三塊半導體構成，其中兩塊n型和一塊p型半導體組成，p型半導體在中間，兩塊n型半導體在兩側。三極體是電子電路中最重要的器件，它最主要的功能是電流 放大和開關作用。半導體三極體也稱為晶體三極體，可以說它是電子...
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