1樓：匿名使用者
可控矽通過的是數字裝置：
電壓低電流低
速度快封裝小
固態繼電器是功率裝置：
電壓高電流高
速度慢封裝大
2樓：匿名使用者
1、效能特點：
光耦可控矽：電壓低，電流低，速度快，封裝小。
固態繼電器：電壓高，電流高，速度慢，封裝大。
2、工作原理：
可控矽是p1n1p2n2四層三端結構元件，共有三個pn結，分析原理時，可以把它看作由一個pnp管和一個npn管所組成。
當陽極a加上正向電壓時，bg1和bg2管均處於放大狀態。此時，如果從控制極g輸入一個正向觸發訊號，bg2便有基流ib2流過，經bg2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為bg2的集電極直接與bg1的基極相連，所以ib1=ic2。
此時，電流ic2再經bg1放大，於是bg1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到bg2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向反饋迴圈的結果，兩個管子的電流劇增，可控矽使飽和導通。
由於bg1和bg2所構成的正反饋作用，所以一旦可控矽導通後，即使控制極g的電流消失了，可控矽仍然能夠維持導通狀態，由於觸發訊號只起觸發作用，沒有關斷功能，所以這種可控矽是不可關斷的。
由於可控矽只有導通和關斷兩種工作狀態，所以它具有開關特性，這種特性需要一定的條件才能轉化。
狀態說明
從關斷到導通
1、陽極電位高於是陰極電位
2、控制極有足夠的正向電壓和電流
兩者缺一不可
維持導通
1、陽極電位高於陰極電位
2、陽極電流大於維持電流
兩者缺一不可
從導通到關
1、陽極電位低於陰極電位
2、陽極電流小於維持電流
任一條件即可
3、基本伏安特性
（1）反向特性
當控制極開路，陽極加上反向電壓時，j2結正偏，但j1、j2結反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流，當電壓進一步提高到j1結的雪崩擊穿電壓後，接差j3結也擊穿，電流迅速增加，特性發生了彎曲，彎曲處的電壓uro叫「反向轉折電壓」。此時，可控矽會發生永久性反向擊穿。
（2）正向特性
當控制極開路，陽極上加上正向電壓時，j1、j3結正偏，但j2結反偏，這與普通pn結的反向特性相似，也只能流過很小電流，這叫正向阻斷狀態，當電壓增加，特性發生了彎曲，彎曲處的是ubo叫，正向轉折電壓
陽極加正向電壓
由於電壓升高到j2結的雪崩擊穿電壓後，j2結髮生雪崩倍增效應，在結區產生大量的電子和空穴，電子時入n1區，空穴時入p2區。進入n1區的電子與由p1區通過j1結注入n1區的空穴複合，同樣，進入p2區的空穴與由n2區通過j3結注入p2區的電子複合，雪崩擊穿，進入n1區的電子與進入p2區的空穴各自不能全部複合掉，這樣，在n1區就有電子積累，在p2區就有空穴積累，結果使p2區的電位升高，n1區的電位下降，j2結變成正偏，只要電流稍增加，電壓便迅速下降，出現所謂負阻特性。
這時j1、j2、j3三個結均處於正偏，可控矽便進入正向導電狀態---通態，此時，它的特性與普通的pn結正向特性相似
4、觸發導通
在控制極g上加入正向電壓時因j3正偏，p2區的空穴時入n2區，n2區的電子進入p2區，形成觸發電流igt。在可控矽的內部正反饋作用的基礎上，加上igt的作用，使可控矽提前導通，導致伏安特性oa段左移，igt越大，特性左移越快。
3樓：周毅興
固態繼電器裡的器件就是光耦加可控矽
可控矽是不是可以調壓，那可控矽是直流控制交流嗎
表控科技控制器 1 可控矽可以調壓。2 可控矽可以用在交流電路中，也可以用在直流電路中。用於直流電路時最好使用直流下可關斷可控矽，可控矽主迴路的在導通情況下關斷時，要滿足主迴路電流小於其維持電流的條件才能被關斷，一般可控矽的維持電流在幾毫安 幾十毫安範圍內。控制交流電路時，由於交流電流有過零時刻，可...
三極體與可控矽怎麼區分，可控矽和三極體有什麼區別
先假設三極體的某極為 基極 將黑表筆接在假設基極上,再將紅表筆依次接到其餘兩個電極上,若兩次測得的電阻都大 約幾k到幾十k 或者都小 幾百至幾k 對換表筆重複上述測量,若測得兩個阻值相反 都很小或都很大 則可確定假設的基極是正確的,否則另假設一極為 基極 重複上述測試,以確定基極.當基極確定後,將黑...
可控矽三極體怎麼區別啊，三極體與可控矽怎麼區分？
阿牛哥歡迎你 樓上回答好詳細咯。用萬用表測量時，三極體可以測量到兩個pn結，即有個腳 基極 與其他兩個腳 發射極，集電極 會正向導通，反正截止。而可控矽沒有。 scr可控矽 就是兩個三極體，這下可以看懂了吧 就是三極體的導通和截止。 三極體工作原理 當發射極和集電極之間的電壓處於在放大區內時，較小的...