光電繼電器與固態繼電器的區別,電磁繼電器和固態繼電器有什麼區別啊?

時間 2021-08-30 12:18:37

1樓:先進光半導體

固態繼電器採用的是電子開關(可控矽或者閘流體),通過半導體器件控制電路開合。無接觸點,不產生火花。適合於粉塵和工作頻率高的場所。

缺點是隻有一組觸頭,過載能力差,不能流過超出額定電流的電流,否則會擊穿電子開關,導致報廢。

先進光半導體-光耦合器

固態繼電器與光電耦合器的原理很接近,不過內部差距蠻大,固態繼電器一般是用於小訊號控制大電壓大電流的,光電耦合器主要是小訊號的傳輸,大訊號能力相當有限,不過光電耦合器的工作頻率可以達到很高,而固態繼電器頻率要差很多。

光電繼電器 是通過光 觸發繼電器動作的繼電器,固態繼電器是繼電器裡面一大堆電子元器件和功率元件,代替了傳統的電磁鐵和觸點的接觸機械部分了,壽命長,穩定;而光繼電器和固態繼電器最大的區別就在於觸發方式,光電的低壓端和高壓端可以是完全分離的,低壓端可以用乾電池,高壓端理論上可以隨便使用多高的電壓,中間通過光觸發,不接觸,就沒有了高壓對低壓的訊號的干擾。而固態繼電器,高壓,低壓端是需要共地的,這就帶來了訊號的干擾。

先進光半導體光耦優勢替代

2樓:瀋陽萬通汽車學校

光電繼電器 是通過光 觸發繼電器動作的繼電器,固態繼電器是繼電器裡面一大堆電子元器件和功率元件,代替了傳統的電磁鐵和觸點的接觸機械部分了,壽命長,穩定;而光繼電器和固態繼電器最大的區別就在於觸發方式,光電的低壓端和高壓端可以是完全分離的,低壓端可以用乾電池,高壓端理論上可以隨便使用多高的電壓,中間通過光觸發,不接觸,就沒有了高壓對低壓的訊號的干擾。而固態繼電器,高壓,低壓端是需要共地的,這就帶來了訊號的干擾。

電磁繼電器和固態繼電器有什麼區別啊?

3樓:蓬初蝶進聽

總的來說還是固態繼電器好,電磁繼電器是有觸點而固態繼電器是無觸點,電磁繼電器抗干擾能力差,容易誤觸發。固態繼電器常用的型號有ssr-d4825a,

ssr-3d4825a等。

4樓:匿名使用者

電磁繼電器得電時:1 不能實現電路高頻快速通斷 2 有噪音3 有電火花4有電磁干擾5觸點易氧化6使用壽命較短

而固態繼電器都沒有上述缺點,唯一的缺點是:固態繼電器觸點組數少,沒有交流電控制直流電的!

5樓:匿名使用者

主要區別舉3條

前者,屬於有觸點的,由電磁鐵控制的多點控制開關。分有電磁鐵通電後接通的觸點[名稱:常開觸點],還有通電前閉合的觸點[名稱:常閉觸點。電磁鐵通電後斷開]。

後者,屬於無觸點開關。採用閘流體、可控矽、大功率電晶體做開關元件。

前者,具有物理阻斷功能,斷電後,被控制的裝置可以完全脫離電源。

後者,不具備物理阻斷功能,斷電後,被控制的裝置還掛在電網上。

前者,耐受過電壓,過電流的本事大於或遠遠大於後者

6樓:匿名使用者

1.電磁繼電器,是使用線圈通過直流或交流電,產生磁場,吸合或斷開觸點,達到開關的目的。

固態繼電器,是使用光耦隔離或變壓器隔離驅動後部可控矽或igbt等功率半導體器件,達到開關的目的。

2。繼電器要求的基本功能是控制端與輸出端隔離,控制端一般是小電流低電壓,具體要求要根據各種繼電器的使用環境。

固態繼電器 光耦 區別

7樓:瀟湘客

原理相似,結構不同,所控制的電壓、電流值不一樣。固態繼電器可以簡單地看作由光耦和功率器件串接而成。

8樓:先進光半導體

固態繼電器和光耦是兩種產品,先進光半導體(南方先進電子)。

南方先進電子

先進光半導體

9樓:匿名使用者

光耦在固態繼電器中作為隔離驅動元件,沒有原理的直接比較性。

10樓:專業流浪二十年

光耦以光訊號為媒介來實現電訊號的耦合與傳遞,輸入與輸出在電氣上完全隔離,具有抗干擾效能強的特點。

固態繼電器是一種兩個接線端為輸入端,另兩個接線端為輸出端的四端器件,中間採用隔離器件實現輸入輸出的電隔離。固態繼電器的輸入端用微小的控制訊號,達到直接驅動大電流負載。

嚴格來說,原理不一樣。

光耦可控矽與固態繼電器有何區別?

11樓:匿名使用者

可控矽通過的是數字裝置:

電壓低電流低

速度快封裝小

固態繼電器是功率裝置:

電壓高電流高

速度慢封裝大

12樓:匿名使用者

1、效能特點:

光耦可控矽:電壓低,電流低,速度快,封裝小。

固態繼電器:電壓高,電流高,速度慢,封裝大。

2、工作原理:

可控矽是p1n1p2n2四層三端結構元件,共有三個pn結,分析原理時,可以把它看作由一個pnp管和一個npn管所組成。

當陽極a加上正向電壓時,bg1和bg2管均處於放大狀態。此時,如果從控制極g輸入一個正向觸發訊號,bg2便有基流ib2流過,經bg2放大,其集電極電流ic2=β2ib2。因為bg2的集電極直接與bg1的基極相連,所以ib1=ic2。

此時,電流ic2再經bg1放大,於是bg1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到bg2的基極,表成正反饋,使ib2不斷增大,如此正向反饋迴圈的結果,兩個管子的電流劇增,可控矽使飽和導通。

由於bg1和bg2所構成的正反饋作用,所以一旦可控矽導通後,即使控制極g的電流消失了,可控矽仍然能夠維持導通狀態,由於觸發訊號只起觸發作用,沒有關斷功能,所以這種可控矽是不可關斷的。

由於可控矽只有導通和關斷兩種工作狀態,所以它具有開關特性,這種特性需要一定的條件才能轉化。

狀態說明

從關斷到導通

1、陽極電位高於是陰極電位

2、控制極有足夠的正向電壓和電流

兩者缺一不可

維持導通

1、陽極電位高於陰極電位

2、陽極電流大於維持電流

兩者缺一不可

從導通到關

1、陽極電位低於陰極電位

2、陽極電流小於維持電流

任一條件即可

3、基本伏安特性

(1)反向特性

當控制極開路,陽極加上反向電壓時,j2結正偏,但j1、j2結反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流,當電壓進一步提高到j1結的雪崩擊穿電壓後,接差j3結也擊穿,電流迅速增加,特性發生了彎曲,彎曲處的電壓uro叫「反向轉折電壓」。此時,可控矽會發生永久性反向擊穿。

(2)正向特性

當控制極開路,陽極上加上正向電壓時,j1、j3結正偏,但j2結反偏,這與普通pn結的反向特性相似,也只能流過很小電流,這叫正向阻斷狀態,當電壓增加,特性發生了彎曲,彎曲處的是ubo叫,正向轉折電壓

陽極加正向電壓

由於電壓升高到j2結的雪崩擊穿電壓後,j2結髮生雪崩倍增效應,在結區產生大量的電子和空穴,電子時入n1區,空穴時入p2區。進入n1區的電子與由p1區通過j1結注入n1區的空穴複合,同樣,進入p2區的空穴與由n2區通過j3結注入p2區的電子複合,雪崩擊穿,進入n1區的電子與進入p2區的空穴各自不能全部複合掉,這樣,在n1區就有電子積累,在p2區就有空穴積累,結果使p2區的電位升高,n1區的電位下降,j2結變成正偏,只要電流稍增加,電壓便迅速下降,出現所謂負阻特性。

這時j1、j2、j3三個結均處於正偏,可控矽便進入正向導電狀態---通態,此時,它的特性與普通的pn結正向特性相似

4、觸發導通

在控制極g上加入正向電壓時因j3正偏,p2區的空穴時入n2區,n2區的電子進入p2區,形成觸發電流igt。在可控矽的內部正反饋作用的基礎上,加上igt的作用,使可控矽提前導通,導致伏安特性oa段左移,igt越大,特性左移越快。

13樓:周毅興

固態繼電器裡的器件就是光耦加可控矽

電磁繼電器和固態繼電器有什麼區別翱

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