1樓：
採用不同的摻雜工藝,將p型半導體與n型半導體制作在同一塊矽片上,在它們的交介面就形成空間電荷區稱pn結。pn結具有單向導電性。
pn結：一塊單晶半導體中 ，一部分摻有受主雜質是p型半導體，另一部分摻有施主雜質是n型半導體時 ，p 型半導體和n型半導體的交介面附近的過渡區稱。pn結有同質結和異質結兩種。
用同一種半導體材料製成的 pn 結叫同質結 ，由禁頻寬度不同的兩種半導體材料製成的pn結叫異質結。製造pn結的方法有合金法、擴散法、離子注入法和外延生長法等。製造異質結通常採用外延生長法。
在 p 型半導體中有許多帶正電荷的空穴和帶負電荷的電離雜質。在電場的作用下，空穴是可以移動的，而電離雜質（離子）是固定不動的 。n 型半導體中有許多可動的負電子和固定的正離子。
當p型和n型半導體接觸時，在介面附近空穴從p型半導體向n型半導體擴散，電子從n型半導體向p型半導體擴散。空穴和電子相遇而複合，載流子消失。因此在介面附近的結區中有一段距離缺少載流子，卻有分佈在空間的帶電的固定離子，稱為空間電荷區 。
p 型半導體一邊的空間電荷是負離子 ，n 型半導體一邊的空間電荷是正離子。正負離子在介面附近產生電場，這電場阻止載流子進一步擴散 ，達到平衡。
在pn結上外加一電壓 ，如果p型一邊接正極 ，n型一邊接負極，電流便從p型一邊流向n型一邊，空穴和電子都向介面運動，使空間電荷區變窄，甚至消失，電流可以順利通過。如果n型一邊接外加電壓的正極，p型一邊接負極，則空穴和電子都向遠離介面的方向運動，使空間電荷區變寬，電流不能流過。這就是pn結的單向導性。
pn結加反向電壓時 ，空間電荷區變寬 ， 區中電場增強。反向電壓增大到一定程度時，反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流，則電流會大到將pn結燒燬。
反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。基本的擊穿機構有兩種，即隧道擊穿和雪崩擊穿。
pn結加反向電壓時，空間電荷區中的正負電荷構成一個電容性的器件。它的電容量隨外加電壓改變。
根據pn結的材料、摻雜分佈、幾何結構和偏置條件的不同，利用其基本特性可以製造多種功能的晶體二極體。如利用pn結單向導電性可以製作整流二極體、檢波二極體和開關二極體，利用擊穿特性製作穩壓二極體和雪崩二極體；利用高摻雜pn結隧道效應制作隧道二極體；利用結電容隨外電壓變化效應制作變容二極體。使半導體的光電效應與pn結相結合還可以製作多種光電器件。
如利用前向偏置異質結的載流子注入與複合可以製造半導體鐳射二極體與半導體發光二極體；利用光輻射對pn結反向電流的調製作用可以製成光電探測器；利用光生伏特效應可製成太陽電池。此外，利用兩個pn結之間的相互作用可以產生放大，振盪等多種電子功能 。pn結是構成雙極型電晶體和場效應電晶體的核心，是現代電子技術的基礎。
2樓：打醬油的陳先森
單項導電性，就是單方向的導電效能。
比如常用的電線，是雙向的導電性。電流可以從這邊傳到那邊，也可以從那邊傳到這邊。
二極體就是單項導電的，他從一級到另一級的電阻幾乎為零，而反向電阻卻很大，接近絕緣。
這樣的效能就是單項導電性
3樓：興斐雷傲菡
就是材料在
電流從正反兩個
方向流過時產生的
電阻不同的現象
一個方向
會很大而一個方向會很小
材料的這種正反方相電阻不同的
性質就叫單向導電性
單向導電性並不是只有
二極體才有的
而是一些特殊材料所具有的一些性質
就像金屬
在受熱之後就會出現
電阻率增加的現象一樣
而二極體只是應用了這一
原理製造出來的
4樓：呂蕤張簡曉凡
二極體的一個特性，就比如充電器只會向手機充電，停電後手機的電不會反衝
5樓：慕金堵婉秀
好像是電流只能一個方向流動，反向不行吧 半導體
6樓：許沛慎愉心
電流只能一個方向流動，二極體
7樓：劃破長空臨界角
電流只能從導體的一端流到令一端，或者說導體以一定方向接入電路，電阻很小（或很大），反過來接入電路，電阻很大（或很小）。
這樣的電阻一般由pn結構成…
8樓：匿名使用者
不如二極體就是單項導電的元件，
就是連線一方的電阻是非常小，而連反電阻就很大接近是不導電的。
二極體的單向導電性具體指什麼?
9樓：完美假知己
二極體的單向導電性具體指：只允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓），反向時阻斷 （稱為逆向偏壓）。
單向導電性是二極體最重要的特性。利用單向導電性可以判斷二極體的好壞，正偏時電阻值小，反偏時電阻值大，否則，二極體是損壞了的。
二極體單向導電性失敗的場合及原因
1、正向偏壓太低。（不足以克服死區電壓）
2、正向電流太大。（會使pn結溫度過高燒燬）3、反向偏壓太高。（造成反向擊穿）
4、工作頻率太高。（使結電容容抗下降而反向不截止）
10樓：匿名使用者
對於一般的二極體而言，電流只能從正極流向負極，這就是它的單向導電性。極個別型別的除外，例如齊納二極體和能隙二極體是工作在反向擊穿狀態下的。
pn結的單向導電性是什麼？
11樓：如之人兮
pn結正偏時導通，呈現很小的電阻，形成較大的正向電流；pn結反偏時截止,呈現很大的電阻,反向電流近似為零。
通常的說法是在不加外電壓時，這個pn結中p區的多子是空穴，n區的多子是電子（通常只考慮多子），因為濃度差，載流子必然向濃度低的方向擴散。在擴散前，p區與n區的正負電荷是相等的，呈電中性。當p區空穴向n區移動時，就在pn結邊界處留下了不能移動的負離子，用帶藍圈的負電荷表示； 當n區自由電子向p區移動時， 就在pn結邊界處留下了不能移動的正離子，用帶紅圈的正電荷表示，這樣就在空間電荷區內產生了一個內建電場upn，電場的方向是由n區指向p區的。
在擴散作用下隨著upn增大，載流子受到電場力upn的作用而做漂移運動，它的方向與擴散運動相反，最終使載流子擴散與漂移達到動態平衡，形成了空間電荷區，如圖3所示。
當外加正向偏壓時，電源e提供大量的空穴和電子，e的電場方向與upn的電場方向相反，空間電荷區被兩種載流子複合而消弱變窄，載流子容易通過擴散加強，呈現低阻狀態。
當外加反向偏壓時，它的電場方向與upn的電場方向一致，空間電荷區被增厚變寬，載流子不易通過擴散減弱，呈現高阻狀態。此時僅有兩側的少子，也就是n區的空穴和p區的電子在upn電場力作用下做漂移運動，形成較小的反向飽和電流is，直至擊穿為止，其電流按二極體方程規律變化，這就是pn結的單向導電性原理。
拓展資料：
採用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將p型半導體與n型半導體制作在同一塊半導體（通常是矽或鍺）基片上，在它們的交介面就形成空間電荷區稱為pn結（英語：pn junction）。pn結具有單向導電性，是電子技術中許多器件所利用的特性，例如半導體二極體、雙極性電晶體的物質基礎。
12樓：楊子電影
pn結加正向電壓時，可以有較大的正向擴散電流，即呈現低電阻， 我們稱pn結導通； pn結加反向電壓時，只有很小的反向漂移電流，呈現高電阻， 我們稱pn結截止。 這就是pn結的單向導電性。
(1) 加正向電壓（正偏）——電源正極接p區，負極接n區
外電場的方向與內 電場方向相反。 外電場削弱內電場→ 耗盡層變窄→擴散運動＞＞漂移運動→多子擴散形成正向電流（與外電場方向一致）i f
(2) 加反向電壓（反偏）——電源正極接n區，負極接p區
外電場的方向與內電場方向相同。 外電場加強內電場→耗盡層變寬→漂移運動＞＞擴散運動→少子漂移形成反向電流i r
單向導電性是 二極體最重要的特性。利用單向導電性可以判斷二極體的好壞，正偏時電阻值小，反偏時電阻值大，否則，二極體是損壞了的。
13樓：匿名使用者
採用不同的摻雜工藝,將p型半導體與n型半導體制作在同一塊矽片上,在它們的交介面就形成空間電荷區稱pn結。pn結具有單向導電性。
pn結（pn junction）
一塊單晶半導體中 ，一部分摻有受主雜質是p型半導體，另一部分摻有施主雜質是n型半導體時 ，p 型半導體和n型半
導體的交介面附近的過渡區稱。pn結有同質結和異質結兩種。用同一種半導體材料製成的 pn 結叫同質結 ，由禁頻寬度不
同的兩種半導體材料製成的pn結叫異質結。製造pn結的方法有合金法、擴散法、離子注入法和外延生長法等。製造異質
結通常採用外延生長法。
在 p 型半導體中有許多帶正電荷的空穴和帶負電荷的電離雜質。在電場的作用下，空穴是可以移動的，而電離雜質（離子）是固定不動的 。n 型半導體中有許多可動的負電子和固定的正離子。
當p型和n型半導體接觸時，在介面附近空穴從p型半導體向n型半導體擴散，電子從n型半導體向p型半導體擴散。空穴和電子相遇而複合，載流子消失。因此在介面附近的結區中有一段距離缺少載流子，卻有分佈在空間的帶電的固定離子，稱為空間電荷區 。
p 型半導體一邊的空間電荷是負離子 ，n 型半導體一邊的空間電荷是正離子。正負離子在介面附近產生電場，這電場阻止載流子進一步擴散 ，達到平衡。
在pn結上外加一電壓 ，如果p型一邊接正極 ，n型一邊接負極，電流便從p型一邊流向n型一邊，空穴和電子都向界
面運動，使空間電荷區變窄，甚至消失，電流可以順利通過。如果n型一邊接外加電壓的正極，p型一邊接負極，則空穴和
電子都向遠離介面的方向運動，使空間電荷區變寬，電流不能流過。這就是pn結的單向導性。
pn結加反向電壓時 ，空間電荷區變寬 ， 區中電場增強。反向電壓增大到一定程度時，反向電流將突然增大。如果外
電路不能限制電流，則電流會大到將pn結燒燬。反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。基本的擊穿機構有兩種，即隧
道擊穿和雪崩擊穿。 pn結加反向電壓時，空間電荷區中的正負電荷構成一個電容性的器件。它的電容量隨外加電壓改變。
根據pn結的材料、摻雜分佈、幾何結構和偏置條件的不同，利用其基本特性可以製造多種功能的晶體二極體。如利
用pn結單向導電性可以製作整流二極體、檢波二極體和開關二極體，利用擊穿特性製作穩壓二極體和雪崩二極體；利用
高摻雜pn結隧道效應制作隧道二極體；利用結電容隨外電壓變化效應制作變容二極體。使半導體的光電效應與pn結相結
合還可以製作多種光電器件。如利用前向偏置異質結的載流子注入與複合可以製造半導體鐳射二極體與半導體發光二極
管；利用光輻射對pn結反向電流的調製作用可以製成光電探測器；利用光生伏特效應可製成太陽電池。此外，利用兩個
pn結之間的相互作用可以產生放大，振盪等多種電子功能 。pn結是構成雙極型電晶體和場效應電晶體的核心，是現代電
子技術的基礎。在二級管中廣泛應用。
二極體的單向導電性，二極體的單向導電性具體指什麼
先要知道 si摻雜入3價元素就是p區，摻雜入5價元素就是n區 然後應該這麼理解 pn結加正相電壓，使空間電荷區減小，有利於多子的擴散，p區多子是空穴，少子是電子，n區多子是電子，少子是空穴 反之，當pn結加反相電壓，空間電荷區增大，不利於多子的擴散，有利於少子的飄逸 而有利於多子的擴散所產生電流導通...
PN接面的單向導電性有什麼作用，二極體的單向導電性的作用是什麼？
楊子電影 pn結加正向電壓時，可以有較大的正向擴散電流，即呈現低電阻，我們稱pn結導通 pn結加反向電壓時，只有很小的反向漂移電流，呈現高電阻，我們稱pn結截止。這就是pn結的單向導電性。1 加正向電壓 正偏 電源正極接p區，負極接n區 外電場的方向與內 電場方向相反。外電場削弱內電場 耗盡層變窄 ...
二極體具有單向導電性，加正向電壓時，二極體電阻較小，通過二極體的電流較大，加反向電壓則相反，為什麼
要知道加 正向電壓時，二極體電阻較小，通過二極體的電流較大，加反向電壓則相反 這個問題，就得弄清楚二極體的原理及其構造。二極體的原理實質上與pn結有關，pn結加正向電壓 即給二極體的正極接電壓的正極，負極接負極通電 反向電壓反之 會使pn結內電場變的越來越窄，從而電阻就越來越小 說白了，電阻的大小就...