PN接面是怎麼形成的，pn結是怎麼形成的

如何簡述pn結的形成過程？

1樓：帳號已登出

一塊半導體晶體一側摻雜成p型半導體，另一側摻雜成n型半導體，中間二者相連的接觸面稱為pn結（英語：pn junction）。pn結是電子技術中許多元件，例如半導體二極體、雙極性電晶體的物質基礎。

採用一些特殊的工藝（見本條目後面的段落），可以將上述的p型半導體和n型半導體緊密地結合在一起。在二者的接觸面的位置形成一個pn結。

載流子經過擴散的過程後，擴散的自由電子和空穴相互結合，使得原有的n型半導體的自由電子濃度減少，同時原有p型半導體的空穴濃度也減少。在兩種半導體中間位置形成一個由n型半導體指向p型半導體的電場，成為「內電場」。

p型半導體。

p為positive的字頭，由於空穴帶正電而得此名）：摻入少量雜質硼元素（或銦元素）的矽晶體（或鍺晶體）中，由於半導體原子（如矽原子）被雜質原子取代，硼原子外層的三個外層電子與周圍的半導體原子形成共價鍵的時候，會產生一個「空穴」，這個空穴可能吸引束縛電子來「填充」，使得硼原子成為帶負電的離子。

這樣，這類半導體由於含有較高濃度的「空穴」（「相當於」正電荷），成為能夠導電的物質。

pn結是怎麼形成的

2樓：呆鵝鵝鵝

pn結是由一個n型摻雜區和一個p型摻雜區緊密接觸所構成的，其接觸介面稱為冶金結介面。

在一塊完整的矽片上，用不同的摻雜工藝使其一邊形成n型半導體，另一邊形成p型半導體，我們稱兩種半導體的交介面附近的區域為pn結。

在p型半導體和n型半導體結合後，由於n型區內自由電子為多子空穴幾乎為零稱為少子，而p型區內空穴為多子自由電子為少子，在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差。