1樓：網友
熱處理溫度要求：650±5℃；
熱處理目的：還原直拉單晶矽片真實電阻率；
1、熱處理後電阻率會有什麼變化。
由於氧是在大約1400℃引入矽單晶的，所以在一般器件製造過程的溫度範圍（≤1200℃），以間隙態存在的氧是處於過飽和狀態的，這些氧雜質在器件工藝的熱迴圈過程中由於固溶度的降低會產生氧沉澱。一般而言，氧濃度越高，氧沉澱越易成核生長，形成的氧沉澱也就越多。反之，氧沉澱就越少。
尤其是當氧濃度小於一定值時（＜5×1017個/釐公尺3），幾乎就觀察不到氧沉澱的形成。
2、熱處理的幾個溫度區間概念：
熱施主：350-550℃，代表溫度450℃.
450℃熱處理後（或同等效果，如單晶在爐子裡的冷卻），可觀察到n型樣品的電阻率下降而p型樣品的電阻率增高，有如引入一定數量的施主現象一樣。這是由於在此溫度下，溶解的氧原子迅速形成絡合物（sio4）所引起的熱生施主，其電阻率與矽中氧含量的四次方成反比。
新施主：550-800℃，代表溫度650℃.
650℃熱處理，在迅速冷卻的條件下（即迅速跨過450℃），可消除熱生施主。即我們可觀察到n型樣品電阻率恢復高；p型樣品電阻率恢復低。
沉澱：800-1200℃，代表溫度1050℃1050℃熱處理，會帶來氧沉澱，且因沉澱誘生層錯等缺陷。
還原：＞1200℃
1200℃熱處理，氧恢復到間隙態。
2樓：西安固泰感測
高溫石墨化爐的溫度，高精度、穩定、測溫重複性2k，響應時間≤10ms。
單晶除了溫度高 加壓可以得到嗎
3樓：猛胡楚
這個用熱力學第一第二定律就能解決呀。 根據兄培你問的：首先用壓力壓縮氣體至液體，是外界對氣體做功，如果在絕熱的過程中，也就是沒有熱交換羨備唯，氣體內能增加，這個過程中，滾公升氣體既不放熱，也不吸熱。
然後如果變成液體後，由液體到氣體這個過程中，是氣體對環境做功，u=q+w, 其中對於氣體系統，u=0， wlt;0， 所以q;0, 所以得出結論，液體氣化是乙個吸熱的過程。 就像乾冰，乾冰在氣化的過程中要吸收周圍大量的熱。 希望能幫助到你。
拉單晶是怎樣根據光環判斷溫度是否合適
4樓：匿名使用者
首先當試溫，當籽晶接觸液麵時吵罩光圈是方的如果溫度過，則籽晶會被熔斷，溫度低則光圈是方粗碰燃的，最好的溫度是光圈是圓的並巖虛且溫度穩定。
5樓：網友
合適的溫度是接種後有光遊陪橘圈，未被熔斷，稍有些長，這時就可以引晶了，溫度高了就會被液矽熔斷籽晶神團，反之低了就不亂掘會出現光圈。
多晶與單晶區別
6樓：丿相濡╮以沫
有區別，單晶電池和多晶電池的初始原材料都是原生多晶矽，類似於微晶狀態存在。要具備發電能力，就必須將微晶狀態的矽製成晶體矽，而晶體矽的晶向需要精確控制。單晶電池和多晶電池在製程上唯一無法輕易互換的就是晶體生長環節。
在這個環節，原生多晶矽在單晶爐內會生產成單一晶向、無晶界、位錯缺陷和雜質密度極低的單晶矽棒。
多晶晶體的生長工藝本身決定了它無法生長出大面積單一晶向的晶體（單晶），多晶的本質就是大量的小單晶的集合體。
7樓：匿名使用者
晶體的原子在長程範圍內在三維空間中都保持有序而且重複的結構，一組原子的重複單元叫晶胞。如果晶胞在三維方向上是整齊重複排列的就叫單晶，比如象一塊一塊的整齊排列的磚。如果晶胞不是有規律的整齊排列就叫多晶，比如象一堆雜亂無序的磚。
8樓：網友
單晶和多晶的生產製造工藝是不一樣的，成分也有所不同，但是最後做成成品（太陽能電池板）使用效果是差不多的，之前兩者的區別在於光電轉換率不同，單晶一直比多晶轉換效率高，即使在實驗室還是這種情況，另外單晶的材質要比多晶的好，在生產過程中不容易損壞，另外在外觀上，單晶一般都是單色的（常規的是藍色和黑色。國外基本都是藍色多，國內的大多表面是藍色，但在層壓後顏色會變成黑色，多晶顏色很雜，既有單色藍色。
9樓：無根蒼松
構成整個晶體的各種離子或原子全都是按照一定的方向和順序排列的叫單晶體。如果由多個單晶體混亂地結合在一起，晶體之間有明顯的界限，這樣的晶體就叫多晶體。
半導體摻雜有什麼作用？
10樓：胖大熙
半導體的摻雜是為了提高半導體器件的電學效能，半導體的很多電學特性都與摻雜的雜質濃度有關。
純正的半導體是靠本徵激發來產生載流子導電的，但是僅僅依靠本證激發的話產生的載流子數量很少，而且容易受到外間因素如溫度等的影響。摻入相應的三價或是五價元素則可以在本徵激發外產生其他的載流子。
半導體的常用摻雜技術主要有兩種，即高溫（熱）擴散和離子注入。摻入的雜質主要有兩類：第一類是提供載流子的受主雜質或施主雜質（如si中的b、p、as）；第二類是產生複合中心的重金屬雜質（如si中的au）。
11樓：清溪看世界
半導體摻雜，即雜質半導體，半導體摻雜摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電效能也就越強。
摻雜物依照其帶給被摻雜材料的電荷正負被區分為施主（donor）與受主（acceptor）。施主原子帶來的價電子（valence electrons）大多會與被摻雜的材料原子產生共價鍵，進而被束縛。而沒有和被摻雜材料原子產生共價鍵的電子則會被施主原子微弱地束縛住，這個電子又稱為施主電子。
12樓：凌亂
什麼是摻雜半導體？
相對而言，本徵半導體中載流子數目極少，導電能力仍然很低。但如果在其中摻入微量的雜質，所形成的雜質半導體的導電效能將大大增強。由於摻入的雜質不同，雜質半導體可以分為n型和p型兩大類。
n型半導體中摻入的雜質為磷或其他五價元素，磷原子在取代原晶體結構中的原子並構成共價鍵時，多餘的第五個價電子很容易擺脫磷原子核的束縛而成為自由電子，於是半導體中的自由電子數目大量增加，自由電子成為多數載流子，空穴則成為少數載流子。
p型半導體中摻入的雜質為硼或其他三價元素，硼原子在取代原晶體結構中的原子並構成共價鍵時，將因缺少乙個價電子而形成乙個空穴，於是半導體中的空穴數目大量增加，空穴成為多數載流子，而自由電子則成為少數載流子。
注意，不論是n型半導體還是p型半導體，雖然都有一種載流子佔多數，但整個晶體仍然是不帶電的。
為什麼退火可以細化晶粒
13樓：網友
1，退火細化晶粒的原理在於重結晶，即在退火過程中，通過奧氏體重結晶形成，改變原有粗大晶粒的狀態，在隨後的處理中，如果能保證重結晶形成的奧氏體晶粒不長大（控制加熱溫度和時間），即可達到細化晶粒的作用。
2，原理上熱處理可以通過相變將單晶轉變為多晶，因為新相的形成往往在晶界，且不會只形成乙個晶核，多個晶核長大後即為多晶體。但似乎沒有聽說有人這樣做過。
第乙個問題你的理解是對的。絕大部分熱處理（退火、正火、淬火）都涉及奧氏體化的問題，它們在加熱時都遵循快速加熱、短時保溫的原則，其實質就是保證奧氏體晶粒不長大。不過通過退火來細化晶粒，目的比較單一，故有上述提法。
3，現實中沒有無如何缺陷的單晶，再則單晶的表面本身也是缺陷（原子位置錯排），故理論上單晶在發生相變時不一定能保持單晶特性。
4，退回和正火均可以細化晶粒，退火是將鋼加熱到適當溫度，保持一定時間，然後緩慢冷卻的熱處理工藝退火的目的是降低硬度，便於切削加工（適宜的加工硬度為170hb~230hb）；細化晶粒，均勻鋼的組織和成分，改善鋼的力學效能；消除內應力，以防止變形和開裂；為最終熱處理做好組織準備。但是一般的情況下，退火並不是最終目的。而且要看是什麼樣的金屬鑄件。
正火與退火相比操作簡便，生產週期短，能量消耗少，所以在可能條件下，應優先選用正火處理。
14樓：網友
細化晶粒的目的是為了改善切削加工及為隨後的熱處理做好組織準備。
珠光體中鐵素體和滲碳體是片層相間，在低、中碳鋼中，大塊鐵素體的存在，機加工時就易粘刀，不易斷屑，使切削刀具的磨損加劇且降低工件的表面光潔度；過共析鋼中的網狀碳化物造成切削加工很大困難。所以球狀珠光體是過共析鋼進行切削加工最好的組織狀態。而要獲得正常的片間距較小的珠光體組織和球狀珠光體則都可以用相變溫度來解決。
亞共析鋼加熱到ac3以上20-40°c左右，奧氏體化均勻後，隨爐冷至500-600°c後可出爐空冷。這樣可以得到較細的片狀珠光體。
15樓：任魄百里天翰
請問樓主：「亞共析鋼鋼的完全退火可以細化晶粒」這個結論來自何處？
檢視原帖》
為什麼矽片熱氧化需要很高的溫度
16樓：
簡述矽片熱處理意義 ①熱處理溫度要求：650±5℃； 熱處理目的：還原直拉單晶矽片真實電阻率； 1、熱處理後電阻率會有什麼變化 由於氧是在大約1400℃引入矽單晶的，所以在一般器件製造過程的溫度範圍（≤1200℃）
半導體是什麼,做什麼用的
17樓：冷科普
無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產品，如計算機、移動**或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關聯。
18樓：網友
通俗點講：半導體是介於絕緣和非絕緣之間的一種，主要是從沙子中提煉的原材料，一般是矽和鍺兩者常用的，其主要是做一些個半導體的器件中使用到，譬如可控矽的晶元、還有很多的晶元都是要用到的，像什麼太陽光伏、ic等等。
19樓：網友
物質分為導體、絕緣體和半導體三類。導體導電，絕緣體不導電，半導體介於導體和絕緣體之間，在一定條件下可以變成導體。
什麼是非簡併半導體，非簡併半導體的遷移率和擴散係數之間有什麼聯絡
文庫精選 內容來自使用者 manan8609 什麼是簡併？什麼是非簡併？什麼時候才出現簡併？簡併 或者退化 系統也就是表現出顯著量子效應的量子系統，出現量子效應時的溫度稱為簡併溫度 退化溫度 相反，不呈現量子效應的系統就是非簡併系統。1 電子簡併態的概念有三個方面的具體含義 具有相同能量的多個態，即...
半導體有哪些常見的應用，半導體在日常生活中有哪些應用，舉例說明
不吃蘑菇的羊咩咩 半導體 semiconductor 指常溫下導電效能介於導體 conductor 與絕緣體 insulator 之間的材料。半導體在收音機 電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極體就是採用半導體制作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，範圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是...
n型半導體和p型半導體的區別是什麼
1 形成原因不同 在半導體中摻入施主雜質，就得到n型半導體 施主雜質 週期表第v族中的某種元素，例如砷或銻。在半導體中摻入受主雜質，就得到p型半導體 受主雜質 週期表中第 族中的一種元素，例如硼或銦。2 導電特性不同。p型半導體的導電特性 它是靠空穴導電，摻入的雜質越多，多子 空穴 的濃度就越高，導...