IGBT管是電壓控制還是電流控制

1樓：yan胖子

igbt本質是電壓控制電流型器件，用作開關調製時，通過調整佔空比來調整負載的電壓。

igbt，絕緣柵雙極型電晶體，是由bjt和mos(絕緣柵型場效電晶體)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有mosfet的高輸入阻抗和gtr的低導通壓降兩方面的優點。

gtr飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；mosfet驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。

igbt綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用於直流電壓為600v及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

2樓：白光死

換電磁爐場效電晶體前要串燈泡試一下，看有沒有短路的即可。

控制器（controller）是機器的核心。標準定義為：按照預定順序改變主電路或控制電路的接線和改變電路中電阻值來控制電動機的啟動、調速、制動和反向的主令裝置。

由程式計數器、指令暫存器、指令譯碼器、時序產生器和操作控制器組成，它是釋出命令的“決策機構”，即完成協調和指揮整個計算機系統的操作。電力是其應用的一級學科，配電與用電為二級學科。

3樓：匿名使用者

igbt的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給pnp(原來為npn)電晶體提供基極電流，使igbt導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使igbt關斷。

從外部使用的角度來看屬於電壓控制，但其內部的雙極電晶體還是電流驅動。

你到百科中查igbt條目可以詳細瞭解。

可控矽、mosfet、igbt、gto是電壓觸發還是電流觸發，它們在作用上有什麼區別與聯絡

4樓：傑哥的

可控矽、gto是電流觸發，其中可控矽觸發導通後要等到電流過0時才關斷；gto稱之為可關斷可控矽，可以在有電流時關斷。

mosfet和igbt是電壓控制器件，類似於場效電晶體，可通過柵極電壓控制其導通和關斷，開關速度高於gto，由於mosfet的耐壓水平不能再繼續提高，後推出場效電晶體與雙極型管結合的器件igbt。

它們共同的作用就是可以用較小的電流（或電壓）去控制較大的電流，同時都具有單向導電性，均可作為整流和逆變元件使用，。

但相比之下，可控矽的應用範圍相對狹窄，但因為這些器件中，可控矽是最廉價的，工藝成熟，可做成高壓、大電流，所以在整流、大功率的同步逆變、調功等裝置中還是有較大優勢。

igbt與gto、mosfet器件相比在開關速度、耐壓、驅動功率上有更優異的特性，所以被廣泛應用在變頻器、有源濾波和補償、逆變等領域。

擴充套件資料

可控矽是p1n1p2n2四層三端結構元件，共有三個pn結，分析原理時，可以把它看作由一個pnp管和一個npn管所組成，其等效**如右圖所示。雙向可控矽：雙向可控矽是一種矽可控整流器件，也稱作雙向閘流體。

這種器件在電路中能夠實現交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，具有無火花、動作快、壽命長、可靠性高以及簡化電路結構等優點。

今日半導體元件的材料通常以矽為首選，但是也有些半導體公司發展出使用其他半導體材料的製程，當中最著名的例如ibm使用矽與鍺的混合物所發展的矽鍺製程。

而可惜的是很多擁有良好電性的半導體材料，如砷化鎵，因為無法在表面長出品質夠好的氧化層，所以無法用來製造mosfet元件。

igbt如何控制電路中電流大小

5樓：追夢人

從本質上來講，igbt無法控制電流的大小，igbt只是一個開關器件，當接於電路

中時，用於控制電路的通斷時間。當igbt接於電壓源電路中時，關斷時承受電壓源電壓，開通時只承受開通壓降，所以電路中的電流由外電路的結構和igbt開通和關斷的規律來確定，既可以控制電流大小，也可以控制電流的方向。當igbt接於電流源電路中時，情況同電壓源。

兩種情況都要考慮igbt的換流問題。

如果一定要講igbt對電路中電流的控制的話，應該是igbt和電感配合在一起實現對電流的控制。為什麼呢？以電壓源為例，只考慮主電路，電壓源、igbt、電感、負載串聯，當igbt關斷時，電源與電感斷開，由電感向負載供電，電感中電流不能突變，但是會下降。

當igbt開通時，電源與電感接通，電源向電感和負載供電，電感中電流也不能突變，但是會上升。電感中電流上降和上升的多少，由igbt關斷和開通的時間來確定，也說是igbt開通和關斷的規律決定著電感中電流的變化規律，也說實現了對電流的控制。

可能沒說清楚，如果要想弄清楚，還需要自己多看書多琢磨。

6樓：小皮

igbt控制方式是電流控制電壓的器件，想控制電流可接成恆流電路或者 pwm控制

7樓：qq下雨的星期天

控制igbt柵極的脈衝的佔空比，就可以控制通過igbt的電流