單晶體的晶體生長，生長單晶矽的方法中生長的單晶純度更高。

生長單晶矽的方法中(+)生長的單晶純度更高。

1樓：

摘要。親親您好，生長單晶矽的方法中(+)生長的單晶純度更高的方法shi：區熔法。

區熔法shi利用熱能在棒料的一端產生一熔區，再熔接單晶籽晶。調節溫度使熔區緩慢地向棒的另一端y動，通過整根棒料，生長成一根單晶，晶向與籽晶的相同。區熔法分為兩種：

水平區熔法和立式懸浮區熔法。前者主要用於鍺、gaas等材料的提純和單晶生長。後者主要用於矽，這shi由於矽的熔dian高，化學效能活潑，容易受到異物的玷汙，難以zhao到適合的舟皿，不能採用水平區熔法。

生長單晶矽的方法中(+)生長的單晶純度更高。

親親您好，生長單晶矽的方法中(+)生長的單晶純度更高的方法shi：區熔法陵仔。區熔法shi利用熱能在棒料的一端產生一熔區，再熔接單晶籽晶。

調節溫度使熔區緩慢地向棒的另一端y動，通過整根棒料，生長成一根單桐汪裂晶，晶向與籽晶的相同。區熔法分為兩種：水平區熔法和立式懸浮區熔法。

前者主要用於鍺、gaas等材料的提純和單晶生長。後者主要用於矽，這shi由於矽的熔dian高，化學效能活潑局閉，容易受到異物的玷汙，難以zhao到適合的舟皿，不能採用水平區熔法。

如果需要生長極高純度的矽單晶，其技術選擇首先shi懸浮區熔肢槐提煉，其次shi直拉法。區熔法可以得到低至1011cm-1的載流子濃度。區熔生長技術的基本特dianshi樣品的熔化部分shi完全由固體部分支撐的，不需要坩喚譁堝。

柱狀的高純多晶材料固定於ka盤，乙個金歷鏈友屬線圈沿多晶長度方向緩慢y動並通過柱狀多晶。

在金屬線圈中通過高功率的射頻電謹弊流，射頻功穗擾率技法的電磁場將在多晶柱中引起渦流，產生焦耳熱，通過調整線圈功率，可以使得多晶柱線圈內部的部分熔化，線圈移過後祥族族，熔料在結晶為為單晶。另一種使晶柱區域性熔化的方法shi使用聚焦電子束。整個區熔生長裝置可置於真空系統中，或者有保護氣氛的封閉腔室內。

為什麼選用45℃進行晶體的生長

2樓：未來星期摩羯

在晶體生長過程中，溫度是乙個非常重要的因素。晶體的生長速度和晶體質量都與溫度有關。一般來說，晶體生長速度隨著溫度的公升高而增加，但是晶體的質量卻會襪友受到影響。

因此，在晶體生長過程中，需要選擇適當的溫度來平衡晶體生長速度和晶體質量。

在選擇晶體生長溫度時，需要考慮晶體的熔點和熱穩定性等因素。對於一些高熔點的晶體，需要選擇比較高的溫度來進告告槐行生長。但是，如果溫度過高，晶體的熱穩定性會受到影響，從而影響晶體的質量。

在某些情況下，選擇較低的溫度進行晶體生長可以獲得更好的晶體質量。例如，在一些有機晶體的生長過程中，選擇較低的溫度可以減少晶體的缺陷和雜質，從而提高晶體的質量。

至於為什麼選擇45℃進行晶體生長，這需要根據具體的晶體材料和生長條件來確定。一般來說，選擇45℃進行晶體生長可能是因友枝為這個溫度可以滿足晶體生長的需要，並且可以獲得較好的晶體質量。

單晶體的晶體生長，生長單晶矽的方法中 生長的單晶純度更高。