1樓：匿名使用者
處理器每次記憶體升級換代時，必須支援的就是處理器。haswell-e平臺的記憶體同ivb-e/snb-e一樣為四通道設計，ddr4記憶體頻率原生支援2133mhz，這相較ivb-e的ddr3原生1866mhz，起始頻率有不小的提升。haswell-e作為新的旗艦提升最大兩點一個是6核升級8核，另一點是對ddr4的支援。
上市初期整體成本相當高，並且不會同時支援ddr3和ddr4記憶體，所以增加了ddr4普及的門檻。
外型宇瞻ddr4記憶體金手指變的彎曲了，並沒有沿著直線設計，這是因為一直一來，平直的記憶體金手指插入記憶體插槽後，受到的摩擦力較大，因此記憶體存在難以拔出和難以插入的情況，為了解決這個問題，ddr4將記憶體下部設計為中間稍突出、邊緣收矮的形狀。在**的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡。這樣的設計既可以保證ddr4記憶體的金手指和記憶體插槽觸點有足夠的接觸面，訊號傳輸確保訊號穩定的同時，讓中間凸起的部分和記憶體插槽產生足夠的摩擦力穩定記憶體。
介面位置同時也發生了改變，金手指中間的「缺口」位置相比ddr3更為靠近**。在金手指觸點數量方面，普通ddr4記憶體有284個，而ddr3則是240個，每一個觸點的間距從1mm縮減到0.85mm。
引數ddr4最重要的使命當然是提高頻率和頻寬。ddr4記憶體的每個針腳都可以提供2gbps(256mb/s)的頻寬，ddr4-3200那就是51.2gb/s，比之ddr3-1866高出了超過70％。
從宇瞻32gb ddr4-2133記憶體來看，僅預設頻率頻寬就高達48.4gb/s，可見ddr4對系統效能提升重要性。
ddr3，全稱第三代雙倍資料率同步動態隨機存取儲存器（double-data-rate three synchronous dynamic random access memory），是一種電腦記憶體規格。是現時流行的記憶體產品。 它屬於sdram家族的記憶體產品，提供了相較於ddr2 sdram更高的執行效能與更低的電壓，是ddr2 sdram（四倍資料率同步動態隨機存取記憶體）的後繼者（增加至八倍），也是現時流行的記憶體產品。
ddr4記憶體將會擁有兩種規格。其中使用single-endedsignaling訊號的ddr4記憶體其傳輸速率已經被確認為1.6～3.
2gbps，而基於差分訊號技術的ddr4記憶體其傳輸速率則將可以達到6.4gbps。由於通過一 個dram實現兩種介面基本上是不可能的，因此ddr4記憶體將會同時存在基於傳統se訊號和差分訊號的兩種規格產品。
根據多位半導體業界相關人員的介紹，ddr4記憶體將會是single-endedsignaling( 傳統se訊號)方式differentialsignaling( 差分訊號技術 )方式並存。其中amd公司的philhester先生也對此表示了確認。預計這兩個標準將會推出不同的晶片產品，因此在ddr4記憶體時代我們將會看到兩個互不相容的記憶體產品
2樓：
記憶體代數
頻率不一樣
不能混用
以特科芯芯鋒騎士記憶體舉例：ddr3
3代記憶體
頻率一般為1333
ddr4
4代頻率一般為2133
3樓：匿名使用者
【概括而言，區別如下】：
1.ddr4記憶體條外觀變化明顯，金手指變成彎曲狀
2.ddr4記憶體頻率提升明顯，可達4266mhz
3.ddr4記憶體容量提升明顯，可達128gb
4.ddr4功耗明顯降低，電壓達到1.2v、甚至更低
【詳細區別包括以下5方面】：
一、頻率和電壓
在頻率方面，ddr4記憶體的工作頻率將從2133mhz 起跳，最高甚至可以達到4266mhz。這個頻率相比ddr3 記憶體有相當大的提升。在電壓方面，ddr3 記憶體的工作電壓為1.
5v，而ddr4記憶體的工作電壓將近一步的降低，預計最低可以做到1.2v。
二、傳輸機制
相對於ddr3，ddr4的一大改進就體現在訊號傳輸機制上。它擁有兩種規格:除了可支援single-endedsignaling訊號( 傳統se訊號)外，還引入了differentialsignaling( 差分訊號技術 )技術。
三、訪問機制
對於ddr3記憶體來說，目前資料讀取訪問的機制是雙向傳輸。而在ddr4記憶體中，訪問機制已經改為了點對點技術，這是ddr4整個儲存系統的關鍵性設計。點對點相當於一條主管道只對應一個水箱（這種機制的改變其實並不會對傳輸速度產生太大的影響，因為主管道的大小並沒有改變），這樣設計的好處可以大大簡化記憶體模組的設計、更容易達到更高的頻率。
四、封裝技術
ddr4記憶體採用3ds封裝技術，3ds（3-dimensional stack，三維堆疊）技術是ddr4記憶體中最關鍵的技術之一，它用來增大單顆晶片的容量。在使用了3ds堆疊封裝技術後，單條記憶體的容量最大可以達到目前產品的8倍之多。
五、外觀
ddr3記憶體金手指是240個，記憶體金手指是平直的；而ddr4記憶體金手指是284個，記憶體金手指呈彎曲狀。
ddr4與ddr3有什麼區別
4樓：atm半夏熒光
ddr3和ddr4的區別如下：
一、外觀不一樣
一般情況下ddr4記憶體金手指觸點達到了284個，而且每一個觸點間距只有0.85mm，ddr3記憶體金手指觸點是240個，因為這一改變，ddr4的記憶體金手指部分也設計成了中間稍突出，邊緣收矮的形狀，在**的高點和兩端的低點用平滑曲線過渡。
二、記憶體頻率不一樣
ddr3記憶體的最高頻率只能達到了2133；而ddr4記憶體的起始頻率就已經達到了2133，產品的最高頻率達到了3000，從記憶體頻率來看，ddr4對比ddr3提升空間很大。
三、功耗不一樣
ddr4功耗明顯很低，一般電壓達到1.2v，上一代ddr3記憶體，採用1.5v標準電壓，而ddr4記憶體則降低為1.2v，甚至可以做到更低，功耗下降了，並且可以減少記憶體的發熱。
5樓：匿名使用者
ddr4是什麼意思？
ddr，英文全稱為：dual data rate，是一種雙倍速率同步動態隨機儲存器。嚴格的說，ddr應該叫ddr sdram，人們習慣稱為ddr，其中，sdram 是synchronous dynamic random access memory的縮寫，即同步動態隨機存取儲存器，而ddr sdram是double data rate sdram的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機儲存器的意思。
簡單來說，ddr4就是第二代記憶體的意思，目前不少智慧手機與電腦都用上了新一代ddr4記憶體，它屬於我們熟知的ddr3記憶體的下一代版本，帶來了更低的功耗與更出色的效能。
經歷了ddr1、ddr2、ddr3記憶體，新一代ddr4記憶體也逐漸開始變得流行，無論是pc還是智慧手機，如今ddr4記憶體可以說早已悄然流行。
ddr4和ddr3記憶體區別
雖然新一代電腦/智慧手機用上了ddr4記憶體，但以往的產品大多還是用的ddr3記憶體，因此ddr3依舊是主流，ddr4今後將逐漸取代ddr3，成為新的主流，下面我們再來看看ddr4和ddr3記憶體都有哪些區別。
相比上一代ddr3，新一代ddr4記憶體主要有以下幾項核心改變：
1.外觀改變
ddr4記憶體條外觀變化明顯，金手指變成彎曲狀，這意味著，ddr4記憶體不再相容ddr3，老平臺電腦無法升級ddr4記憶體，除非將cpu和主機板都更換為新平臺。
2.ddr4記憶體頻率與頻寬提升明顯
頻率方面，ddr3記憶體起始頻率為800，最高頻率達到了2133。ddr4記憶體起始頻率就達到了2133，量產產品最高頻率達到了3000，從記憶體頻率來看，ddr4相比ddr3提升很大。
頻寬方面，ddr4記憶體的每個針腳都可以提供2gbps(256mb/s)的頻寬，ddr4-3200那就是51.2gb/s，比之ddr3-1866高出了超過70%。
綜合來看，ddr4記憶體效能最大幅度可比ddr3提升高達70%，甚至更高。
3.ddr4記憶體容量提升明顯，可達128gb
上一代ddr3記憶體，最大單挑容量為64gb，實際能買到的基本是16gb/32gb，而新一代ddr4記憶體，單條容量最大可以達到128gb，媲美ssd了。
4.ddr4功耗明顯降低，電壓達到1.2v、甚至更低
上一代ddr3記憶體，採用1.5v標準電壓，而ddr4記憶體則降低為1.2v，甚至可以做到更低，功耗下降了，更省電，並且可以減少記憶體的發熱。
6樓：匿名使用者
ddr4與ddr3記憶體差異一：處理器
每次記憶體升級換代時，必須支援的就是處理器。haswell-e平臺的記憶體同ivb-e/snb-e一樣為四通道設計，ddr4記憶體頻率原生支援
2133mhz，這相較ivb-e的ddr3原生1866mhz，起始頻率有不小的提升。haswell-e作為新的旗艦提升最大兩點一個是6核升級8
核，另一點是對ddr4的支援。上市初期整體成本相當高，並且不會同時支援ddr3和ddr4記憶體，所以增加了ddr4普及的門檻。
ddr4與ddr3記憶體差異二：外型
一直一來，平直的記憶體金手指插入記憶體插槽後，受到的摩擦力較大，因此記憶體存在難以拔出和難
以插入的情況，為了解決這個問題，ddr4將記憶體下部設計為中間稍突出、邊緣收矮的形狀。在**的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡。這樣的設計既可以保證
ddr4記憶體的金手指和記憶體插槽觸點有足夠的接觸面，訊號傳輸確保訊號穩定的同時，讓中間凸起的部分和記憶體插槽產生足夠的摩擦力穩定記憶體。
介面位置同時也發生了改變，金手指中間的「缺口」位置相比ddr3更為靠近**。在金手指觸點數量方面，普通ddr4記憶體有284個，而ddr3則是240個，每一個觸點的間距從1mm縮減到0.85mm。
ddr4與ddr3記憶體差異三：引數
ddr4最重要的使命當然是提高頻率和頻寬。ddr4記憶體的每個針腳都可以提供2gbps(256mb/s)的頻寬，ddr4-3200那就是51.2gb/s，比之ddr3-1866高出了超過70％。
另外就是其它引數的改變，比如容量和電壓。
ddr4在使用了3ds堆疊封裝技術後，單條記憶體的容量最大可以達到目前產品的8倍之
多。舉例來說，目前常見的大容量記憶體單條容量為8gb（單顆晶片512mb，共16顆），而ddr4則完全可以達到64gb，甚至128gb。而電壓方
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