1樓：匿名使用者
記憶體ddr3和ddr4的實際使用差距不大，主要是在記憶體引數和處理器來體現。
一：記憶體引數
ddr4最重要的使命當然是提高頻率和頻寬。ddr4記憶體的每個針腳都可以提供2gbps(256mb/s)的頻寬，ddr4-3200那就是51.2gb/s，比之ddr3-1866高出了超過70％。
預設頻率ddr4 2133 cl15。ddr4 2133頻率下頻寬測試：48.
4gb/s
從宇瞻32gb ddr4-2133記憶體來看，僅預設頻率頻寬就高達48.4gb/s，可見ddr4對系統效能提升重要性。
ddr4在使用了3ds堆疊封裝技術後，單條記憶體的容量最大可以達到目前產品的8倍之多。
二：處理器
每次記憶體升級換代時，必須支援的就是處理器。haswell-e平臺的記憶體同ivb-e/snb-e一樣為四通道設計，ddr4記憶體頻率原生支援2133mhz，這相較ivb-e的ddr3原生1866mhz，起始頻率有不小的提升。
haswell-e作為新的旗艦提升最大兩點一個是6核升級8核，另一點是對ddr4的支援。上市初期整體成本相當高，並且不會同時支援ddr3和ddr4記憶體，所以增加了ddr4普及的門檻。
ddr記憶體全稱是ddr sdram(double data rate sdram，雙倍速率sdram)。ddr sdram最早是由三星公司於2023年提出，由日本電氣、三菱、富士通、東芝、日立、德州儀器、三星及現代等八家公司協議訂立的記憶體規格，並得到了amd、via與sis等主要晶片組廠商的支援。它是sdram 的升級版本，因此也稱為「sdram ii」。
ddr是21世紀初主流記憶體規範，各大晶片組廠商的主流產品全部是支援它的。ddr全稱是ddr sdram(double data rate sdram，雙倍速率sdram)。ddr的標稱和sdram一樣採用頻率。
截至2023年，ddr執行頻率主要有100mhz、133mhz、166mhz三種，由於ddr記憶體具有雙倍速率傳輸資料的特性，因此在ddr記憶體的標識上採用了工作頻率×2的方法，也就是ddr200、ddr266、ddr333和ddr400，一些記憶體生產廠商為了迎合發燒友的需求，還推出了更高頻率的ddr記憶體。
其最重要的改變是在介面資料傳輸上，他在時鐘訊號的上升沿與下降沿均可進行資料處理，使資料傳輸率達到sdr(single data rate)sdram 的2倍。至於定址與控制訊號則與sdram相同，僅在時鐘上升沿傳送。
2樓：
ddr4與ddr3差異一：處理器
每次記憶體升級換代時，必須支援的就是處理器。haswell-e平臺的記憶體同ivb-e/snb-e一樣為四通道設計，ddr4記憶體頻率原生支援2133mhz，這相較ivb-e的ddr3原生1866mhz，起始頻率有不小的提升。haswell-e作為新的旗艦提升最大兩點一個是6核升級8核，另一點是對ddr4的支援。
上市初期整體成本相當高，並且不會同時支援ddr3和ddr4記憶體，所以增加了ddr4普及的門檻。
ddr4與ddr3記憶體差異二：外型
大家注意上圖，宇瞻ddr4記憶體金手指變的彎曲了，並沒有沿著直線設計，這究竟是為什麼呢？一直一來，平直的記憶體金手指插入記憶體插槽後，受到的摩擦力較大，因此記憶體存在難以拔出和難以插入的情況，為了解決這個問題，ddr4將記憶體下部設計為中間稍突出、邊緣收矮的形狀。在**的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡。
這樣的設計既可以保證ddr4記憶體的金手指和記憶體插槽觸點有足夠的接觸面，訊號傳輸確保訊號穩定的同時，讓中間凸起的部分和記憶體插槽產生足夠的摩擦力穩定記憶體。
介面位置同時也發生了改變，金手指中間的「缺口」位置相比ddr3更為靠近**。在金手指觸點數量方面，普通ddr4記憶體有284個，而ddr3則是240個，每一個觸點的間距從1mm縮減到0.85mm。
ddr4與ddr3記憶體差異三：引數
ddr4最重要的使命當然是提高頻率和頻寬。ddr4記憶體的每個針腳都可以提供2gbps(256mb/s)的頻寬，ddr4-3200那就是51.2gb/s，比之ddr3-1866高出了超過70％。
預設頻率ddr4 2133 cl15
ddr4 2133頻率下頻寬測試：48.4gb/s
從宇瞻32gb ddr4-2133記憶體來看，僅預設頻率頻寬就高達48.4gb/s，可見ddr4對系統效能提升重要性。
另外就是其它引數的改變，比如容量和電壓。
ddr4在使用了3ds堆疊封裝技術後，單條記憶體的容量最大可以達到目前產品的8倍之多。舉例來說，目前常見的大容量記憶體單條容量為8gb（單顆晶片512mb，共16顆），而ddr4則完全可以達到64gb，甚至128gb。而電壓方面，ddr4將會使用20nm以下的工藝來製造，電壓從ddr3的1.
5v降低至ddr4的1.2v，移動版的so-dimmd dr4的電壓還會降得更低。
記憶體ddr3和ddr4在實際使用中差別大嗎？
3樓：匿名使用者
記憶體ddr3和ddr4的實際使用差距不大，主要是在記憶體引數和處理器來體現。
一：記憶體引數
ddr4最重要的使命當然是提高頻率和頻寬。ddr4記憶體的每個針腳都可以提供2gbps(256mb/s)的頻寬，ddr4-3200那就是51.2gb/s，比之ddr3-1866高出了超過70％。
預設頻率ddr4 2133 cl15。ddr4 2133頻率下頻寬測試：48.
4gb/s
從宇瞻32gb ddr4-2133記憶體來看，僅預設頻率頻寬就高達48.4gb/s，可見ddr4對系統效能提升重要性。
ddr4在使用了3ds堆疊封裝技術後，單條記憶體的容量最大可以達到目前產品的8倍之多。
二：處理器
每次記憶體升級換代時，必須支援的就是處理器。haswell-e平臺的記憶體同ivb-e/snb-e一樣為四通道設計，ddr4記憶體頻率原生支援2133mhz，這相較ivb-e的ddr3原生1866mhz，起始頻率有不小的提升。
haswell-e作為新的旗艦提升最大兩點一個是6核升級8核，另一點是對ddr4的支援。上市初期整體成本相當高，並且不會同時支援ddr3和ddr4記憶體，所以增加了ddr4普及的門檻。
ddr記憶體全稱是ddr sdram(double data rate sdram，雙倍速率sdram)。ddr sdram最早是由三星公司於2023年提出，由日本電氣、三菱、富士通、東芝、日立、德州儀器、三星及現代等八家公司協議訂立的記憶體規格，並得到了amd、via與sis等主要晶片組廠商的支援。它是sdram 的升級版本，因此也稱為「sdram ii」。
ddr是21世紀初主流記憶體規範，各大晶片組廠商的主流產品全部是支援它的。ddr全稱是ddr sdram(double data rate sdram，雙倍速率sdram)。ddr的標稱和sdram一樣採用頻率。
截至2023年，ddr執行頻率主要有100mhz、133mhz、166mhz三種，由於ddr記憶體具有雙倍速率傳輸資料的特性，因此在ddr記憶體的標識上採用了工作頻率×2的方法，也就是ddr200、ddr266、ddr333和ddr400，一些記憶體生產廠商為了迎合發燒友的需求，還推出了更高頻率的ddr記憶體。
其最重要的改變是在介面資料傳輸上，他在時鐘訊號的上升沿與下降沿均可進行資料處理，使資料傳輸率達到sdr(single data rate)sdram 的2倍。至於定址與控制訊號則與sdram相同，僅在時鐘上升沿傳送。
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處理器每次記憶體升級換代時，必須支援的就是處理器。haswell e平臺的記憶體同ivb e snb e一樣為四通道設計，ddr4記憶體頻率原生支援2133mhz，這相較ivb e的ddr3原生1866mhz，起始頻率有不小的提升。haswell e作為新的旗艦提升最大兩點一個是6核升級8核，另一點...
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ddr3和ddr4的區別 1 外觀 ddr4記憶體金手指觸點達到了284個，每一個觸點間距只有0.85mm ddr3記憶體金手指觸點是240個，間距1mm 因為這一改變，ddr4的記憶體金手指部分也設計成了中間稍突出，邊緣收矮的形狀，在 的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡。ddr4 模組上的卡槽與 d...