DDR4，DDR3，DDR2，DDR1及SDRAM各有何不同

1樓：匿名使用者

ddr1-4 上面用的是dram，

sdram比dram速度更快，成本更高

供電電壓及功耗，ddr4<3<2<1，分別為， 1.25 v, 1.5v, 1.8v,2.5v

工作頻率及效能： ddr4>3>2>1,

2樓：匿名使用者

記憶體有三種不同的頻率指標，它們分別是核心頻率、時脈頻率和有效資料傳輸頻率。核心頻率即為記憶體cell陣列(memory cell array)的工作頻率，它是記憶體的真實執行頻率；時脈頻率即i/o buffer（輸入/輸出快取）的傳輸頻率；而有效資料傳輸頻率則是指資料傳送的頻率。

我們現在使用的記憶體都是基於sdram技術的，最初的sdram記憶體核心頻率、時脈頻率、資料傳輸頻率都是相同的一個值，比如奔騰3時代常見的pc133記憶體，三個頻率都是133m。

後來出現了具有劃時代意義的ddr技術，第一代ddr1採用時鐘脈衝上升、下降沿各傳一次資料，1個時鐘訊號可以傳輸2倍於sdram的資料，所以又稱為雙倍速率sdram。倍增係數=2，有效的資料傳輸頻率是儲存單元核心頻率的2倍。同時ddr1記憶體的時脈頻率不變，仍與儲存單元核心頻率相同。

ddr2出現後，仍然採用時鐘脈衝上升、下降支各傳一次資料的技術（不是傳2次），但是一次預讀4bit資料，是ddr1一次預讀2bit的2倍，因此，它的倍增係數是2x2=4，有效的資料傳輸頻率是儲存單元核心頻率的4倍。同時ddr2記憶體的時脈頻率提高到了儲存單元核心的2倍。

ddr3作為ddr2的升級版，最重要的改變是：一次預讀8bit，是ddr2的2倍，ddr1的4倍，所以，它的倍增係數是2x2x2=8，因此有效的資料傳輸頻率達到了儲存單元核心頻率的8倍。同時ddr3記憶體的時脈頻率提高到了儲存單元核心頻率的4倍。

ddr4，ddr3，ddr2，ddr1及sdram各有何不同

3樓：微多雜談

ddr4，ddr3，ddr2，ddr1及sdram不同點主要有幾下幾點：

1、插槽介面（ddr4，ddr3，ddr2，ddr1及sdram都是不一樣的）

2、記憶體的儲存晶片製造工藝（奈米nm）sdram一般為90nm，ddr2一般為65nm，ddr3一般為32~45nm，ddr4一般為19nm

3、傳輸速率（ddr3 1333兩條雙通道 18000mb/s ddr4 2400 四條四通道 50000mb/s）

4、執行頻率（頻率越高，頻寬越高，程式載入和切換越快，處理**和資料壓縮需要時間也更短）

4樓：老朱

都是動態ram，資料需要定期重新整理。不同支援，sd只是用時鐘脈衝的上升沿來同步，進行資料傳輸；ddr組是利用時鐘脈衝的上升沿和下降沿都進行資料傳輸，幾代不同的ddr就沒有太大的差異了，只是速度、頻寬和介面的不同了

5樓：匿名使用者

簡單的說就是速度不同，頻寬不同

ddr4，ddr3，ddr2，ddr1及sdram各有何不同

6樓：伊喬司元柳

ddr4，ddr3，ddr2，ddr1及sdram不同點主要有幾下幾點：

1、插槽介面（ddr4，ddr3，ddr2，ddr1及sdram都是不一樣的）

2、記憶體的儲存晶片製造工藝（奈米nm）sdram一般為90nm，ddr2一般為65nm，ddr3一般為32~45nm，ddr4一般為19nm

3、傳輸速率（ddr3

1333兩條雙通道

18000mb/s

ddr4

2400

四條四通道

50000mb/s）

4、執行頻率（頻率越高，頻寬越高，程式載入和切換越快，處理**和資料壓縮需要時間也更短）