1樓：
由於柵極絕緣程度極高,柵極又有電容特性.因此極容量積累電荷,並儲存電荷,形成電壓.
在你測量的過程中,如果柵極懸空被空間電荷或者感應電荷儲存了,也或者在用萬用表對柵極電容進行了充電操作,都會讓mos管的ds持續保持導通.如果電壓過高,柵極可能擊穿損壞.
在測量ds時候,最好將g與s短接,或者gs之間接一個電阻,或者放置在防靜電的工作臺上.由於mos過於脆弱,一定保證人體無靜電.
從測量的結果看,明顯的g儲存了電荷並導致ds導通,g的電荷釋放後ds又恢復了正常.
2樓：資深技術
不用頭痛，因為你的理解是的對的。
可以把ugd理解成電容充電完成後的端電壓，此時柵極和漏極之間是沒有電流的，相當於斷路
第一個問題沒看到具體圖紙，無法確定。
3樓：山巔的淡藍
mosfet（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）也叫igfet（insulated gate field-effect transistor），它的g極和d極之間的等效電容也叫米勒電容，因為它的容量很小所以只有在高頻電路中才有一定的負面影響。這個電容存在的原因就是在gd之間有絕緣柵，這一點從它的另外一個名稱igfet中的ig（insulated gate 絕緣柵）就能看出。
將mos 的柵極和漏極短接後，為什麼這個mos就有二極體的作用了？ 也就是為什麼叫做diode-connected mos？
4樓：匿名使用者
它的名字叫二極體接法，但是並不是像二極體
一樣具有整流特性，它具有的特性版
只是二極體正向導
權通時候的樣子，就表現出一個小電阻似的小訊號特性。
原理上來講，由於漏極和柵極相連，使得一定有vds>vgs-vth，就是說正常情況下它始終都是工作在飽和區的，小訊號圖懶得畫了，具體可以隨便找本積體電路基礎書籍裡都有推導，比如拉扎維的3.2.2，結論是它等效的阻抗為1/gm，這個結論應該是記住的，因為很常用。
在mos管的源極和柵極之間並一個電阻,是為保護mos的寄生電感,在電源瞬間上電時候?該如何理解呢 20
5樓：
mos管如果g端懸空的話，會使mos管導通，造成mos管因電流過大而燒燬，加電阻的作用是拉地電阻，起到限流的作用，防止其懸空導通燒燬！
mos管是一個esd敏感元件，本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以很容易受外界或者靜電影響而帶電，容易引起靜電擊穿。
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應電晶體，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。
mos管的source和drain是可以對調的，他們都是在p型backgate中形成的n型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的效能，這樣的器件被認為是對稱的。
柵源間的過電壓保護：如果柵源間的阻抗過高，則漏源間電壓的突變會通過極間電容耦合到柵極而產生相當高的ugs電壓過沖，這一電壓會引起柵極氧化層永久性損壞，如果是正方向的ugs瞬態電壓還會導致器件的誤導通。為此要適當降低柵極驅動電路的阻抗，在柵源之間並接阻尼電阻或並接穩壓值約20v的穩壓管，特別要注意防止柵極開路工作。
6樓：匿名使用者
是為了放電，因為mos管內部類似於一個電容，如果dout沒有下拉功能，mos導通後就會一直處於導通狀態，這裡並聯一個電容後，當dout變成低電位時，可以把mos管結電容的電放掉！如果訊號有下拉功能，可以取消此電阻！
7樓：只是寂寞微染
源極與柵極之間電阻很大，他們之間會有一定的電容量（二極體也有叫pn節電容，所以高頻訊號時要考慮到pn節電容），
並上電阻之後，當訊號由大電壓變小時他們之間通過電阻放電，當訊號電壓由小到大變時就不會與極間電容的電壓疊加（因為極間電容的電已經通過電阻放掉了），訊號電壓就不足於擊穿，起到保護作用
8樓：匿名使用者
你這個問題我幫你在大位元電子變壓器論壇發過帖子了，就等待那邊的高手提供更詳細的解答。
如果有回答，第一時間通知你，你可以留個郵箱。如果問題比較急，你可以登入論壇然後搜尋你的標題看別人的回答也行。
一電阻和一電容串聯後，並聯在mos管的漏極與源極之間，請問作用是什麼?_?希望講解詳細點。 20
9樓：
mos工作於開關狀態，關斷時初級繞組會產生非常高的反峰，用過這個設計把反峰拉下來，防止mos擊穿。
電子高手請進！這個n溝道mos管為什麼源極和漏極之間是導通的？這時候柵極和源極間沒有電壓啊 而且一 20
10樓：igbt保護
首先把三個極短接一下，把柵極電壓洩放了，然後測漏源兩極，正表筆接漏極，負表筆接源極好的應該不通，再反接測量，通了是因為內部有保護（防反壓擊穿）二極體！
11樓：bd邱宇航
場管輸入阻抗極高，懸空時就可感應周圍電場而導通，
一旦導通，g極懸空時，其gs結電容無法洩放而繼續維持導通一段時間……
12樓：匿名使用者
有的大功率管在源極和漏極之間反向並聯了一個二極體，
13樓：匿名使用者
這就是個三極體而已，三極體本來就是二極體的組合，本來就可以當整流電阻使用的好不？
14樓：匿名使用者
你根本沒有把情況描述清楚！時漏源與源漏之間都是導通？還是隻是源漏導通？還有你說的50左右測得是說的引數是什麼單位？？
mos管的源極和漏極有什麼區別
15樓：四舍**入
一、指代不同
1、源極：簡稱場效電晶體。t僅是由多數載流子參與導電，與雙極型相反，也稱為單極型電晶體。
2、漏極：利用外部電路的驅動能力，減少ic內部的驅動， 或驅動比晶片電源電壓高的負載。
二、原理不同
1、源極：在一塊n型半導體材料的兩邊各擴散一個高雜質濃度的p型區（用p+表示），就形成兩個不對稱的p+n結。把兩個p+區並聯在一起，引出一個電極，稱為柵極（g），在n型半導體的兩端各引出一個電極。
2、漏極：將兩個p區的引出線連在一起作為一個電極，稱為柵極，在n型矽片兩端各引出一個電極。
16樓：匿名使用者
1、區別：源極(source)source資源，電源，中文翻譯為源極。起集電作用的電極。漏極(drain)drain排出，洩漏，中文翻譯為漏極。起發射作用的電極。
2、mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應電晶體，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。mos管的source和drain是可以對調的，他們都是在p型backgate中形成的n型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的效能。
這樣的器件被認為是對稱的。
17樓：血刺廢車
mos管的定義：場效電晶體的結構是在一塊n型半導體的兩邊利用雜質擴散出高濃度的p型區域，用p+表示，形成兩個p+n結。n型半導體的兩端引出兩個電極，分別稱為漏極d和源極s。
把兩邊的p區引出電極並連在一起稱為柵極g。如果在漏、源極間加上正向電壓，n區中的多子（也就是電子）可以導電。它們從源極s出發， 流向漏極d。
電流方向由d指向s，稱為漏極電流id.。由於導電溝道是n型的，故稱為n溝道結型場效電晶體。
場效電晶體（包括結型和絕緣柵型）的漏極與源極通常製成對稱的，漏極和源極可以互換使用。
但是有的絕緣柵場效電晶體在製造產品
時已把源極和襯底連線在一起了
，所以這種管子的源極和漏極就不能互換。有的管子則將襯底單獨引出一個管腳，形成四個管腳。一般情況p襯底接低電位，n襯底接高電位。
18樓：匿名使用者
對於絕緣柵nmos管，接高壓為漏端，接低壓為源端。pmos剛好相反。從原理上，nmos載流子是電子，由低電壓處提供，所以低壓端稱源端，pmos載流子是空穴，由高壓處提供，所以高壓端稱源端。
19樓：一梔穿雲箭
源極: 引入載流子
漏極: 漏出載流子
三極體和mos管的選型，三極體和mos管的選型
15v6a這個規格的要求也不算高呀，找一種市面上容易找到而又便宜的就行了。如 51可以驅動大多數to92規裝的三極體，最多的就是8050，9013.npn 8550，9012 pnp 了，這種三極體c極電流都可以達到100ma以上 至於開關管用tip41就可以了 100v6a 另外，51可以直接驅動...
場效電晶體和可控矽之間的區別，三極體，場效電晶體，可控矽如何區別
1 微件不同 場效電晶體的源極s 柵極g 漏極d分別對應於可控矽的發射極e 基極b 集電極c，它們的作用相似。2 放大係數 場效電晶體是電壓控制電流器件，由vgs控制id，其放大係數gm一般較小，因此場效電晶體的放大能力較差 可控矽是電流控制電流器件，由ib 或ie 控制ic。3 輸入電阻 場效電晶...
MOS的源極和漏極有什麼區別
左清安賽辛 ms在半導體材料的層面上沒有本質區別,當時在半導體器件設計時,一般將襯底極與源極相連,所以mosfet的開關效能與v 相關,只要v 超過閾值,就導通 截止 取決於耗盡型還是增強型 所以本質上s,d是由半導體器件製造時內部連線方式決定的.所以反接會導致短路 彤寄竹樸鵑 mos管的定義 場效...