MOS的源極和漏極有什麼區別

時間 2021-10-15 00:20:53

1樓:左清安賽辛

ms在半導體材料的層面上沒有本質區別,當時在半導體器件設計時,

一般將襯底極與源極相連,所以mosfet的開關效能與v_相關,只要v_超過閾值,就導通/截止(取決於耗盡型還是增強型)所以本質上s,d是由半導體器件製造時內部連線方式決定的.所以反接會導致短路

2樓:彤寄竹樸鵑

mos管的定義:場效電晶體的結構是在一塊n型半導體的兩邊利用雜質擴散出高濃度的p型區域,用p+表示,形成兩個p+n結。n型半導體的兩端引出兩個電極,分別稱為漏極d和源極s。

把兩邊的p區引出電極並連在一起稱為柵極g。如果在漏、源極間加上正向電壓,n區中的多子(也就是電子)可以導電。它們從源極s出發,

流向漏極d。電流方向由d指向s,稱為漏極電流id.。由於導電溝道是n型的,故稱為n溝道結型場效電晶體。

場效電晶體(包括結型和絕緣柵型)的漏極與源極通常製成對稱的,漏極和源極可以互換使用。

但是有的絕緣柵場效電晶體在製造產品

時已把源極和襯底連線在一起了

,所以這種管子的源極和漏極就不能互換。有的管子則將襯底單獨引出一個管腳,形成四個管腳。一般情況p襯底接低電位,n襯底接高電位。

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