1樓：匿名使用者
【cmos電平】cmos電路的電平就叫cmos電平。coms積體電路是互補對稱金氧半導體(compiementary symmetry metal oxide semicoductor)積體電路的英文縮寫，電路的許多基本邏輯單元都是用增強型pmos電晶體和增強型nmos管按照互補對稱形式連線的，靜態功耗很小。coms電路的供電電壓vdd範圍比較廣在+5--+15v均能正常工作，電壓波動允許±10，當輸出電壓高於vdd-0.
5v時為邏輯1，輸出電壓低於vss+0.5v(vss為數字地)為邏輯0，扇出數為10--20個coms閘電路。
【ttl電平】ttl電路的電平就叫ttl 電平，ttl電平訊號被利用的最多是因為通常資料表示採用二進位制規定，+5v等價於邏輯「1」，0v等價於邏輯「0」，這被稱做ttl（電晶體-電晶體邏輯電平）訊號系統，這是計算機處理器控制的裝置內部各部分之間通訊的標準技術。
ttl電平訊號對於計算機處理器控制的裝置內部的資料傳輸是很理想的，首先計算機處理器控制的裝置內部的資料傳輸對於電源的要求不高以及熱損耗也較低，另外ttl電平訊號直接與積體電路連線而不需要**昂貴的線路驅動器以及接收器電路；再者，計算機處理器控制的裝置內部的資料傳輸是在高速下進行的，而ttl介面的操作恰能滿足這個要求。ttl型通訊大多數情況下，是採用並行資料傳輸方式，而並行資料傳輸對於超過10英尺的距離就不適合了。這是由於可靠性和成本兩面的原因。
因為在並行介面中存在著偏相和不對稱的問題，這些問題對可靠性均有影響。
數位電路中，由ttl電子元器件組成電路使用的電平。電平是個電壓範圍，規定輸出高電平》2.4v,輸出低電平<0.
4v。在室溫下，一般輸出高電平是3.5v，輸出低電平是0.
2v。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平》=2.
0v，輸入低電平<=0.8v，噪聲容限是0.4v。
2樓：
ttl電平就是晶片的輸入輸出都是bjt三極體。
cmos電平就是晶片的輸入輸出都是場效電晶體。
這兩種邏輯的高低電平的門限不同。
3樓：匿名使用者
cmos電平 ttl電平？ 大哥,沒聽說過啊!應該是
cmos閘電路和ttl閘電路吧!
4樓：匿名使用者
電平的高低電平電壓值不同
5樓：晁興邦
就ttl與cmos電平來講，前者屬於雙極型數字積體電路，其輸入端與輸出端均為三極體，因此它的閥值電壓是<0.2v為輸出低電平；>3.4v為輸出高電平。
而cmos電平就不同了，他的閥值電壓比ttl電平大很多。而串列埠的傳輸電壓都是以coms電壓傳輸的。
至於為什麼你的測試臺不能與高階pc連線，如果是兩者電平不同，你可以在其介面上接電平轉換器，這東西市面上有很多。
6樓：秒懂百科
ttl電平：計算機處理器控制的裝置內部的標準通訊技術
什麼是ttl電平，cmos電平？區別
7樓：匿名使用者
1.cmos是場效電晶體構成(單極性電路)，ttl為雙極電晶體構成（雙極性電路）
2.coms的邏輯電平範圍比較大（5～15v），ttl只能在5v下工作
3.cmos的高低電平之間相差比較大、抗干擾性強，ttl則相差小，抗干擾能力差
4.cmos功耗很小，ttl功耗較大（1～5ma/門）
5.cmos的工作頻率較ttl略低，但是高速cmos速度與ttl差不多相當
6.cmos的噪聲容限比ttl噪聲容限大
7.通常以為ttl門的速度高於「cmos閘電路。影響ttl閘電路工作速度的主要因素是電路內部管子的開關特性、電路結構及內部的各電阻阻數值。
電阻數值越大，工作速度越低。管子的開關時間越長，門的工作速度越低。門的速度主要體現在輸出波形相對於輸入波形上有「傳輸延時」tpd。
將tpd與空載功耗p的乘積稱為「速度-功耗積」，做為器件效能的一個重要指標，其值越小，表明器件的效能越好（一般約為幾十皮（10-12）焦耳）。與ttl閘電路的情況不同，影響cmos電路工作速度的主要因素在於電路的外部，即負載電容cl。cl是主要影響器件工作速度的原因。
由cl所決定的影響cmos門的傳輸延時約為幾十納秒。
8.ttl電路是電流控制器件，而coms電路是電壓控制器件。
希望採納
8樓：祝升榮容泓
ttl電平是5v，cmos電平一般是12v。
因為ttl電路電源電壓是5v，cmos電路電源電壓一般是12v。
5v的電平不能觸發cmos電路，12v的電平會損壞ttl電路，因此不能互相相容匹配。
什麼叫ttl電平?什麼叫cmos電平？cmos的高電平是怎樣確定的？
9樓：匿名使用者
ttl器件只能5v供電，邏輯「1」就表示5v，這電平（實際小於5v）就是ttl電平。
cmos器件可用3~18v供電，3~18v的高電平就表示邏輯「1」，這電平就是cmos電平。
10樓：匿名使用者
一．ttl
ttl積體電路的主要型式為電晶體－電晶體邏輯閘（transistor-transistor logic gate），ttl大部分都內採用5v電源。
1. 輸出高容
電平uoh和輸出低電平uol uoh≥2.4v, uol≤0.4v
2. 輸入高電平和輸入低電平 uih≥2.0v，uil≤0.8v
二．cmos
cmos電路是電壓控制器件，輸入電阻極大，對於干擾訊號十分敏感，因此不用的輸入端不應開路，接到地或者電源上。cmos電路的優點是噪聲容限較寬，靜態功耗很小。
1.輸出高電平uoh和輸出低電平uol uoh≈vcc，uol≈gnd
2.輸入高電平uih和輸入低電平uil uih≥0.7vcc,uil≤0.2vcc
什麼叫「ttl電平」?什麼叫「cmos電平」？怎樣確定cmos的高電平？
11樓：匿名使用者
一．ttl
ttl積體電路的主要型式為電晶體－電晶體邏輯閘（transistor-transistor logic gate），ttl大部分都採用5v電源。
1. 輸出高電平uoh和輸出低電平uol uoh≥2.4v, uol≤0.4v
2. 輸入高電平和輸入低電平 uih≥2.0v，uil≤0.8v
二．cmos
cmos電路是電壓控制器件，輸入電阻極大，對於干擾訊號十分敏感，因此不用的輸入端不應開路，接到地或者電源上。cmos電路的優點是噪聲容限較寬，靜態功耗很小。
1.輸出高電平uoh和輸出低電平uol uoh≈vcc，uol≈gnd
2.輸入高電平uih和輸入低電平uil uih≥0.7vcc,uil≤0.2vcc
ttl電平與cmos電平的區別
12樓：
ttl與cmos相比，電平不同，需要有轉換電路才能連線。區別是ttl電流大，速度快，功耗大，cmos電流小，速度稍慢，功耗小，對稱性好，在cmos裡也沒有懸空表示高電平的說法，而是不定態，在應用中輸入訊號要避免懸空
13樓：九曲清風
是的前面的一位回答的很正確,
我在補充一點:之所以要加上拉電阻,是因為區別是ttl電流大,功耗大,本身的驅動能力不夠,所以要加一個上拉電阻!
14樓：匿名使用者
cmos 3~18v, ttl 0~5v
15樓：載長瑩潛芸
1.cmos是場效電晶體構成(單極性電路)，ttl為雙極電晶體構成（雙極性電路）
2.coms的邏輯電平範圍比較大（5～15v），ttl只能在5v下工作
3.cmos的高低電平之間相差比較大、抗干擾性強，ttl則相差小，抗干擾能力差
4.cmos功耗很小，ttl功耗較大（1～5ma/門）
5.cmos的工作頻率較ttl略低，但是高速cmos速度與ttl差不多相當
6.cmos的噪聲容限比ttl噪聲容限大
7.通常以為ttl門的速度高於「cmos閘電路。影響ttl閘電路工作速度的主要因素是電路內部管子的開關特性、電路結構及內部的各電阻阻數值。
電阻數值越大，工作速度越低。管子的開關時間越長，門的工作速度越低。門的速度主要體現在輸出波形相對於輸入波形上有「傳輸延時」tpd。
將tpd與空載功耗p的乘積稱為「速度-功耗積」，做為器件效能的一個重要指標，其值越小，表明器件的效能越好（一般約為幾十皮（10-12）焦耳）。與ttl閘電路的情況不同，影響cmos電路工作速度的主要因素在於電路的外部，即負載電容cl。cl是主要影響器件工作速度的原因。
由cl所決定的影響cmos門的傳輸延時約為幾十納秒。
8.ttl電路是電流控制器件，而coms電路是電壓控制器件。
希望採納
16樓：貢顏節香菱
ttl電平,ttl的電源工作電壓是5v，所以ttl的電平是根據電源電壓5v來定的。cmos電平，
cmos的電源工作電壓是3v
-18v，cmos的電源工作電壓範圍寬，如果你得cmos的電源工作電壓是12v，那麼這個cmos的輸入輸出電平電壓要適合12v的輸入輸出要求。即cmos的電平，要看你用的電源工作電壓是多少，3v
-18v，都在cmos的電源工作電壓範圍內，具體數值，看你加在cmos晶片上的電源工作電壓是多少。
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