1樓：匿名使用者
(一)ttl高電平3.6~5v，低電平0v~2.4v cmos電平vcc可達到12v
cmos電路輸出高電平約為0.9vcc，而輸出低電平約為0.1vcc。
cmos電路不使用的輸入端不能懸空，會造成邏輯混亂。eda中國門戶** e q c9f q
ttl電路不使用的輸入端懸空為高電平，另外，cmos積體電路電源電壓可以在較大範圍內變化，因而對電源的要求不像ttl積體電路那樣嚴格。
用ttl電平他們就可以相容
(二)ttl電平是5v，cmos電平一般是12v。
因為ttl電路電源電壓是5v，cmos電路電源電壓一般是12v。
5v的電平不能觸發cmos電路，12v的電平會損壞ttl電路，因此不能互相相容匹配。
(三)ttl電平標準
輸出 l： <0.8v ； h：>2.4v。
輸入 l： <1.2v ； h：>2.0v
ttl器件輸出低電平要小於0.8v，高電平要大於2.4v。輸入，低於1.2v就認為是0，高於2.0就認為是1。
cmos電平：
輸出 l： <0.1*vcc ； h：>0.9*vcc。
輸入 l： <0.3*vcc ； h：>0.7*vcc.
一般微控制器、dsp、fpga他們之間管教能否直接相連. 一般情況下，同電壓的是可以的，不過最好是要好好查查技術手冊上的vil,vih,vol,voh的值，看是否能夠匹配（vol要小於vil，voh要大於vih，是指一個連線當中的）。有些在一般應用中沒有問題，但是引數上就是有點不夠匹配，在某些情況下可能就不夠穩定，或者不同批次的器件就不能執行。
例如：74ls的器件的輸出，接入74hc的器件。在一般情況下都能好好執行，但是，在引數上卻是不匹配的，有些情況下就不能執行。
ttl與cmos電平使用起來有什麼區別?
1. 電平的上限和下限定義不一樣，cmos具有更大的抗噪區域或者稱更寬的噪聲容限。
同是5伏供電的話，ttl一般是1.7v和3.5v的樣子，cmos一般是2.2v,2.9v的樣子，不準確，僅供參考。
2。電流驅動能力不一樣，ttl一般提供25毫安的驅動能力，而cmos一般在10毫安左右。
3。需要的電流輸入大小也不一樣。ttl電路是電流控制器件，而cmos電路是電壓控制器件;一般ttl需要2.5毫安左右，cmos幾乎不需要電流輸入。
4。ttl電路的速度快，傳輸延遲時間短(5-10ns)，但是功耗大。
cmos電路的速度慢，傳輸延遲時間長(25-50ns),但功耗低。
cmos電路本身的功耗與輸入訊號的脈衝頻率有關，頻率越高，晶片集越熱，這是正常現象。
5。很多器件都是相容ttl和cmos的，datasheet會有說明。如果不考慮速度和效能，一般器件可以互換。
但是需要注意有時候負載效應可能引起電路工作不正常，因為有些ttl電路需要下一級的輸入阻抗作為負載才能正常工作。
2樓：匿名使用者
差不多吧，只是設定電壓有所不同。cmos積體電路易被靜電擊穿。
ttl和cmos有什麼區別？
3樓：匿名使用者
談談ttl和cmos電平(轉貼)
ttl——transistor-transistor logic
httl——high-speed ttl
lttl——low-power ttl
sttl——schottky ttl
lsttl——low-power schottky ttl
asttl——advanced schottky ttl
alsttl——advanced low-power schottky ttl
fast(f)——fairchild advanced schottky ttl
cmos——complementary metal-oxide-semiconductor
hc/hct——high-speed cmos logic(hct與ttl電平相容)
ac/act——advanced cmos logic(act與ttl電平相容)（亦稱acl）
ahc/ahct——advanced high-speed cmos logic(ahct與ttl電平相容)
fct——fact擴充套件系列，與ttl電平相容
fact——fairchild advanced cmos technology
1，ttl電平：
輸出高電平》2.4v,輸出低電平<0.4v。在室溫下，一般輸出高電平是3.5v，輸出低電平
是0.2v。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平》=2.0v，輸入低電平<=0.8v，噪聲容限是
0.4v。
2，cmos電平：
1邏輯電平電壓接近於電源電壓，0邏輯電平接近於0v。而且具有很寬的噪聲容限。
3，電平轉換電路：
因為ttl和coms的高低電平的值不一樣（ttl 5v<＝＝>cmos 3.3v），所以互相連線時需
要電平的轉換：就是用兩個電阻對電平分壓，沒有什麼高深的東西。哈哈
4，oc門，即集電極開路閘電路，od門，即漏極開路閘電路，必須外界上拉電阻和電源才能
將開關電平作為高低電平用。否則它一般只作為開關大電壓和大電流負載，所以又叫做驅
動閘電路。
5，ttl和coms電路比較：
1）ttl電路是電流控制器件，而coms電路是電壓控制器件。
2）ttl電路的速度快，傳輸延遲時間短(5-10ns)，但是功耗大。
coms電路的速度慢，傳輸延遲時間長(25-50ns),但功耗低。
coms電路本身的功耗與輸入訊號的脈衝頻率有關，頻率越高，晶片集越熱，這是正常
現象。3）coms電路的鎖定效應：
coms電路由於輸入太大的電流，內部的電流急劇增大，除非切斷電源，電流一直在增大
。這種效應就是鎖定效應。當產生鎖定效應時，coms的內部電流能達到40ma以上，很容易
燒燬晶片。
防禦措施：
1）在輸入端和輸出端加鉗位電路，使輸入和輸出不超過不超過規定電壓。
2）晶片的電源輸入端加去耦電路，防止vdd端出現瞬間的高壓。
3）在vdd和外電源之間加線流電阻，即使有大的電流也不讓它進去。
4）當系統由幾個電源分別供電時，開關要按下列順序：開啟時，先開啟coms電路得電
源，再開啟輸入訊號和負載的電源；關閉時，先關閉輸入訊號和負載的電源，再關閉coms
電路的電源。
6，coms電路的使用注意事項
1）coms電路時電壓控制器件，它的輸入總抗很大，對干擾訊號的捕捉能力很強。所以
，不用的管腳不要懸空，要接上拉電阻或者下拉電阻，給它一個恆定的電平。
2）輸入端接低內組的訊號源時，要在輸入端和訊號源之間要串聯限流電阻，使輸入的
電流限制在1ma之內。
3）當接長訊號傳輸線時，在coms電路端接匹配電阻。
4）當輸入端接大電容時，應該在輸入端和電容間接保護電阻。電阻值為r=v0/1ma.v0是
外界電容上的電壓。
5）coms的輸入電流超過1ma，就有可能燒壞coms。
7，ttl閘電路中輸入端負載特性（輸入端帶電阻特殊情況的處理）：
1）懸空時相當於輸入端接高電平。因為這時可以看作是輸入端接一個無窮大的電阻。
2）在閘電路輸入端串聯10k電阻後再輸入低電平，輸入端出呈現的是高電平而不是低電
平。因為由ttl閘電路的輸入端負載特性可知，只有在輸入端接的串聯電阻小於910歐時，
它輸入來的低電平訊號才能被閘電路識別出來，串聯電阻再大的話輸入端就一直呈現高電
平。這個一定要注意。coms閘電路就不用考慮這些了。
8，ttl電路有集電極開路oc門，mos管也有和集電極對應的漏極開路的od門，它的輸出就叫
做開漏輸出。
oc門在截止時有漏電流輸出，那就是漏電流，為什麼有漏電流呢？那是因為當三機管截
止的時候，它的基極電流約等於0，但是並不是真正的為0，經過三極體的集電極的電流也
就不是真正的0，而是約0。而這個就是漏電流。開漏輸出：oc門的輸出就是開漏輸出；od
門的輸出也是開漏輸出。它可以吸收很大的電流，但是不能向外輸出的電流。所以，為了
能輸入和輸出電流，它使用的時候要跟電源和上拉電阻一齊用。od門一般作為輸出緩衝/驅
動器、電平轉換器以及滿足吸收大負載電流的需要。
9，什麼叫做圖騰柱，它與開漏電路有什麼區別？
ttl積體電路中，輸出有接上拉三極體的輸出叫做圖騰柱輸出，沒有的叫做oc門。因為
ttl就是一個**關，圖騰柱也就是兩個**管推輓相連。所以推輓就是圖騰。一般圖騰式
輸出，高電平400ua，低電平8ma
4樓：匿名使用者
1.cmos是場效電晶體構成，ttl為雙極電晶體構成2.coms的邏輯電平範圍比較大（5～15v），ttl只能在5v下工作
3.cmos的高低電平之間相差比較大、抗干擾性強，ttl則相差小，抗干擾能力差
4.cmos功耗很小，ttl功耗較大（1～5ma/門）5.cmos的工作頻率較ttl略低，但是高速cmos速度與ttl差不多相當。
ttl電平與cmos電平的區別
5樓：
ttl與cmos相比，電平不同，需要有轉換電路才能連線。區別是ttl電流大，速度快，功耗大，cmos電流小，速度稍慢，功耗小，對稱性好，在cmos裡也沒有懸空表示高電平的說法，而是不定態，在應用中輸入訊號要避免懸空
6樓：九曲清風
是的前面的一位回答的很正確,
我在補充一點:之所以要加上拉電阻,是因為區別是ttl電流大,功耗大,本身的驅動能力不夠,所以要加一個上拉電阻!
7樓：匿名使用者
cmos 3~18v, ttl 0~5v
8樓：載長瑩潛芸
1.cmos是場效電晶體構成(單極性電路)，ttl為雙極電晶體構成（雙極性電路）
2.coms的邏輯電平範圍比較大（5～15v），ttl只能在5v下工作
3.cmos的高低電平之間相差比較大、抗干擾性強，ttl則相差小，抗干擾能力差
4.cmos功耗很小，ttl功耗較大（1～5ma/門）
5.cmos的工作頻率較ttl略低，但是高速cmos速度與ttl差不多相當
6.cmos的噪聲容限比ttl噪聲容限大
7.通常以為ttl門的速度高於「cmos閘電路。影響ttl閘電路工作速度的主要因素是電路內部管子的開關特性、電路結構及內部的各電阻阻數值。
電阻數值越大，工作速度越低。管子的開關時間越長，門的工作速度越低。門的速度主要體現在輸出波形相對於輸入波形上有「傳輸延時」tpd。
將tpd與空載功耗p的乘積稱為「速度-功耗積」，做為器件效能的一個重要指標，其值越小，表明器件的效能越好（一般約為幾十皮（10-12）焦耳）。與ttl閘電路的情況不同，影響cmos電路工作速度的主要因素在於電路的外部，即負載電容cl。cl是主要影響器件工作速度的原因。
由cl所決定的影響cmos門的傳輸延時約為幾十納秒。
8.ttl電路是電流控制器件，而coms電路是電壓控制器件。
希望採納
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