1樓：水劃過
記憶體時序高說明系統的效能較低，延遲大，故會對電腦的效能產生一定的影響。
記憶體定時較低的數字通常意味著更快的效能。決定系統效能的最後一個因素是實際延遲，通常以納秒為單位。
記憶體計時是描述記憶體模組效能的引數。它通常儲存在儲存模組的spd中，簡稱cl值，它是記憶的重要引數之一。一些品牌的記憶體會在記憶體模組的標籤上列印cl值，目前一般較好的記憶體模組都會在引數中標註cl值。
一般來說，時序是決定儲存器效能的一個引數，但並不意味著時序越低，效能越好。它還與儲存容量和頻率有關，只能說在相同容量和頻率的兩個儲存器中，定時越低，效能越好。
擴充套件資料：
記憶體時序具體含義：
儲存器定時是描述儲存器模組效能的引數，通常儲存在儲存器模組的spd中，與通用編號「a-b-c-d」對應的引數是「cl trcd trp tras」，其含義如下：
1、cl：列定址所需的時鐘週期（表示延遲的長度）
的確，在相同的頻率下，cl值越小，儲存模組的效能越好，隨著儲存模組頻率的增加，ddr1-4的cl值越來越大，但其實際cl延遲時間幾乎沒有變化。這意味著cl值越大，儲存模組的cl延遲越大，儲存模組的cl延遲越差，相反ddr1-4的cl值越高，上升頻率越高。
2、trcd：行定址和列定址時鐘週期的區別
trcd的值對記憶的最大頻率有最大的影響，記憶體模組想達到高頻，但如果不能提高電壓，放鬆cl值，只能增加trcd值。
今天的ddr4一般是1.2v。如果你想讓cl看起來很好，如果你想讓記憶體模組被超頻到一個更高的水平，那麼就增加trcd，如果你想要燈光效果，那麼就增加計時。
因此，大的trcd並不意味著壞的儲存模組，相反，它意味著儲存模組可以超過很高的頻率。
3、trp：下一個週期前預充電所需的時鐘週期
雖然trp的影響會隨著銀行的頻繁經營而增加，但其影響也會因銀行間的交叉經營和指令供給而減弱。trp的放鬆有利於提高行地址啟用和關閉的命中率和準確性，放寬trp，使記憶體模組更加相容。
4、tras：儲存一行資料時，從操作開始到定址結束的總時間段。
此操作不經常發生，僅在記憶體空閒或新任務開始時使用。tras值太小會導致資料錯誤或丟失，值太大會影響記憶體效能，如果記憶體模組的負載較大，tras的值可以稍微放寬。
2樓：天寂無痕
記憶體時序高說明系統的效能較低，延遲大。
記憶體時序較低的數字通常意味著更快的效能。決定系統效能的最終元素是實際的延遲時間，通常以納秒為單位。
記憶體時序是描述記憶體條效能的一種引數，一般儲存在記憶體條的spd中，簡稱為cl值，它是記憶體的重要引數之一，某些牌子的記憶體會把cl值印在記憶體條的標籤上。目前，一般好一些的記憶體條，在引數中都會標註cl值。
總的來說，時序是決定記憶體效能的一個引數，但並不是說時序越低，效能就一定越好，它還與記憶體容量、頻率有關。只能說，在相同容量和頻率下的兩條記憶體，時序越低，效能就越好。
擴充套件資料：
記憶體時序具體含義：
記憶體時序是描述記憶體條效能的一種引數，一般儲存在記憶體條的spd中。一般數字「a-b-c-d」分別對應的引數是「cl-trcd-trp-tras」，它們的含義依次為：
1、cl：列定址所需的時鐘週期（表示延遲的長短）
確實是同頻率下，cl值越小記憶體條效能越好。從ddr1-4隨著記憶體條的頻率越來越高，cl值也越來越大，但是其真實的cl延遲時間幾乎沒有什麼變化。這說明並不是cl值越大，記憶體條的cl延遲就越大，記憶體條就越差。
從ddr1-4 cl值越來越大，相反說明cl越大，能上去的頻率越高。
2、trcd：行定址和列定址時鐘週期的差值。
trcd值對記憶體最大頻率影響最大。記憶體條想要上到一個高的頻率，而如果不能加大電壓和放寬cl值，那麼就只能把trcd值增大。
現在的ddr4一般的1.2v，想要cl值好看，還想要記憶體條能超頻到更高，那就加大trcd咯，還想要燈光效果，那就把時序統統的加大。所以trcd大不代表記憶體條差，相反代表記憶體條可以超到一個很高的頻率。
雖然trp的影響會隨著頻繁操作一個bank而加大，但是它的影響也會被bank交叉操作和命令調配所削弱。放寬trp有利於提高行址啟用、關閉的命中率，正確率。放寬trp可讓記憶體條的相容性更好。
4、tras：對某行的資料進行儲存時，從操作開始到定址結束需要的總時間週期。
此操作並不會頻繁發生，只有在記憶體空閒或開始新一個任務的時候才使用它。tras值太小有可能導致資料錯誤或丟失，太大的值則會影響記憶體效能。如果記憶體條負荷較大，一般可以稍微放寬tras值。
記憶體時序高低會影響什麼？
3樓：旁天藍萬曜
時序和頻率如何復平衡還要制穩定,用everest裡的效能bai測試前4項
記憶體讀取,記憶體寫入du,記憶體複製,記憶體潛伏zhi,前三個基本是同比dao
變化,越大越好,最後一個越小越好,每次重新整理有一小點誤差,測三次取箇中間值就可以了,這些測試都很快的.先極限超頻時序或者頻率,測試穩定後降低一個升高另一個,記下效能引數,最後選一個最高的就行了.
4樓：匿名使用者
可以理解為
bai記憶體時序數值越小du記憶體的速度就越快但是zhi記憶體頻dao
率越高的話記憶體時版序也相應升高，1600mhz的記憶體權這個時序是正常的
超記憶體的話不緊可以提高頻率，也可以通過更改時序來提高記憶體速度但是時序的時間越小，記憶體越不穩定。相反越穩定這個**你去看看 什麼都清楚了
不用改 改到777 21也沒多大效果的 那個速度只有軟體才測的出來人是感覺不到的
5樓：匿名使用者
8-8-8-24應該是ddr3的時序吧？
6樓：痛定思痛跩
記憶體時序到底是什麼意思？越大越好？還是越小越好呢？
記憶體時序是什麼？對效能影響大嗎？
7樓：象拔蚌燒賣
記憶體時序是描述同步動態隨機存取儲存器（sdram）效能的四個引數：cl、trcd、trp和tras，單位為時鐘週期。它們通常被寫為四個用破折號分隔開的數字，例如7-8-8-24。
第四個引數（ras）經常被省略，而有時還會加入第五個引數：command rate（命令速率），通常為2t或1t，也寫作2n、1n。
這些引數指定了影響隨機存取儲存器速度的潛伏時間（延遲時間）。較低的數字通常意味著更快的效能。決定系統效能的最終元素是實際的延遲時間，通常以納秒為單位。記憶體時序對效能影響較大。
8樓：it風雲說
記憶體時序到底是什麼意思？越大越好？還是越小越好呢？
9樓：寺山侄蒼
還行，一般頻率越高時序會上升，也就是延遲會大一點，自然對效能有所影響，但對讀寫是沒多大變化的。
10樓：後藤版傭
引數裡面用破折號隔開的那串數字就是了，表示延遲，也就是記憶體的反應時間，當記憶體接收到cpu發來的指令後，通常需要幾個時鐘週期來處理它，比如訪問某一塊資料，這就對應時序引數。這個時間越短記憶體效能越好，所以數字是要往小了去的好。不過一般記憶體頻率上去了，時序就得有所犧牲，時序的改變，對延遲的變化比記憶體讀寫速度變化會更明顯。
挑記憶體挑合適的就行了，日常使用加上玩遊戲，2666hz的就差不多了，像紫光ddr4記憶體，2666mhz頻率型號是cl19-19-19，它配備了散熱馬甲，可以有效降低溫度，避免高溫影響效能，主要價效比也蠻突出，使用起來速度也比較快。
記憶體時序越高效能越好嗎
11樓：天橋臥龍
記憶體時序這個數值越小越好
就像一個人對外界作出的反應一樣
2秒就作出反應肯定比3秒強一個道理
12樓：匿名使用者
不過記憶體頻率越高的話相應的時序也就會越高
同頻率的情況下時序越低越好
13樓：匿名使用者
去看來下自就bai明du白zhi了dao
14樓：匿名使用者
不光時序,也得看頻率
15樓：痛定思痛跩
記憶體時序到底是什麼意思？越大越好？還是越小越好呢？
記憶體頻率對電腦的效能影響有多大
16樓：匿名使用者
電腦記憶體頻率越高越好嗎？
17樓：匿名使用者
在其它配件bai不變的情況下
比du如zhi說667和800
800和1066
就算dao是667升到1066
效能也不會有版很大的提升權
現在記憶體已不是瓶頸，如果你想超頻記憶體來提升效能就不用了。
還不加大記憶體容量如1g記憶體換成2g，玩大遊戲時就會有很明顯的感覺還有超頻cpu會得得到較好的效能提升
18樓：
生命是一條艱險的狹谷，只有勇敢的人才能通過。
一個偉大的靈魂，會強化思想和生命。
記憶體時序是什麼？對效能影響大嗎，記憶體調低時序對效能是否有影響
象拔蚌燒賣 記憶體時序是描述同步動態隨機存取儲存器 sdram 效能的四個引數 cl trcd trp和tras，單位為時鐘週期。它們通常被寫為四個用破折號分隔開的數字，例如7 8 8 24。第四個引數 ras 經常被省略，而有時還會加入第五個引數 command rate 命令速率 通常為2t或1...
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