1樓：聽風說往事
儲存卡是一種固態產品，也就是工作時沒有運動部件。快閃記憶體是採用一種新型的eeprom記憶體(電可擦可寫可程式設計只讀記憶體)，具有記憶體可擦可寫可程式設計的優點，還具有寫入的資料在斷電後不會丟失的優點。所有被廣泛應用用於數碼相機，***，及移動儲存裝置。
儲存卡不需要電池來維持其中儲存的資料。
對所儲存的資料來說，儲存卡比傳統的磁碟驅動器安全性和保護性都更高；比傳統的磁碟驅動器及ⅲ型pc卡的可靠性高5到10倍，而且儲存卡的用電量僅為小型磁碟驅動器的5%左右。儲存卡工作時一般採用邏輯定址方式，它沒有磁頭和磁軌的轉換操作，因此在訪問連續扇區時，操作速度比磁碟的物理定址方式速度快。說得簡單一點，就是使用大規模積體電路來儲存資訊。
存取速度是指快閃記憶體卡在被寫入資料或讀取資料時的資料傳輸速度 。 不同型別的快閃記憶體卡採用的介面規範各不相同，自然各自的存取速度也不相同。即便是同種型別的儲存卡，也受到各廠商製造水平、讀卡器優略，乃至被連線到的主機效能等因素的干擾，在實際也表現出不同的存取速度。
同一塊卡應用於不同的相機，也可能表現出速度的差異，這受到相機快閃記憶體卡介面效能差異的影響。 可以隨身攜帶，方便，實用。
說簡單點就是快閃記憶體技術 因為那個晶片可以儲存東西
2樓：萌萌不知道
儲存卡工作時一般採用邏輯定址方式，它沒有磁頭和磁軌的轉換操作，因此在訪問連續扇區時，操作速度比磁碟的物理定址方式速度快。
3樓：
具有記憶體可擦可寫可程式設計的優點，還具有寫入的資料在斷電後不會丟失的優點
4樓：瓶蓋缺塞兒
這和奈米技術有著很大關係，小小的記憶體卡是有這很大的科技型的。
5樓：風蜂蜜柚子茶
因為這是資訊的數字化處理啊，虛擬的儲存在卡里。
6樓：
是因為資料值一些不能用大小來衡量的東西。
7樓：
我覺得還是有很多的厲害之處啊，你覺得是不是得呀
8樓：夔恰子
因為裡面特殊的晶片可以處理儲存那麼多的資訊啊，這就是科技
9樓：
這是因為本身的資料庫是非常的大的啊所以東西小。
記憶體卡為何小小的一個卡片，能夠儲存幾十gb的容量？
10樓：勤奮的爆
儲存卡是一種固態產品，也就是工作時沒有運動部件。快閃記憶體是採用一種新型的eeprom記憶體(電可擦可寫可程式設計只讀記憶體)，具有記憶體可擦可寫可程式設計的優點，還具有寫入的資料在斷電後不會丟失的優點。所有被廣泛應用用於數碼相機，***，及移動儲存裝置。
儲存卡不需要電池來維持其中儲存的資料。
對所儲存的資料來說，儲存卡比傳統的磁碟驅動器安全性和保護性都更高；比傳統的磁碟驅動器及ⅲ型pc卡的可靠性高5到10倍，而且儲存卡的用電量僅為小型磁碟驅動器的5%左右。儲存卡工作時一般採用邏輯定址方式，它沒有磁頭和磁軌的轉換操作，因此在訪問連續扇區時，操作速度比磁碟的物理定址方式速度快。說得簡單一點，就是使用大規模積體電路來儲存資訊。
存取速度是指快閃記憶體卡在被寫入資料或讀取資料時的資料傳輸速度 。 不同型別的快閃記憶體卡採用的介面規範各不相同，自然各自的存取速度也不相同。即便是同種型別的儲存卡，也受到各廠商製造水平、讀卡器優略，乃至被連線到的主機效能等因素的干擾，在實際也表現出不同的存取速度。
同一塊卡應用於不同的相機，也可能表現出速度的差異，這受到相機快閃記憶體卡介面效能差異的影響。 可以隨身攜帶，方便，實用。
說簡單點就是快閃記憶體技術 因為那個晶片可以儲存東西
11樓：這很撩妹
快閃記憶體是採用一種新型的eeprom記憶體(電可擦可寫可程式設計只讀記憶體)，具有記憶體可擦可寫可程式設計的優點
12樓：仲夏信咖
記憶體卡屬於快閃記憶體flash型別的產品而快閃記憶體是以單電晶體作為二進位制訊號的儲存單元，其結構與普通的半導體電晶體非常類似，區別在於快閃記憶體的電晶體加入了「浮動柵（floating gate）」和「控制柵（control gate）」。
13樓：浪子一個寶寶
浮動柵用於貯存電子，表面被一層矽氧化物絕緣體所包覆，並通過電容與控制柵相耦合。
14樓：我唯有詩和遠方
這是因為，矽單質的原子排列是有順序的，這些順序就記錄著龐大的資料
15樓：小南瓜愛吃玉米
指內含積體電路的矽片，體積很小。晶片的原料晶圓的成分是矽，是由石英沙所精練出來的，晶圓便是矽元素加以純化（99.999%），接著是將些純矽製成矽晶棒，成為製造積體電路的石英半導體的材料.
16樓：臭不要臉的乞丐
儲存卡是一種固態產品，也就是工作時沒有運動部件
17樓：女吃貨
這和晶片中的矽元素有關的
18樓：冬夜裡的白玫瑰
這和矽單質原子的有序排列有關
19樓：貓西北和狗東西
矽單質的原子排列是有順序的
記憶體卡是什麼工作原理？那麼小的東東能容納幾十gb容量？
20樓：匿名使用者
儲存資料並不需要很大的空間，記憶體卡是採用大規模積體電路，內部整合的儲存單元本身非常小，所以可以存到幾十gb的資料。
21樓：魔力瓜瓜
快閃記憶體（flash memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所儲存的資料資訊）的儲存器，資料刪除不是以單個的位元組為單位而是以固定的區塊為單位（注意：nor flash 為位元組儲存。）
要講解快閃記憶體的儲存原理，還是要從eprom和eeprom說起。
eprom是指其中的內容可以通過特殊手段擦去，然後重新寫入。其基本單元電路（儲存細胞），常採用浮空柵雪崩注入式mos電路，簡稱為famos。它與mos電路相似，是在n型基片上生長出兩個高濃度的p型區，通過歐姆接觸分別引出源極s和漏極d。
在源極和漏極之間有一個多晶矽柵極浮空在sio2絕緣層中，與四周無直接電氣聯接。這種電路以浮空柵極是否帶電來表示存1或者0，浮空柵極帶電後（譬如負電荷），就在其下面，源極和漏極之間感應出正的導電溝道，使mos管導通，即表示存入0。若浮空柵極不帶電，則不形成導電溝道，mos管不導通，即存入1。
eeprom基本儲存單元電路的工作原理如下圖所示。與eprom相似，它是在eprom基本單元電路的浮空柵的上面再生成一個浮空柵，前者稱為第一級浮空柵，後者稱為第二級浮空柵。可給第二級浮空柵引出一個電極，使第二級浮空柵極接某一電壓vg。
若vg為正電壓，第一浮空柵極與漏極之間產生隧道效應，使電子注入第一浮空柵極，即程式設計寫入。若使vg為負電壓，強使第一級浮空柵極的電子散失，即擦除。擦除後可重新寫入。
快閃記憶體的基本單元電路，與eeprom類似，也是由雙層浮空柵mos管組成。但是第一層柵介質很薄，作為隧道氧化層。寫入方法與eeprom相同，在第二級浮空柵加以正電壓，使電子進入第一級浮空柵。
讀出方法與eprom相同。擦除方法是在源極加正電壓利用第一級浮空柵與源極之間的隧道效應，把注入至浮空柵的負電荷吸引到源極。由於利用源極加正電壓擦除，因此各單元的源極聯在一起，這樣，快擦儲存器不能按位元組擦除，而是全片或分塊擦除。
到後來，隨著半導體技術的改進，快閃記憶體也實現了單電晶體（1t）的設計，主要就是在原有的電晶體上加入了浮動柵和選擇柵，
在源極和漏極之間電流單向傳導的半導體上形成貯存電子的浮動棚。浮動柵包裹著一層矽氧化膜絕緣體。它的上面是在源極和漏極之間控制傳導電流的選擇/控制柵。
資料是0或1取決於在矽底板上形成的浮動柵中是否有電子。有電子為0，無電子為1。
快閃記憶體就如同其名字一樣，寫入前刪除資料進行初始化。具體說就是從所有浮動柵中匯出電子。即將有所資料歸「1」。
寫入時只有資料為0時才進行寫入，資料為1時則什麼也不做。寫入0時，向柵電極和漏極施加高電壓，增加在源極和漏極之間傳導的電子能量。這樣一來，電子就會突破氧化膜絕緣體，進入浮動柵。
讀取資料時，向柵電極施加一定的電壓，電流大為1，電流小則定為0。浮動柵沒有電子的狀態（資料為1）下，在柵電極施加電壓的狀態時向漏極施加電壓，源極和漏極之間由於大量電子的移動，就會產生電流。而在浮動柵有電子的狀態（資料為0）下，溝道中傳導的電子就會減少。
因為施加在柵電極的電壓被浮動柵電子吸收後，很難對溝道產生影響。
一張手機的記憶體卡那麼小，怎麼能存放那麼多東西。為什麼？
22樓：小司
儲存原理，還是要從eprom和eeprom說起。 eprom是指其中的內容可以通過特殊手段擦去，然後重新寫入。其基本單元電路（儲存細胞）如下圖所示，常採用浮空柵雪崩注入式mos電路，簡稱為famos。
它與mos電路相似，是在n型基片上生長出兩個高濃度的p型區，通過歐姆接觸分別引出源極s和漏極d。在源極和漏極之間有一個多晶矽柵極浮空在sio2絕緣層中，與四周無直接電氣聯接。這種電路以浮空柵極是否帶電來表示存1或者0，浮空柵極帶電後（譬如負電荷），就在其下面，源極和漏極之間感應出正的導電溝道，使mos管導通，即表示存入0。
若浮空柵極不帶電，則不形成導電溝道，mos管不導通，即存入1。 eeprom基本儲存單元電路的工作原理如下圖所示。與eprom相似，它是在eprom基本單元電路的浮空柵的上面再生成一個浮空柵，前者稱為第一級浮空柵，後者稱為第二級浮空柵。
可給第二級浮空柵引出一個電極，使第二級浮空柵極接某一電壓vg。若vg為正電壓，第一浮空柵極與漏極之間產生隧道效應，使電子注入第一浮空柵極，即程式設計寫入。若使vg為負電壓，強使第一級浮空柵極的電子散失，即擦除。
擦除後可重新寫入。 快閃記憶體的基本單元電路如下圖所示，與eeprom類似，也是由雙層浮空柵mos管組成。但是第一層柵介質很薄，作為隧道氧化層。
寫入方法與eeprom相同，在第二級浮空柵加以正電壓，使電子進入第一級浮空柵。讀出方法與eprom相同。擦除方法是在源極加正電壓利用第一級浮空柵與源極之間的隧道效應，把注入至浮空柵的負電荷吸引到源極。
由於利用源極加正電壓擦除，因此各單元的源極聯在一起，這樣，快擦儲存器不能按位元組擦除，而是全片或分塊擦除。 到後來，隨著半導體技術的改進，快閃記憶體也實現了單電晶體（1t）的設計，主要就是在原有的電晶體上加入了浮動柵和選擇柵， 在源極和漏極之間電流單向傳導的半導體上形成貯存電子的浮動棚。浮動柵包裹著一層矽氧化膜絕緣體。
它的上面是在源極和漏極之間控制傳導電流的選擇/控制柵。資料是0或1取決於在矽底板上形成的浮動柵中是否有電子。有電子為0，無電子為1。
快閃記憶體就如同其名字一樣，寫入前刪除資料進行初始化。具體說就是從所有浮動柵中匯出電子。即將有所資料歸「1」。
寫入時只有資料為0時才進行寫入，資料為1時則什麼也不做。寫入0時，向柵電極和漏極施加高電壓，增加在源極和漏極之間傳導的電子能量。這樣一來，電子就會突破氧化膜絕緣體，進入浮動柵。
讀取資料時，向柵電極施加一定的電壓，電流大為1，電流小則定為0。浮動柵沒有電子的狀態（資料為1）下，在柵電極施加電壓的狀態時向漏極施加電壓，源極和漏極之間由於大量電子的移動，就會產生電流。而在浮動柵有電子的狀態（資料為0）下，溝道中傳導的電子就會減少。
因為施加在柵電極的電壓被浮動柵電子吸收後，很難對溝道產生影響。
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