1樓:一笑
封裝尺寸是長x寬,0805,0603,1206 這些單位是英制,0805代表0.8英寸x0.5英寸,而1英寸=25.4毫米
以下是尺寸列表 :
1206
l:1.2inch(3.2mm)w:0.6inch(1.6mm)0805
l:0.8inch(2.0mm)w:0.5inch(1.25mm)0603
l:0.6inch(1.6mm)w:0.3inch(0.8mm)0402
l:0.4inch(1.0mm)w:0.2inch(0.5mm)
2樓:
你的單位搞混了,例如1206應該是
l:0.12inch(3.2mm)w:0.06inch(1.6mm)
1206指的是120mil和60mil,而120mil=0.12inch,0.12inch=3mm
3樓:
1inch=25.4mm
0805是指0.08inch, 不是0.8inch
4樓:踩樹葉
小數點多點了一位0.08 x 0.05
5樓:
相差十倍啊,應該是0.08 * 25.4mm = 2.032mm
6樓:夕陽伴楓葉
0805代表0.08英寸x0.05英寸, 1英寸=1000mil, 1mm=39.37mil.
7樓:追你從不悔
0.08英寸*0.05 =0805吧
8樓:永不言敗的甲殼蟲
0805,0603,1206 這些單位是英制,0805代表0.08英寸x0.05英寸,1英寸=25.4毫米
二三極體中,1206對應的是什麼封裝,0805對應的是什麼封裝!
9樓:此id已成大爺
1206對應封裝為:l:1.2inch(3.2mm)w:0.6inch(1.6mm)。
0805對應封裝為:l:0.8inch(2.0mm)w:0.5inch(1.25mm)。
封裝尺寸是長x寬,0805,0603,1206 這些單位是英制,0805代表0.8英寸x0.5英寸,而1英寸=25.4毫米。
注意:封裝尺寸是實物封裝的尺寸,不是焊盤的或者pcb封裝圖的尺寸,pcb封裝圖的尺寸會稍微大些。
二三極體封裝不同大小體積的原因:
1、不同大小的封裝所對應的額定的功率是不同的,所以不同的封裝要根據在產品設計中需要的功率進行選擇。
2、就是不同的大小的封裝體積是不盡相同的,那麼同樣是在設計可穿戴等裝置的時候通常要選擇小體積器件。
3、原因就是封裝的大小對高頻訊號有著不同的影響,體積越小的電阻的高頻特性越好。
4、就是個人的焊接問題了,如果在平時的做試驗中我們沒有足夠的焊接功底,那麼自然我們就要選擇相對比較大體積的電阻進行焊接了,因為體積越大就越好焊接。
10樓:戎蘊秋梵
二三極體中,1206對應的是什麼封裝,0805對應的是什麼封裝!
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此id已成大爺
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1206對應封裝為:l:1.2inch(3.2mm)w:0.6inch(1.6mm)。
0805對應封裝為:l:0.8inch(2.0mm)w:0.5inch(1.25mm)。
封裝尺寸是長x寬,0805,0603,1206 這些單位是英制,0805代表0.8英寸x0.5英寸,而1英寸=25.4毫米。
注意:封裝尺寸是實物封裝的尺寸,不是焊盤的或者pcb封裝圖的尺寸,pcb封裝圖的尺寸會稍微大些。
二三極體封裝不同大小體積的原因:
1、不同大小的封裝所對應的額定的功率是不同的,所以不同的封裝要根據在產品設計中需要的功率進行選擇。
2、就是不同的大小的封裝體積是不盡相同的,那麼同樣是在設計可穿戴等裝置的時候通常要選擇小體積器件。
3、原因就是封裝的大小對高頻訊號有著不同的影響,體積越小的電阻的高頻特性越好。
4、就是個人的焊接問題了,如果在平時的做試驗中我們沒有足夠的焊接功底,那麼自然我們就要選擇相對比較大體積的電阻進行焊接了,因為體積越大就越好焊接。
擴充套件資料:
常見二極體封裝的特殊命名方式及尺寸如下:
0402對應封裝為1.0*0.5mm,特殊命名為sod-723,尺寸為1.4*0.6mm。
0603對應封裝為1.6*0.8mm,特殊命名為sod-523,尺寸為1.6*0.8mm。
0805對應封裝為2.0*1.2mm,特殊命名為sod-323 ,尺寸為2.65*1.3mm micromelf:1.9*1.2。
1206對應封裝為3.2*1.6mm,特殊命名為sod-123,尺寸為3.7*1.6mm minimelf :3.5*1.5。
例如:1206:表示那個元件的長120mil,寬60mil。
mil為pcb 或晶片佈局的長度單位,1 mil = 千分之一英寸。即1mil=0.00254cm。
11樓:匿名使用者
0805和1206本身是標準的無極性封裝,很多器件都有這種封裝。但不適用於二極體和三極體,一些小功率的二極體可能採用類似於0805或1206的封裝,由於二極體是極性元件,絲印需要做好標記。
12樓:匿名使用者
1206封裝對應 二極體的封裝 sod123;
0805封裝對應 二極體的封裝 sod323;
0603封裝對應 二極體的封裝 sod523;
13樓:匿名使用者
貼片二極體封裝的特殊命名方式及尺寸
0402=1.0*0.5mm sod-723 :1.4*0.6mm
0603=1.6*0.8mm sod-523 :1.6*0.8mm
0805=2.0*1.2mm sod-323 :2.65*1.3mm micromelf:1.9*1.2
1206=3.2*1.6mm sod-123 :3.7*1.6mm minimelf : 3.5*1.5
例如:1206:表示那個元件的長120mil,寬60mil
mil:pcb 或晶片佈局的長度單位,1 mil = 千分之一英寸。
1mil=0.00254cm
www.luguang.cn
14樓:
0805和1206本身就是標準封裝,很多器件都有這種封裝。
15樓:職場戴老師
電磁脈衝由核**和非核電磁脈衝彈(高功率微波彈)**而產生。核**產生的電磁脈衝稱為核電磁脈衝,任何在地面以上**的核**都會產生電磁脈衝,能量大約佔核**總能量的百萬分之一,頻率從幾百赫到幾兆赫。非核電磁脈衝彈則利用炸藥**或化學燃料燃燒產生的能量,通過微波器件轉換成高功率微波輻射能,能發射峰值功率在幾瓦以上、頻率為1吉赫~300吉赫的脈衝微波束,在裸露的導電體(例如裸露的電線、印刷電路板的印製線)上急劇產生數千伏的瞬變電壓,對大量電子裝置造成無法挽回的損壞。
以下來自貼吧:
emp電磁脈衝裝置元器件清單
元件器 說明
r1 3個47k,1w電阻(黃一紫一橙)串聯連線
d1,d2 兩個16kv,10ma快速恢復高壓整流器
c1 0.05uf,5kv電容
l1 採用#12銅線繞制的電感,繞3圈,直徑1cm
l2 電感線圈,見文中說明
訊號對敏感電路干擾的能力需要有幾個屬性。大多數微處理器由工作電壓非
常低的場效應電晶體(fet)組成。一旦工作電壓過大,災難性故障就即將來臨。
在實際中是不能寬恕這種過壓錯誤的,因為控制部件之間為超細金屬氧化物。在
這些控制部件之間產生的任何過壓,必然產生永久性破壞,在某些嚴重的場合下,
還會導致程式消失。由外部電源產生這些破壞性電壓需要電壓的波動,這種波動
能夠在電路板的走線上、元器件和其他關鍵點上產生持續的能量波動。因此,對電
路來說,外部訊號的能量必須足夠高,因為在這個波長上,幾何尺寸是能量非常重
要的一部分。微波具有快速的上升時間(等效為傅立葉頻率高),且持續時間短,因
此會獲得最好的效果。所需要的能量是巨大的,這個能量勢必會產生更大的破壞。
一種良好的度量方法是能量除以波長的商。大功率的微波脈衝能夠通過下面介紹
的幾種方法產生。
**物的磁力線壓縮驅動虛陰極振盪器,其一般的相關物能夠僅從幾百焦耳
產生千兆瓦的峰值功率。最初始的電流變成脈衝送入電感器,而電流的峰值被成
形的**物電荷壓縮,因而捕獲磁力線併產生很高能量的電流源。利用極高速度
的**物如三甲基三硝胺(cyclotrimethyltrinitramine),它的派生詞是petn或相
當能量的**物,線圈沿著其軸向和徑向壓縮。這些捕獲的磁力線產生能量增長,
通過微波激勵(hepm)變成最終的大功率峰值的脈衝。像原子能初始**一樣,
磁力線壓縮需要**充電器的精確定時。對於磁力線壓縮,克里管(krytron)開關
求常用電子元件封裝的名稱列表
16樓:匿名使用者
ic 為 integrated circuit(積體電路塊)之英文縮寫,業界一般以 ic 的封裝形式來劃分其型別,傳統 ic 有e69da5e6ba9062616964757a686964616f31333431373239 sop、soj、qfp、plcc 等等,現在比較新型的 ic 有 bga、csp、flip chip 等等,這些零件型別因其 pin (零件腳)的多寡大小以及 pin 與 pin 之間的間距不一樣,呈現出各種各樣的形狀。
1、sop(small outline package):零件兩面有腳,腳向外張開(一般稱為鷗翼型引腳).
2、soj(small outline j-lead package):零件兩面有腳,腳向零件底部彎曲(j 型引腳)。
3、qfp(quad flat package):零件四邊有腳,零件腳向外張開。
4、plcc(plastic leadless chip carrier):零件四邊有腳,零件腳向零件底部彎曲。
5、bga(ball grid array):零件表面無腳,其腳成球狀矩陣排列於零件底部。
6、csp(chip scal package):零件尺寸包裝。
擴充套件資料:
電子封裝元件:
1、ae, ant:天線(antenna)
2、b:電池(battery)
3、br:橋式整流器(bridge rectifier)
4、c:電容器(capacitor)
5、crt:陰極射線管(cathode ray tube)
6、d或cr:二極體(diode)
7、dsp:數字訊號處理器(digital signal processor)
8、f:保險絲(fuse)
9、fet:場效電晶體(field effect transistor)
10、gdt:氣體放電管(gas discharge tube)
11、ic:積體電路(integrated circuit)
12、j:跳線或跳接點(jumper)
13、jfet:結型場效電晶體(junction gate field-effect transistor)
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