1樓：匿名使用者
多子和少子的形成:五價元素的原子有五個價電子，當它頂替晶格中的四價矽原子時，每個五價元素原子中的四個價電子與周圍四個矽原子以共價鍵形式相結合，而餘下的一個就不受共價鍵束縛，它在室溫時所獲得的熱能足以便它掙脫原子核的吸引而變成自由電子，如圖所示。出於該電子不是共價鍵中的價電子，因而不會同時產生空穴。
而對於每個五價元素原子，儘管它釋放出一個自由電子後變成帶一個電子電荷量的正離子，但它束縛在晶格中，不能象載流子那樣起導電作用。這樣，與本徵激發濃度相比，n型半導體中自由電子濃度大大增加了，而空穴因與自由電子相遇而複合的機會增大，其濃度反而更小了。
多子---在n型半導體中，將自由電子稱為多數載流子，簡稱多子；
少子---在n型半導體中，空穴稱為少數載梳子，簡稱少子。
施主雜質---將五價元素稱為施主雜質，它是受晶格束縛的正離子。
在矽或鍺晶體中摻入少量的五價元素磷（或銻）是施主雜質，晶體點陣中的某些半導體原子被雜質取代，磷原子的最外層有五個價電子，其中四個與相臨的半導體原子形成共價鍵，必定多出一個電子，這個電子幾乎不受束縛，很容易被激發而成為自由電子，這樣磷原子就成了不能移動的帶正電的離子。每個磷原子給出一個電子，稱為施主原子。
2樓：傾蓋如故
多子，即多數載流子，是半導體物理的概念。半導體材料中有電子和空穴兩種載流子。如果在半導體材料中某種載流子佔大多數，導電中起到主要作用，則稱它為多子。
如果在半導體材料中某種載流子佔少數，導電中起到次要作用，則稱它為少子。它相對於多子而言。少子濃度主要由本徵激發決定，所以受溫度影響較大。
如，在n型半導體中,空穴是少數載流子，電子是多數載流子；在p型半導體中，空穴是多數載流子，電子是少數載流子。
擴充套件資料
多子和少子的形成：以矽為例，五價元素的原子有五個價電子，當它頂替晶格中的四價矽原子時，每個五價元素原子中的四個價電子與周圍四個矽原子以共價鍵形式相結合，而餘下的一個就不受共價鍵束縛，它在室溫時所獲得的熱能足以使它掙脫原子核的吸引而變成自由電子。
出於該電子不是共價鍵中的價電子，因而不會同時產生空穴。而對於每個五價元素原子，儘管它釋放出一個自由電子後變成帶一個電子電荷量的正離子，但它束縛在晶格中，不能象載流子那樣起導電作用。
這樣，與本徵激發濃度相比，n型半導體中自由電子濃度增加了，而空穴因與自由電子相遇而複合的機會增大，其濃度反而更小了。
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