頻率對電容器有影響嗎,頻率與電容的關係??

時間 2022-07-17 05:30:03

1樓:董旋他大哥

交流電是能夠通過電容的,但是將電容器接入交流電路中時,由於電容器的不斷充電、放電,所以電容器極板上所帶電荷對定向移動的電荷具有阻礙作用,物理學上把這種阻礙作用稱為容抗,用字母xc表示。所以電容對交流電仍然有阻礙作用。電容對交流電的阻礙作用叫做容抗。

電容量大,交流電容易通過電容,說明電容量大,電容的阻礙作用小;交流電的頻率高,交流電也容易通過電容,說明頻率高,電容的阻礙作用也小。實驗證明,容抗和電容成反比,和頻率也成反比。如果容抗用xc表示,電容用c表示,頻率用f表示,那麼

xc=1/(2πfc)

容抗的單位是歐姆。知道了交流電的頻率f和電容c,就可以用上式把容抗計算出來。

說明 ①在純電容電路中,接通電源時,電源的電壓使導線中自由電荷向某一方向作定向運動,由於電容器兩極板上在此過程中電荷積累而產生電勢差,因而反抗電荷的繼續運動,這樣就形成容抗。

②對於帶同樣電量的電容器來說,電容越大,兩板的電勢差越小,所以容抗和電容成反比。交流電頻率越高,充、放電進行得越快,容抗就越小。所、以容抗和頻率也成反比。即xc=1/ωc。

③在理想條件下,當ω=0,因為xc=1/ωc,則xc趨向無窮大,這說明直流電將無法通過電容,所以電容器的作用是「通交,隔直」。在交流電路中,常應用容抗的頻率特性來「通高頻交流,阻低頻直流」。

④在純電容的電路中,電容器極板上的電量和電壓的關係式是q=cu。同時在△t時間內電容器極板上電荷變化為△q所以電路中電流為i=△q/△t,在電容電路中電容的基本規律是i=c·△u/△t。由於正弦交流電在一週期內的電壓作週期變化,所以電壓的變化率(△q/△t)是在改變的。

由此得出,當電壓為零時,其電壓變化率(△q/△t)為最大,電路中電流也最大。反之,當電壓為最大值時,其電壓變化率(△q/△t)為零,電流也為零。所以電路中電流的相位超前於電容兩端電壓的π/2。

⑤在純電容電路中的電容不消耗電能。因為在充電過程中,電容器極板間建立了電場將電源的電能轉換成電場能,在放電過程中,電場逐漸消失,儲藏的電場能又轉換為電能返回給電源。所以純電容電路的有功功率為零,對外不作功,而無功功率的最大值ql=i2xc。

2樓:黎哲妍多名

你的公式是理想電容器的公式,實際中不是這樣的,電容上面有雜散引數存在,有等效電感

所以這個阻抗是容抗和感抗的總和

電解電容的引腳有很大的寄生電感存在,在高頻時,這個電感的影響尤為明顯所以電容曲線都是先下降,到最低點後呈上身趨勢即:電解電容在頻率超過諧振點以後呈感性

這也是電解電容無法應用在高頻的屏障,適當並聯小電容可以緩解表貼瓷片電容以及三端電容都可以更好的去除寄生電感的影響,但卻沒有電解電容那樣可以做到很大的容量

頻率與電容的關係??

3樓:玉杵搗藥

電容,是器件本身的屬性,其大小與頻率無關。

樓主是想問rc振盪器或者lc振盪器的振盪頻率是電容容量的關係嗎?還是問電容的容抗與頻率的關係?

1、如果是rc振盪器振盪頻率與電容容量的關係:

假設頻率是f,電容量是c,電阻值是r

有:f=1/(2πrc)

2、如果是lc振盪器振盪頻率與電容容量的關係:

假設頻率是f,電容量是c,電感量是l

有:f=1/[2π√(lc)]

3、如果是電容的容抗與頻率的關係:

假設頻率是f,電容量是c,容抗是rc

有:rc=1/(2πfc)

4樓:我的影子很苗條

電容與頻率是離不開的,關係應該是很密切的。

1.大容量的電容對高頻的響應很差對低頻的響應卻好,而容量小的電容對低頻的響應很差而對高頻的響應卻非常好。

電容容量與頻率是曲線關係,在諧振點之前,電容容量隨頻率的增加而減小,在諧振點之後,電容容量隨頻率的增加而增加。

上面說的曲線關係,是電容量與頻率的關係,即z(=esr+jwl-j/wc)與頻率的關係。在低頻範圍內,電容呈現容抗特性;中頻範圍內,主要是esr特性;高頻範圍內,感抗佔主導作用。

簡單得說,就是器件上不可避免得帶有寄生電感和寄生電容。隨著頻率的提高,電容的電抗值將越來越接近0,而寄生電感的電抗值卻逐漸增大,最後超過電容的電抗而使整個器件表現為電感性。容量越大的電容,其高頻電抗值越接近0,就越容易被本身的寄生電感所超越。

這個在數學上也很簡單,把電容等效成電容+寄生電感+寄生電阻,如green novice所說,z=esr+jwl-j/wc,其低頻為電容性,高頻為電感性,在諧振頻率上表現為一個純電阻。 同理,電感在高頻也可能表現為電容性,而且越大的電感越容易發生這樣的事情。

2.電容的大小和頻率也與它們的製造工藝有關係。

電容與頻率的關係是曲線的,有沒有這方面的關係計算式。可以在實踐在套用。

設計時應確定使用高頻低頻中頻三種去耦電容,中頻與低頻去耦電容可根據器件與pcb功耗決定,可分別選47-1000uf和470-3300uf;高頻電容計算為: c="p/v"*v*f

頻率特性:指電容器的電引數隨電場頻率而變化的性質。在高頻條件下工作的電容器,由於介電常數在高頻時比低頻時小,電容量也相應減小,損耗也隨頻率的升高而增加。

另外,在高頻工作時,電容器的分佈引數,如極片電阻、引線和極片間的電阻、極片的自身電感、引線電感等,都會影響電容器的效能。所有這些,使得電容器的使用頻率受到限制。

理論和實驗表明 平行板電容器的電容c跟介電常數ε成正比 跟正對面積成反比 根極板間的距離d成反比 有

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