1樓：匿名使用者
在下面,帶隙結構的各種重要和原型半導體進行了討論。樂隊低於基本能隙稱為價帶。樂隊在它上面,導帶。
的能帶是能量最高的價帶之間的分離狀態和最低導帶狀態。最大的是對於大多數半導體價帶在t點。
1.矽對於矽,一個元素半導體(圖3 2)最低的導帶位於選擇x點在0.85(^ / a)在< 100 >方向。
因此,它不是在同一點在k空間為價帶的頂部。這樣一個帶結構被稱為間接。因為有六< 100 >方向的等效,有六個等效傳導帶的最小值。
2.砷化鎵
砷化鎵(圖3 3)是一種複合半導體帶隙直接從頂部的價帶和導帶的底部都處於同一位置在k空間(在t點)。接下來的最高(當地)最低的導帶是接近l點。
望及時採納
2樓：匿名使用者
接下來討論多種典型而重要的半導體能帶結構。在帶隙下的能帶，叫做價帶；在上邊的叫做導帶。帶隙是價帶的最高處與導帶的最低處之間的能量差。對大多數半導體來說，其價帶在t點達到最寬。
我就給你翻譯一段吧，下面兩段跟固體物理學中的布拉格晶格有關了。
學微電子的話要先吧英語學好。
幫翻譯一下這段微電子學專業英語，謝謝。好的話加分。
3樓：
由於還受某些生產工藝特性的影響，因此mosfet的門限電壓是難於（在量產前）準確預估的。實踐中一般都會固化特定的製造工藝，並從量產產品中選取樣品進行測量後得到mosfet的門限電壓。
門限電壓的測量方法是將樣品測得的伏安特性曲線與理論計算值進行比較。首先按照公式6,27，在門限上方未飽和段的漏極電流符合公式（公式略）。公式7.
1所建立的模型已包含了橫向段及縱向段的效應（即加速飽和）。當vds足夠小時，可忽略飽和加速度，於是公式7.1可近似處理為（公式略）。
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