1樓：匿名使用者
僅供參考
背散射電子像的襯度要比二次電子像的襯度大，二次電子一般用於形貌分析，背散射電子一般用於區別不同的相。
二次電子像：
1）凸出的尖稜，小粒子以及比較陡的斜面處二次電子產額較多，在熒光屏上這部分的亮度較大。
2）平面上的二次電子產額較小，亮度較低。
3）在深的凹槽底部儘管能產生較多二次電子，使其不易被控制到，因此相應襯度也較暗。
背散射電子像：
1）用背散射電子進行形貌分析時，其解析度遠比二次電子像低。
2）背散射電子能量高，以直線軌跡逸出樣品表面，對於背向檢測器的樣品表面，因檢測器無法收集到背散射電子而變成一片陰影，因此，其圖象襯度很強，襯度太大會失去細節的層次，不利於分析。因此，背散射電子形貌分析效果遠不及二次電子，故一般不用背散射電子訊號。
2樓：匿名使用者
二次電子成像一般是掃描電鏡最基本的配置，影象主要反映表面幾何形貌的反差資訊，同時也有一定程度的原子序數反差資訊，但以幾何形貌反差為主.二次電子出射深度和範圍主要和電子束斑直徑有關，所以可以實現高分辨形貌觀察。
背散射電子成像一般是選配，背散射探測器不像二次電子探測器基本上是一種，而是有幾種選擇，效果有不小差異，**也有差別。背散射電子影象主要反映樣品表面一定厚度範圍內密度反差（和平均原子序數有關，因此也稱作原子序數反差或者成分反差），由於背散射電子產額也與表面幾何形貌有一定函式關係，因此頁有一定程度的形貌反差，但以平均原子序數反差為主。由於背散射電子出射深度和作用區的大小有關，因此一般作用區的尺寸相比電子束斑大的多，因此背散射電子訊號的空間解析度相對se訊號要低的多。
在雙訊號成像掃描電鏡中，可以同時採集se影象和bse影象，雙屏同時顯示，以精確比較。 也可以訊號混合形成更加精確地形貌和平均原子序數反差影象。
二次電子是怎樣產生的？其特徵是？二次電子的像襯度取決於什麼因素
3樓：匿名使用者
僅供參考
背散射電子像的襯度要比二次電子像的襯度大,二次電子一般用於形貌分析,背散射電子一般用於區別不同的相.
二次電子像：
1）凸出的尖稜,小粒子以及比較陡的斜面處二次電子產額較多,在熒光屏上這部分的亮度較大.
2）平面上的二次電子產額較小,亮度較低.
3）在深的凹槽底部儘管能產生較多二次電子,使其不易被控制到,因此相應襯度也較暗.
背散射電子像：
1）用背散射電子進行形貌分析時,其解析度遠比二次電子像低.
2）背散射電子能量高,以直線軌跡逸出樣品表面,對於背向檢測器的樣品表面,因檢測器無法收集到背散射電子而變成一片陰影,因此,其圖象襯度很強,襯度太大會失去細節的層次,不利於分析.因此,背散射電子形貌分析效果遠不及二次電子,故一般不用背散射電子訊號.
4樓：
產生：被入射電子束轟擊出樣品表面的核外電子特徵：（1）二次電子在表層5-10nm深度發射出來，能量低於50ev。
（2）二次電子產額對樣品表面形貌敏感，而與樣品表面原子序數無明顯依賴關係，因此無法用來做成分分析，經常用來做表面形貌分析。sem的解析度就是二次電子的解析度。
二次電子的像襯度取決於試樣表面相對於入射電子束的傾角，隨樣品表面傾角增加，二次電子發射係數增加。
二次函式和根號下的二次函式的區別
f x x 2x 8 x 2x 8 0 x 2x 8 0 x 4 x 2 0 4 x 2 令g x x 2x 8 x 1 9,x 4,2 f x g x g x 的對稱軸x 1 當x 1,2 時 由冪函式的單調性可知x g x f x f x 的單調遞減區間是 1,2 兩者的圖象沒什麼聯絡的,根號下...
二次免疫和細胞免疫什麼關係，二次免疫的原理和特點各是什麼？有何應用？
李代日 二此免疫就體液免疫,b細胞產生抗體.t細胞接觸靶細胞免疫.效應b細胞即靶細胞. 呵呵。t細胞產生的免疫應答是細胞免疫，細胞免疫的效應形式主要有兩種 與靶細胞特異性結合，破壞靶細胞膜，直接殺傷靶細胞 另一種是釋放淋巴因子，最終使免疫效應擴大和增強。你題目中都說了，是抗原入侵。因此是體液免疫，這...
關於二次函式與X軸和Y軸的交點，二次函式與X軸交點的座標差公式是什麼？
仰鴻煊依獻 y ax 2 bx c c是於y軸的交點 t b 2 4ac 當 t大於零時 於y軸有兩個交點 當 t等於零時 於y軸有一個交點 當 t小於零時 於y軸無交點 申屠谷翠辜丹 與y軸交點橫座標為0，代入函式式求出縱座標既可 分別是 0,8 0,3 0,3 0,26 0,6 0,1 與x軸交...