1樓：匿名使用者
差分電荷密度是什麼？
用vesta 做vasp差分電荷（c-a+b）圖方法：
1、匯入 c 的chgcar（拖拽到vesta）面板框中
2、edit——>edit data——>volumetric data————>import (選擇a 的chgcar)——>subtract
from current data——>ok
3、edit——>edit data——>volumetric data————>import (選擇b 的chgcar)——>subtract
from current data——>ok
注意：a,b,c三個檔案的格點要一一對應。
（後來發現這個帖子也不錯，很詳細 @沙風）
中的 「電荷密度差的計算.
doc」 gulangyu
本文中提到電荷密度差，有時也稱為差分電荷密度。
這裡主要是討論在vasp中如何得到用來分析成鍵前後電荷轉移的電荷密度差。
此時電荷密度差定義為：delta_rho = rho_sc - rho_atom
其中 rho_sc 為自洽的面電荷密度，而 rho_atom 為相應的非自洽的面電荷密度，是由理想的原子周圍電荷分佈堆徹得到的，即為原子電荷密度的疊加(a superposition of atomic charge densities)。
不同晶面的 rho_sc 可由自洽計算的chg或chgcar得到；
而計算 rho_atom 所需的 chg 或 chgcar 可由下述非自洽計算得到:
仍使用原來自洽計算時的四個輸入檔案，但incar中需要設定 icharg=12 和 nelm=0，其他設定不變。
需要特別注意的，應保持前後兩次計算（自洽和非自洽）中的 fft-mesh 一致。因為，只有維數一樣，我們才能對兩個rho作相應的矩陣相減。不過，只要按上一段提到的設定方法做就行了，無須特別增加別的設定。
獲得了rho_sc和rho_atom的chg或者chgcar檔案之後，可以利用開始提到的辦法，用vesta很容易做出電荷密度差。
2樓：匿名使用者
江上往來人,但愛鱸魚美.
考慮soc的差分電荷密度怎麼計算
3樓：星月小木木
優質解答
電荷密度圖是以圖的形式出現在文章中，非常直觀，因此對於一般的入門級研究人員來講不會有任何的疑問。唯一需要注意的就是這種分析的種種衍生形式，比如差分電荷密圖（def-ormation charge density）和二次差分圖difference charge density）等等，加自旋極化的工作還可能有自旋極化電荷密度圖（spin-polarized charge density）。所謂"差分"是指原子組成體系（團簇）之後電荷的重新分佈，"二次"是指同一個體系化學成分或者幾何構型改變之後電荷的重新分佈，因此通過這種差分圖可以很直觀地看出體系中個原子的成鍵情況。
通過電荷聚集（accumulation）/損失（depletion）的具體空間分佈，看成鍵的極性強弱；通過某格點附近的電荷分佈形狀判斷成鍵的軌道（這個主要是對d軌道的分析，對於s或者p軌道的形狀分析我還沒有見過）。分析總電荷密度圖的方法類似，不過相對而言，這種圖所攜帶的資訊量較小。
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