如何提高霍爾元件靈敏度,如何測定霍爾靈敏度?它和哪些因素有關?為提高霍爾原件的靈敏度你將採用什麼方法?

時間 2021-08-30 09:27:53

1樓:墨曼彤

霍爾線性器件精度高,線性度好;霍爾開關裝置為無接觸、無磨損、輸出波形清晰、無抖動、無彈跳、位置重複性高(最高可達m級),採用多種補償和保護措施,霍爾裝置工作溫度範圍,可達-55℃~ 150℃。

當磁場不太強烈,霍爾電勢差呃直接與勵磁電流的乘積成正比,我和磁感應強度b,和大廳段的厚度成反比,即呃= rh *我* b /,rh的方程叫做霍爾係數,代表霍爾效應的強度。rh= *霍爾常數等於與霍爾平板材料電子遷移率的乘積。

線性霍爾效應感測器積體電路的電壓輸出可以準確地跟蹤磁通密度的變化。在靜態(非磁性)狀態下,在工作電壓和工作溫度範圍內,理論上輸出應該等於電源電壓的一半。增加南極磁場將增加其靜態電壓的電壓。

相反,增加北極的磁場會增加其靜態電壓的電壓。這些單位測量的角度電流,接近,運動,和磁通量。它們能以磁驅動的方式反映機械事件。

2樓:醜聽芹

從應用角度來說,選型時可選擇靈敏度高的霍爾,或者使用磁性強的磁鐵,縮短感應距離等

3樓:匿名使用者

減小霍爾元件的厚度,但並非越薄越好

如何測定霍爾靈敏度?它和哪些因素有關?為提高霍爾原件的靈敏度你將採用什麼方法?

4樓:假面

霍爾636f707962616964757a686964616f31333431346339元件(由銻化銦製成)的靈敏度比較好測量,相同的電壓和磁場條件下,輸出電壓高的則靈敏度高.

霍爾積體電路(ic)的靈敏度的測量要分兩種:

(1) 對於開關型,測量可以使hall ic開啟(一般輸出由高變低)的磁場強度,使hall開啟的磁場越弱則靈敏度越高。

(2)對於線性hall,則需要給晶片一個磁場變數(比如磁場變化100gs)看輸出電壓變化值的大小,電壓變化的則靈敏度高。

對於怎樣提高靈敏度,在hall材料已經確定的情況下只能靠外加放大器等電子電路來變相的實現。

5樓:

霍爾的bai靈敏度指單位電壓或者du單位電流在單位磁場下zhi(比如dao1t或者1mt)產生的回霍爾電壓,這個霍爾電壓一般答很小(最多mv級別)。霍爾靈敏度主要與製成霍爾元件(或者晶片)的材料有關,一般來講,材料的遷移率越高,則靈敏度越高。另外,霍爾靈敏度也與所加的電壓或者電流偏置有關。

霍爾元件(一般由銻化銦製成)的靈敏度比較好測量,相同的電壓和磁場條件下,輸出電壓高的則靈敏度高。

霍爾積體電路(ic)的靈敏度的測量要分兩種:(1) 對於開關型,測量可以使hall ic開啟(一般輸出由高變低)的磁場強度,使hall開啟的磁場越弱則靈敏度越高。(2)對於線性hall,則需要給晶片一個磁場變數(比如磁場變化100gs)看輸出電壓變化值的大小,電壓變化的則靈敏度高。

對於怎樣提高靈敏度,在hall材料已經確定的情況下只能靠外加放大器等電子電路來變相的實現。

霍爾元件靈敏度是多少

6樓:白羊她的貓

一般霍爾元bai件靈敏度是

du0.1~0.5mv/(ma.g)之間。

早在2023年人們zhi就在金屬中發現

dao了霍爾效應,2023年就有版人用鉍製成了霍爾元件,用以權測量磁場。但由於這種效應在金屬中十分微弱,當時並沒有引起什麼重視。

2023年後,由於半導體技術的迅速發展,人們找到了霍爾效應較為顯著的半導體材料——鍺(ge),接著,在2023年前後,人們又對化合物半導體——銻化銦(insb)、砷化銦(inas)進行了大量的研究,並製成了較為滿意的元件。

這時霍爾效應以及它所具有的廣泛的應用才受到了人們普遍的重視。

7樓:anyway中國

從原來理看:

vh=khib

kh稱為靈敏

自度。單位為mv/(ma.g)

實際的bai

霍爾元件,通常分為開du

關型或線性型兩zhi

種,開關型一般不標dao稱靈敏度。線性型通常電流i由內部電路決定。因此,靈敏度的定義發生了變化。

vh=khb。單位變為mv/g

一般在1~5mv/g,假設供電電流為10ma,也可轉變為:

kh=0.1~0.5mv/(ma.g)

霍爾元件的靈敏度與哪些因素有關

8樓:越爾興電子科技

有靈敏度高的霍爾有靈敏度低的霍爾,看操作點和釋放點。

一般來說霍爾元件靈敏度kh為多少

9樓:匿名使用者

霍爾元件靈敏度kh一般在0.1~0.5mv/(ma.g)。

霍爾元件的靈敏度與霍爾係數成正比,而與霍爾元件的厚度δ成反比,即kh=rh/δ,單位為mv/(ma.g),它通常可以表徵霍爾常數。另外,如果是指大學物理裡的霍爾實驗那個靈敏度值,具體還得看實驗用具。

實際的霍爾元件,通常分為開關型或線性型兩種,開關型一般不標稱靈敏度,而線性型通常電流i由內部電路決定。因此,靈敏度的定義發生了變化。

線性型霍爾元件中,從原理上看,由vh=khib變為vh=khb,單位變為mv/g,此時靈敏度一般在1~5mv/g 左右。

擴充套件資料

元件特性:

1、霍爾係數(又稱霍爾常數)rh

在磁場不太強時,霍爾電勢差uh與激勵電流i和磁感應強度b的乘積成正比,與霍爾片的厚度δ成反比,即uh =rh*i*b/δ,式中的rh稱為霍爾係數,它表示霍爾效應的強弱。 另rh=μ*ρ即霍爾常數等於霍爾片材料的電阻率ρ與電子遷移率μ的乘積。

2、霍爾靈敏度kh(又稱霍爾乘積靈敏度)

霍爾靈敏度與霍爾係數成正比而與霍爾片的厚度δ成反比,即kh=rh/δ,它通常可以表徵霍爾常數。

3、霍爾額定激勵電流

當霍爾元件自身溫升10℃時所流過的激勵電流稱為額定激勵電流。

4、霍爾最大允許激勵電流

以霍爾元件允許最大溫升為限制所對應的激勵電流稱為最大允許激勵電流。

5、霍爾輸入電阻

霍爾激勵電極間的電阻值稱為輸入電阻。

6、霍爾輸出電阻

霍爾輸出電極間的電阻值稱為輸出電阻。

7、霍爾元件的電阻溫度係數

在不施加磁場的條件下,環境溫度每變化1℃時,電阻的相對變化率,用α表示,單位為%/℃。

8、霍爾不等位電勢(又稱霍爾偏移零點)

在沒有外加磁場和霍爾激勵電流為i的情況下,在輸出端空載測得的霍爾電勢差稱為不等位電勢。

10樓:踏樰

一、霍爾元件靈敏度kh一般在0.1~0.5mv/(ma.

g)。霍爾元件的靈敏度與霍爾係數成正比,而與霍爾元件的厚度δ成反比,即kh=rh/δ,單位為mv/(ma.g),它通常可以表徵霍爾常數。

另外,如果是指大學物理裡的霍爾實驗那個靈敏度值,具體還得看實驗用具。

二、霍爾元件是應用霍爾效應的半導體。一般用於電機中測定轉子轉速,如錄影機的磁鼓,電腦中的散熱風扇等;是一種基於霍爾效應的磁感測器,已發展成一個品種多樣的磁感測器產品族,並已得到廣泛的應用。

擴充套件資料:

元件特性:

1、霍爾係數(又稱霍爾常數)rh

在磁場不太強時,霍爾電勢差uh與激勵電流i和磁感應強度b的乘積成正比,與霍爾片的厚度δ成反比,即uh =rh*i*b/δ,式中的rh稱為霍爾係數,它表示霍爾效應的強弱。 另rh=μ*ρ即霍爾常數等於霍爾片材料的電阻率ρ與電子遷移率μ的乘積。

2、霍爾靈敏度kh(又稱霍爾乘積靈敏度)

霍爾靈敏度與霍爾係數成正比而與霍爾片的厚度δ成反比,即kh=rh/δ,它通常可以表徵霍爾常數。

3、霍爾額定激勵電流

當霍爾元件自身溫升10℃時所流過的激勵電流稱為額定激勵電流。

4、霍爾最大允許激勵電流

以霍爾元件允許最大溫升為限制所對應的激勵電流稱為最大允許激勵電流。

5、霍爾輸入電阻

霍爾激勵電極間的電阻值稱為輸入電阻。

6、霍爾輸出電阻

霍爾輸出電極間的電阻值稱為輸出電阻。

7、霍爾元件的電阻溫度係數

在不施加磁場的條件下,環境溫度每變化1℃時,電阻的相對變化率,用α表示,單位為%/℃。

8、霍爾不等位電勢(又稱霍爾偏移零點)

在沒有外加磁場和霍爾激勵電流為i的情況下,在輸出端空載測得的霍爾電勢差稱為不等位電勢。

11樓:匿名使用者

你說的應該是線性霍爾的kh,市場上的產品一般是 一點幾 毫伏/高斯 到 五 毫伏/高斯,如果你是大學物理裡的霍爾實驗那個值可能會到十以上,具體看實驗用具

12樓:匿名使用者

一般來說霍爾元件靈敏度的可以視為50。

13樓:狂野豔逍遙本尊

一般來說霍爾元件靈敏度kh為3600

14樓:哈嘍伊爾

正常開關型的霍爾元件靈敏度大概在70-100gz左右

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