mgo比AL2O3的熔點高,而離子鍵能卻相反,為什麼

時間 2021-08-11 17:49:42

1樓:教授王

實驗測得:氧化鋁熔點(以剛玉為例 ,是2050度),氧化鎂熔點是2800度,從熔點的高低上看,很多人錯誤的認定,熔點的判別是氧化鎂中的離子鍵強於氧化鋁的離子鍵造成的,但晶體熔解時,這個能量對應的是晶格能,而不是鍵能 .

查得氧化鎂和氧化鋁的晶格能分別為3791kj/mol和15111kj/mol,根據晶格能越大,晶體的熔沸點越高的現律,由於氧化鋁晶格能遠高於氧化鎂,當然應當是氧化鋁熔點高.

理論上講應該是al2o3,但實驗結果是mgo熔點更高.

查得氧化鎂和氧化鋁的晶格能分別為371kj/mol和15111kj/mol,根據晶格能越大,晶體的熔沸點越高的現律,由於氧化鋁晶格能遠高於氧化鎂,當然應當是氧化鋁熔點高.那麼如何說明這一反常情況呢?實際上我們通常所說的離子鍵並非純粹的離子鍵,成鍵微粒總是有電子雲重疊的情況,也即離子性和共價性各佔一定的比例,只不過不同化合物其離子性所佔百分數不同.

有人根據大量事實總結出規律:在離子性佔主要成分的化合物中,一般是熔點隨離子性百分數的增大而升高.經查氧化鎂和氧化鋁的離子性百分數分別為75.

3%和46.7%.

因而氧化鎂和氧化鋁的熔點可從以下兩個方面來看:

(1)mg2+、al3+半徑均小,mg2+、al3+、o2-所帶電荷又都比較高,所以離子鍵都強,氧化鎂和氧化鋁熔點都相當高;

(2)氧化鎂的離子性百分數遠高於氧化鋁的離子性百分數,相比之下,氧化鋁離子性百分數的相對偏低,使離子鍵的削弱比al3+電荷偏高,半徑偏小對離子鍵的貢獻要顯著,導致了氧化鋁熔點較氧化鎂低.因此氧化鋁熔點很高,但卻低於氧化鎂.

2樓:匿名使用者

離子鍵是氧化鎂強於氧化鋁。因為鋁的極化性強,與氧結合時離子鍵的共價成分增強,離子鍵成分減弱,所以氧化鎂的熔點高於氧化鋁的熔點

mgo和al2o3由於晶格型別不同,氧化鎂的熔沸點 高於氧化鋁,這句話對麼?al2o3不也是離子晶體麼?

3樓:精品教輔

氧化鎂和氧化鋁的晶格能分別為3916kj/mol和15111kj/mol,根據晶格能越大,晶體的熔沸點越高回的現律答,由於氧化鋁晶格能遠高於氧化鎂,所以應當是氧化鋁熔沸點高,但氧化鎂的熔沸點高於氧化鋁的。

那麼如何解釋這一反常情況呢?實際上通常所說的離子鍵並非純粹的離子鍵,成鍵微粒總是有電子雲重疊的情況,也即離子性和共價性各佔一定的比例,只不過不同化合物其離子性所佔百分數不同,根據大量事實總結出規律:在離子性佔主要成分的化合物中,一般是熔點隨離子性百分數的增大而升高。

而氧化鎂和氧化鋁的離子性百分數分別為75.3%和46.7%,所以氧化鎂的熔沸點高於氧化鋁。

氧化鎂和氧化鋁的熔沸點可從以下兩個方面來看:

(1)mg2+、al3+半徑均小,mg2+、al3+、o2-所帶電荷又都比較高,所以離子鍵都強,氧化鎂和氧化鋁熔點都相當高;

(2)氧化鎂的離子性百分數遠高於氧化鋁的離子性百分數,相比之下,氧化鋁離子性百分數的相對偏低,使離子鍵的削弱比al3+電荷偏高,半徑偏小對離子鍵的貢獻要顯著,導致了氧化鋁熔沸點較氧化鎂低。因此氧化鋁熔沸點很高,但卻低於氧化鎂。

4樓:花晨月夕

晶格能是

bai指破壞1摩爾離

du子晶體(準確點,這

zhi裡不能說離子鍵),使之dao成為氣態基態正離子,專負離子所需要的能量。離屬子晶體晶格能與晶體的熔沸點有較好的擬合關係,但不是絕對的 晶格能高熔沸點就高。氧化鋁中,鋁離子的半徑小,電荷高,極化力很強導致鋁與氧的電子雲重疊,二者結合十分緊密(這裡我想用鍵能來形容,但又感覺不太合適)所以要使鋁和氧都成為氣態離子所需能量應該特別特別高,這就是為什麼氧化鋁的晶格能是一萬多千焦的原因,明顯高於氧化鎂。

但極化作用強,共價性強,離子晶體融化時可以 以分子的形式形成液體,(不是正負離子)也就是說融化時沒有完全破壞離子晶體中的化學鍵,這就是為什麼氧化鋁的熔點會低於氧化鎂。

一般情況下離子晶體融化只考慮晶格能,但有些時候晶格能並不與熔沸點擬合。

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